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大面积多晶-MOO_3薄膜IR光子学
摘要近年来，范德华（Van der Waals）材料中表面声子极地（SPHP）的激发受到了纳米光子学界的广泛关注。alpha相钼三氧化物（α-MOO 3），一种天然存在的双轴双曲晶体，由于其在不同波长带的三个正交指导下支持SPHP的能力（范围10-20 µM），因此出现是一种有前途的极性材料。在这里，我们报告了大面积（超过1 cm 2尺寸）的制造，结构，形态和光学IR表征，α -moo 3多晶膜通过脉冲激光沉积沉积在熔融二氧化硅底物上。由于随机晶粒分布，薄膜在正常发生率下未显示任何光学各向异性。但是，提出的制造方法使我们能够实现单个α相，从而保留与α -moo 3片的语音响应相关的典型强分散体。报告了IR光子学应用的显着光谱特性。例如，在1006 cm -1处具有极化的反射峰，动态范围为∆ r = 0.3，共振Q因子在45°的入射角下观察到高达53的共振Q。此外，我们报告了SIO 2底物的阻抗匹配条件的实现，从而导致独立于极化的几乎完全完美的吸收条件（R <0.01）在972 cm-1处，该条件可维持以较大的入射角维持。在此框架中，我们的发现似乎非常有前途的，对于使用远场检测设置，用于有效和大规模的传感器，滤镜，过滤器，热发射器和无标签的生物化学传感设备，用于进一步开发无IR线印刷膜，可扩展的膜，用于高效和大规模的传感器，过滤器，热发射器和无标签的生化感应设备。
增强的非线性吸收和光致发光特性
摘要在这项研究中，掺杂元元件对超声喷涂的Moo 3薄膜的线性，非线性吸收和光学限制特性的影响。线性光学结果表明，随着带量的缺陷状态的密度与掺杂的密度增加，并结合使用带隙能量和URBACH能量的增加。广泛的光致发光排放在350和600 nm的范围内，通过掺杂降低了强度。揭示了对非线性吸收（NA）行为的缺陷效应，使用两个理论模型分析了OA Z-SCAN数据，仅考虑两种光子吸收（2PA）（模型1）和一个光子吸收（OPA），2PA和自由载体吸收（模型2）。观察到NA行为，并发现由于新的氧空位和进一步缺陷状态的形成而产生的输入强度和掺杂原子会增强。模型2中薄膜的Na系数比模型1中的2PA系数高100倍。该结果揭示了缺陷状态对NA行为的强烈影响。在研究的掺杂原子中，由于缺陷态密度较高，CU导致Na增强。虽然真正的2Pa是V和Fe掺杂的MOO 3薄膜的主要Na机制，但OPA和2PA是Ni，Zn和Cu掺杂的MOO 3薄膜的主要Na机制，因为它们的缺陷状态较高。Cu掺杂的MOO 3薄膜的光学限制阈值为0.026 MJ / cm 2，这是由于其增强的Na行为。考虑到获得的结果，这项研究为可见的波长区域中的光学限制器打开了掺杂的MOO 3薄片的潜力的门。
扭曲的α-MOO3/石墨烯异质结构中的栅极调节混合极化子
摘要：调节各向异性声子极地（PHP）可以打开红外纳米光子学的新途径。通过极化杂交的有希望的PHP色散工程已通过将门控石墨烯与单层α -Moo 3耦合来证明。然而，与门依赖性杂交调制的基础机制仍然难以捉摸。在这里，使用IR纳米光谱成像，我们证明了光学响应函数的主动调节，并在测量杂交等离激元 - Phonon -Polaritons（HPPPS）的波长，振幅和耗散速率的栅极依赖性中进行了量化。有趣的是，尽管石墨烯掺杂导致HPPP波长，振幅和耗散速率的单调增加表明从最初的反相关减少到相关增加的过渡。我们将这种行为归因于HPPP复合动量的栅极相关组件的复杂相互作用。我们的结果为综合α -moo 3纳米素体设备的积极偏振子控制奠定了基础。关键字：栅极 - 调整，混合等离子体 - 声子极化子，扭曲的α-MOO 3，分散，s -snom
基于Batio3/Moo3/ag的三元异质结构，用于高效且可重复使用的光催化应用
这项工作表明了通过将铁电batio 3（BTO）整合为底层，半导体MOO 3作为中间层和等离激元银纳米颗粒（Ag nps）作为顶层，将有效的三元异质结构光催化剂制造为底层，半导体MOO 3。Batio 3 /Moo 3 /ag（BMA）异质结构在紫外线batio 3 /ag（BA（BA）和MAO时，在UV -Visible Light Plintination下，若丹明B（RHB）染料的光降解和光催化效率为100％，在60分钟下显示为60分钟。BMA异质结构中的光催化活性增加归因于其增强的界面电场，这是由于BTO -MOO 3和MOO 3 -ag界面的电动双层形成。对BMA异质结构观察到的表面等离子体共振（SPR）峰的较高蓝光清楚地表明，在光照明下，电子向顶部AG NPS层的转移增加了。较高的电阻开关（RS）比，电压最小值的差异增加以及改善的光电流产生，从I – V特性中可以明显看出，这说明了BMA异质结构中增强的电荷载体的产生和分离。在BMA异质结构的Nyquist图中观察到的较小的弧形半径清楚地展示了其增加的界面电荷转移（CT）。还研究了BMA异质结构的CT机制和可重复使用性。
通过金属 H1.75MoO3 纳米带中的质子存储……
摘要：质子作为最轻元素H的阳离子形式，被认为是“摇椅”电池中最理想的电荷载体。然而，目前对质子电池的研究尚处于起步阶段，它们通常容量较低且易遭受严重的酸性腐蚀。本文开发了电化学活化的金属H 1.75 MoO 3 纳米带作为质子存储的稳定电极。电化学预插的质子不仅通过强OH键直接与末端O3位点结合，而且通过氢键与相邻层中的氧相互作用，在H 1.75 MoO 3 纳米带中形成氢键网络，并且由于其超低活化能~0.02 eV而实现无扩散的Grotthuss机制。据我们所知，这是首次报道的基于Grotthuss机制的质子存储无机电极。此外，质子插入 MoO 3 并形成 H 1.75 MoO 3 会诱发强烈的 Jahn-Teller 电子-声子耦合，从而呈现金属状态。因此，H 1.75 MoO 3 表现出出色的快速充电性能，在 2500 C 时可保持 111 mAh/g 的容量，大大优于最先进的电池电极。更重要的是，基于 H 1.75 MoO 3 组装的对称质子离子全电池在 12.7 kW/kg 的超高功率密度下可提供 14.7 Wh/kg 的能量密度，优于快速充电超级电容器和铅酸电池。
RGO/femoo4作为高
本期刊文章的自构建后版本可在Linköping大学机构存储库（DIVA）上获得：http：//urn.kb.se/resolve？urn = urn= urnt：nbn：se：se：se：liu：diva-189492 N.B. N.B. N.B. N.B.：引用这项工作时，请引用原始出版物。abutalib，M。M.，Alghamdi，H。M.，Rajeh，A.，Nur，O.，Hezmad，A.M.，Mannaa，M.A.，（2022），RGO/FEMOO4作为高效光催化剂，用于在疟疾绿色，势酚和H2 Nefteral ogen的降解下降解的高效光催化剂，用于降级32955-32968。 https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2022.07.189
研究使用 TeO2-WO3-Bi2O3-MoO3-SiO 基玻璃屏蔽伽马射线和电子辐射的效率，以保护电子电路免受电离辐射的负面影响
摘要：本文探讨了碲化物玻璃中的 MoO 3 和 SiO 添加剂对在辐射背景或宇宙辐射增加的条件下工作的电子微电路的屏蔽特性和保护的影响。之所以选择 MoO 3 和 SiO 掺杂剂，是因为它们的特性（包括绝缘特性）可以避免辐射损伤引起的击穿过程。这项研究的意义在于提出使用防护玻璃保护电子电路中最重要的组件免受电离辐射负面影响的方法，电离辐射可能会导致故障或导致电子设备不稳定。使用标准方法评估伽马和电子辐射的屏蔽效率，以确定放置在屏蔽后面并受到不同剂量辐照的微电路的阈值电压（∆U）值的变化。结果表明，玻璃结构中 MoO 3 和 SiO 含量的增加可使伽马辐射屏蔽效率提高高达 90%，同时在长时间暴露于电离辐射的情况下仍能保持微电路性能的稳定性。根据所得结果，我们可以得出结论：使用基于 TeO 2 –WO 3 –Bi 2 O 3 –MoO 3 –SiO 的防护玻璃非常有希望为在背景辐射或宇宙辐射增加的条件下工作的微电路和半导体器件的主要部件提供局部保护。
多巴胺辅助合成 MoO3/碳电极……
图 1. 合成过程示意图，涉及金属钼和过氧化氢在存在和不存在多巴胺盐酸盐的情况下的溶胶-凝胶反应。溶胶-凝胶反应产物经过水热处理 (HT) 以生成白色 α-MoO 3 -ref 和浅蓝色 HT-MoO 3 /C 粉末。
提高 MoO3-x 自由基的体积电容……
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-174378 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Zheng, W., Halim, J., Etman, A., El Ghazaly, A., Rosén, J., Barsoum, M., (2021), Boosting the volumetric capacities of MoO3-x free-standing films with Ti3C2 MXene, Electrochimica Acta , 370, 137665. https://doi.org/10.1016/j.electacta.2020.137665