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单层MNA的电子和磁性结构（111）
最近，基于控制旋转的电流已经在电子工业中开设了一门名为Spintronics的新学科[1-6]。半金属是在Spintronics行业中合适的候选材料，以增加NMR和GMR中的磁性记忆和应用。[7]这些材料在另一个自旋和半导体中是金属，在费米表面附近有一个间隙。因此，这些材料是完全磁性的，并且在费米表面附近具有较大的磁性极化。一般而言，三类的半金属命名为二进制和全赫斯勒，而半身的化合物则引起了人们的强烈关注[8-10]。Groot等人首次预测NIMNSB和PTMNSB Heusler化合物的半金属特性[11,12]。然后，其他半金属啤酒器化合物（HM），例如Comnsi，是
胶体 MnAsxSb1-x 纳米粒子的合成 - NSF-PAR
图 2：MnAs x Sb 1-x（x = 0.1 - 0.8）纳米粒子的 PXRD 图案，以 Si 标准为标准。Si 的峰值以星号显示（MnSb-PDF#-03-065-0388）
胶体 MnAsxSb1-x 纳米粒子的合成
完整作者列表： Hettiarachchi, Malsha；韦恩州立大学，化学系 Su'a, Tepora；韦恩州立大学，化学系 Abdelhamid, Ehab；韦恩州立大学， Pokhrel, Shiva；韦恩州立大学，物理学和天文学 Nadgorny, Boris；韦恩州立大学，物理学和天文学 Brock, Stephanie；韦恩州立大学，化学系
使用亚 10 纳秒电流实现反铁磁 CuMnAs/GaP 的低能开关
最近发现的具有空间反转不对称性的反铁磁 (AF) 材料的电诱导切换极大地丰富了自旋电子学领域，并为反铁磁 MRAM 概念打开了大门。CuMnAs 是一种具有这种电切换能力的有前途的 AF 材料，并且已经研究使用长度从毫秒到皮秒的电脉冲进行切换，但很少关注纳秒范围。我们在这里演示了使用纳秒脉冲切换 CuMnAs/GaP。我们的结果表明，在纳秒范围内，可以实现低能量切换、高读出信号以及高度可重复的行为，直至单个脉冲。此外，在同一设备上对正交切换和极性切换两种切换方法进行了比较，显示了两种不同的行为，可以选择性地用于不同的未来内存/处理应用。