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菌株诱导的拓扑相变于铁磁性Janus单层MNSBBIS2TE2
大型垂直压电性，5–7可调节带隙，8,9和大型Dzyaloshinskii – Moriya互动（DMI）。10,11因此，近年来，2d Janus材料在纳米科学和纳米技术方面受到了广泛关注。迄今为止，已经在实验中发现了几种磁性janus材料或从理论上预测。例如，他等人。预测，基于CR的Janus Mxene Monolayers CR 2 CXX 0（x，x，x 0 = h，f，cl，br，oh）的NE´EL温度最高为400K。12同样，Akgenc等人。预测基于CR的Janus MXENE的单层CRSCC中的居里温度为1120 K，这表明对未来的Spintronic应用提出了承诺的候选者。13 Jiao等。 提出了新的2d Janus Cr 2 O 2 Xy（X = Cl，Y = Br/I）单层，并研究了使用菌株从铁磁到抗铁磁状态的相过渡，提出Cr 2 O 2 XY作为旋转型应用的潜在材料。 14此外，Zhang等人。 预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。 15研究13 Jiao等。提出了新的2d Janus Cr 2 O 2 Xy（X = Cl，Y = Br/I）单层，并研究了使用菌株从铁磁到抗铁磁状态的相过渡，提出Cr 2 O 2 XY作为旋转型应用的潜在材料。14此外，Zhang等人。 预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。 15研究14此外，Zhang等人。预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。15研究
Zintl化合物Yb10MnSb9的热电性能及低热导率
最近发现的 Zintl 化合物 Yb 10 MnSb 9 是一种热电材料，在成分空间上与 Yb 14 MnSb 11 和 Yb 21 Mn 4 Sb 18 等高性能热电材料非常接近。我们在此测量并报告 Yb 10 MnSb 9 在高达 825K 下的电子和热传输数据。由于晶体结构复杂，这种材料具有超低的热导率。超低的晶格热导率加上比其他 Yb-Mn-Sb 化合物更高的塞贝克系数，导致在 825K 时具有约 0.34 的中等 zT，并且可能通过材料优化在更高的值处达到峰值。我们近似估计带隙约为 0.4 eV，并预计 zT 能够在 725K 时达到高达 0.33 的值（与该温度下的 Yb 14 MnSb 11 相当）使用热电品质因数分析。通过晶界工程提高品质因数 B，该 zT 有可能达到更高的值。这里我们为未来研究改进热电性能提供了建议。这项工作是首次报告这种 Yb 10 MnSb 9 化合物的热导率、带隙和 zT，我们通过与领先的 Yb 14 MnSb 11 材料的比较讨论了这种材料对未来热电研究的影响。
Mn -rich MNSB2TE4：在45–50 k
量子异常霍尔效应（QAHE）提供了量化的电导和无损传输，而无需外部磁场。[1]为此目的[2-4]将铁磁性与拓扑绝缘子结合起来的想法促进了材料科学。[5,6]这导致了QAHE在Cr-和V掺杂（BI，SB）2 TE 3 [7-11]中的实验发现，并在霍尔电阻率上进行了预先量化的量化值，以至于均为每百万个次数。[12–15] V或Cr替代的稳定3 +构型通过耦合过渡金属原子的磁矩来实现铁磁性，从而实现铁磁性。因此，通过垂直磁化 - 在拓扑表面状态的狄拉克点上的间隙开口，时间反转对称性被损坏。[2-5]该差距具有预先量化的电导率的手性边缘状态。但是，