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World File Search SystemMoO3
多巴胺辅助合成 MoO3/碳电极……
图 1. 合成过程示意图，涉及金属钼和过氧化氢在存在和不存在多巴胺盐酸盐的情况下的溶胶-凝胶反应。溶胶-凝胶反应产物经过水热处理 (HT) 以生成白色 α-MoO 3 -ref 和浅蓝色 HT-MoO 3 /C 粉末。
扭曲的α-MOO3/石墨烯异质结构中的栅极调节混合极化子
摘要：调节各向异性声子极地（PHP）可以打开红外纳米光子学的新途径。通过极化杂交的有希望的PHP色散工程已通过将门控石墨烯与单层α -Moo 3耦合来证明。然而，与门依赖性杂交调制的基础机制仍然难以捉摸。在这里，使用IR纳米光谱成像，我们证明了光学响应函数的主动调节，并在测量杂交等离激元 - Phonon -Polaritons（HPPPS）的波长，振幅和耗散速率的栅极依赖性中进行了量化。有趣的是，尽管石墨烯掺杂导致HPPP波长，振幅和耗散速率的单调增加表明从最初的反相关减少到相关增加的过渡。我们将这种行为归因于HPPP复合动量的栅极相关组件的复杂相互作用。我们的结果为综合α -moo 3纳米素体设备的积极偏振子控制奠定了基础。关键字：栅极 - 调整，混合等离子体 - 声子极化子，扭曲的α-MOO 3，分散，s -snom
基于Batio3/Moo3/ag的三元异质结构，用于高效且可重复使用的光催化应用
这项工作表明了通过将铁电batio 3（BTO）整合为底层，半导体MOO 3作为中间层和等离激元银纳米颗粒（Ag nps）作为顶层，将有效的三元异质结构光催化剂制造为底层，半导体MOO 3。Batio 3 /Moo 3 /ag（BMA）异质结构在紫外线batio 3 /ag（BA（BA）和MAO时，在UV -Visible Light Plintination下，若丹明B（RHB）染料的光降解和光催化效率为100％，在60分钟下显示为60分钟。BMA异质结构中的光催化活性增加归因于其增强的界面电场，这是由于BTO -MOO 3和MOO 3 -ag界面的电动双层形成。对BMA异质结构观察到的表面等离子体共振（SPR）峰的较高蓝光清楚地表明，在光照明下，电子向顶部AG NPS层的转移增加了。较高的电阻开关（RS）比，电压最小值的差异增加以及改善的光电流产生，从I – V特性中可以明显看出，这说明了BMA异质结构中增强的电荷载体的产生和分离。在BMA异质结构的Nyquist图中观察到的较小的弧形半径清楚地展示了其增加的界面电荷转移（CT）。还研究了BMA异质结构的CT机制和可重复使用性。
增强的非线性吸收和光致发光特性
摘要在这项研究中，掺杂元元件对超声喷涂的Moo 3薄膜的线性，非线性吸收和光学限制特性的影响。线性光学结果表明，随着带量的缺陷状态的密度与掺杂的密度增加，并结合使用带隙能量和URBACH能量的增加。广泛的光致发光排放在350和600 nm的范围内，通过掺杂降低了强度。揭示了对非线性吸收（NA）行为的缺陷效应，使用两个理论模型分析了OA Z-SCAN数据，仅考虑两种光子吸收（2PA）（模型1）和一个光子吸收（OPA），2PA和自由载体吸收（模型2）。观察到NA行为，并发现由于新的氧空位和进一步缺陷状态的形成而产生的输入强度和掺杂原子会增强。模型2中薄膜的Na系数比模型1中的2PA系数高100倍。该结果揭示了缺陷状态对NA行为的强烈影响。在研究的掺杂原子中，由于缺陷态密度较高，CU导致Na增强。虽然真正的2Pa是V和Fe掺杂的MOO 3薄膜的主要Na机制，但OPA和2PA是Ni，Zn和Cu掺杂的MOO 3薄膜的主要Na机制，因为它们的缺陷状态较高。Cu掺杂的MOO 3薄膜的光学限制阈值为0.026 MJ / cm 2，这是由于其增强的Na行为。考虑到获得的结果，这项研究为可见的波长区域中的光学限制器打开了掺杂的MOO 3薄片的潜力的门。
晶圆可扩展的单层非晶态三氧化钼
摘要：三氧化钼 (MoO 3 ) 是一种重要的过渡金属氧化物 (TMO)，由于其在现有技术和新兴技术（包括催化、能源和数据存储、电致变色器件和传感器）中的潜力，在过去几十年中得到了广泛的研究。最近，人们对二维 (2D) 材料的兴趣日益浓厚，与块体材料相比，二维材料通常具有丰富的有趣特性和功能，这导致了对 2D MoO 3 的研究。然而，大面积真正的 2D（单原子层至几原子层厚）MoO 3 尚未实现。在这里，我们展示了一种简单的方法来获得晶圆级单层非晶态 MoO3，该方法使用 2D MoS2 作为起始材料，然后在低至 120°C 的基板温度下进行紫外臭氧氧化。这种简单而有效的过程可产生具有晶圆级同质性的光滑、连续、均匀和稳定的单层氧化物，这通过几种表征技术得到证实，包括原子力显微镜、多种光谱方法和扫描透射电子显微镜。此外，使用亚纳米 MoO3 作为夹在两个金属电极之间的活性层，我们展示了最薄的基于氧化物的非挥发性电阻开关存储器，该存储器具有低压操作和高开/关比。这些结果（可能可扩展到其他 TMO）将使进一步探索亚纳米化学计量 MoO3 成为可能，扩展超薄柔性氧化物材料和器件的前沿。关键词：晶圆级、单层、氧化钼、非晶态、电阻开关存储器
欧庆东 助理教授
学术出版物（精选）J. Lv†、Y. Wu*†、J. Liu†、Y. Gong、G. Si、G. Hu、Q. Zhang、Y. Zhang、J.-X. Tang、MS Fuhrer、H. Chen、SA Maier、C.-W. Qiu*、Q. Ou *，具有可配置低对称布洛赫模式的双曲极化子晶体。《自然通讯》2023，14，3894。Q. Zhang†、Q. Ou *†、G. Si、G. Hu、S. Dong、Y. Chen、J. Ni、C. Zhao、MS Fuhrer、Y. Yang、A. Alu*、R. Hillenbrand*、CW Qiu*，高对称正交晶体中的单向激发声子极化子。《科学进展》2022，8，eabn9774。 G. Hu†、Q. Ou †、G. Si、Y. Wu、J. Wu、Z. Dai、A. Krasnok、Y. Mazor、Q. 张、Q. Bao*、C.-W. Qiu*，A. Alu*，扭曲 α-MoO3 双层中的拓扑极化子和光子魔角。 Nature 2020 , 582, 209.（被《物理世界》评选为 2020 年十大突破）Y. Wu†、Q. Ou †、Y. Yin、Y. Li、W. Ma、W. Yu、G. Liu*、X. Cui、X. Bao、J. Duan、G. Álvarez-Pérez、Z. Dai、B. Shabbir、N. Medhekar、 X. Li*，C.-M。 Li, P. Alonso-González, Q. Bao*, 通过氢插层实现 α-MoO3 中低损耗声子极化子的化学切换。《自然通讯》2020，11，2646。Q. Ou †, Y. Zhang*†, Z. Wang, JA Yuwono, R. Wang, Z. Dai, W. Li, C. Zheng, ZQ Xu, X. Qi, S. Duhm, NV Medhekar, H. Zhang*, Q. Bao*, 局部电子掺杂引起混合钙钛矿 pn 结的强耗尽。《先进材料》2018，30，1705792。
欧庆东 助理教授
Y. Wu†、Q. Ou†、Y. Yin、Y. Li、W. Ma、W. Yu、G. Liu*、X. Cui、X. Bao、J. Duan、G. Álvarez-Pérez、Z. Dai、B. Shabbir、N. Medhekar、X. Li*、C.-M. Li, P. Alonso-González, Q. Bao*，通过氢插层实现 α-MoO3 中低损耗声子极化激元的化学转换。自然通讯 2020, 11, 2646. Q. Ou†, Y. Zhang*†, Z. Wang, JA Yuwono, R. Wang, Z. Dai, W. Li, C. Cheng, ZQ Xu, X. Qi, S. Duhm, NV Medhekar, H. Zhang*, Q. Bao*, 局部电子掺杂引起的混合钙钛矿 pn 结中的强耗尽。 Advanced Materials 2018, 30, 1705792.（被选为封面）