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2024 年冬季课程大纲 MOS 3311B 部分
我们承认，西部大学位于阿尼希那贝克族、豪德诺索尼族、卢纳阿佩瓦克族和阿塔旺达隆族的传统土地上，这些土地与 1796 年的伦敦镇和索姆布拉条约以及一勺一盘契约贝壳串珠有关。因此，我们尊重原住民与这片土地的长期关系，因为他们是这片土地的原始看护者。我们承认原住民（例如第一民族、梅蒂人和因纽特人）在加拿大遭受的历史和持续不公正待遇，我们作为公共机构承担起责任，通过我们的教学、研究和社区服务，为揭露和纠正错误教育以及重建与原住民社区的尊重关系做出贡献。https://indigenous.uwo.ca/initiatives/docs/indigenous-land-acknowledgment.pdf
1-325 GHz 频段高度可调高 Q 值反转模式 MOS 变容二极管
对高速数据传输的迫切需求加上纳米技术节点的发展，正推动通信标准（如 5G）向毫米波频段发展。毫米波频段的使用还涉及汽车雷达、成像或医疗应用。在更高的频段，用户可以受益于更宽的带宽，从而可以获得所需的数据速率或雷达分辨率的提升。另一方面，消费类应用需要低成本的解决方案，例如 CMOS 或 BiCMOS 技术提供的解决方案。然而，虽然 BiCMOS 技术中晶体管的工作频率 (𝑓)/𝑓 *+,) 高于 400 GHz 以满足毫米波应用 [1]，但这些技术中无源可调元件的种类仅限于少数几种变容二极管或开关电感器。可调元件可用于执行必要的射频功能，例如 VCO 调谐 [2]、相移控制，尤其是构建波束控制系统以补偿自由空间中路径损耗的增加 [3]，或用于校准目的 [4] 等。可调设备的性能可通过调谐范围和品质因数来量化
74D10，CBRN 专家入伍，MOS：74D，技能等级：SL1 ...
• 训练领域/地点栏 — 标明训练地点和领导领域（机构、操作或自我发展），在此领域中，任务首次按照士兵训练出版物标准进行训练。如果任务首次按照单位标准进行训练，则此栏中将显示“OP”字样。如果任务首次按照训练基地标准进行训练，则将通过简写代码 (SD、INST) 标明教授任务的驻地课程。• 维持训练频率栏 — 指示应按何种频率进行任务训练，以确保士兵保持任务熟练度。• 维持训练技能水平栏 — 列出士兵必须接受维持训练的 MOS 技能水平，以确保他们保持士兵手册标准的熟练度。
利用紧凑型 MoS 2 纳米层实现卓越的体积海水淡化能力
1000 mV s −1，电荷转移电阻更低，电化学活性表面积比 2H-MoS 2 电极高出近十倍。此外，1T ʹ -MoS 2 电极在 CDI 实验中表现出 65.1 mg NaCl cm −3 的出色体积脱盐容量。原位 X 射线衍射 (XRD) 表明，阳离子存储机制随着 1T ʹ -MoS 2 中间层的动态扩展而发生，以容纳 Na + 、K + 、Ca 2 + 和 Mg 2 + 等阳离子，从而提高了容量。理论分析表明，1T ʹ 相在热力学上优于 2H 相，离子水合和通道限制在增强离子吸附中也起着关键作用。总的来说，这项工作为设计具有高体积性能的紧凑型二维层状纳米层提供了一种新方法，用于 CDI 海水淡化。
第 10 章（20211001 生效）职业管理领域和 MOS 规范
10-13. CMF 35——军事情报（提议者：军事情报局局长办公室）（自 202010 年起生效）军事情报 CMF 包含九个 MOS。四个主要用于军事情报单位，负责情报信息的分析、收集和传播，以及旅级及以上单位的情报参谋部门；四个 MOS 涉及战术和战略单位用于支持战场情报和国家情报工作的 SIGINT 操作；一个 MOS 涉及军事情报系统的维护和集成，由具体单位任务分配；战术地面、航空和战略。
第 10 章（自 20211001 起生效）职业管理领域和 MOS 规范
00B1 潜水员 51 EN D 196604 196604 200409 200409 00B2 潜水员 51 EN D 196504 196504 200409 200409 00B3 潜水员 51 EN D 196504 196504 200409 200409 00B4 潜水员 51 EN D 196604 196604 200409 200409 00B5 潜水员 51 EN D 198904 198904 200409 200409 00D1 特殊 DU 0 OT B 197710 197710 202011 00D1 特殊 DU 0 OT E 197710 197710 202210 00D2 特殊 DU 0 OT B 196504 196504 202011 00D2 特殊 DU 0 OT E 196504 196504 202210 00D3 特殊DU 0 OT B 197710 197710 202011 00D3 特殊 DU 0 OT E 197710 197710 202210 00D4 特殊 DU 0 OT B 196504 196504 202011 00D4 特殊 DU 0 OT E 196504 196504 202210 00D5 特殊 DU 0 OT B 197710 197710 202011 00D5 特殊 DU 0 OT E 197710 197710 202210 00D6 特殊 DU 0 OT B 201103 201110 202011 00D6 特殊 DU 0 OT E 201103 201110 202210 00E2 招聘人员 79 OT D 198210 198210 199510 199510 00E3 招聘人员 79 OT D 198210 198210 199510 199510 00E4 招聘人员79 OT D 198210 198210 199510 199510 00E5 招聘人员 79 OT D 198210 198210 199510 199510 00E6 中士 0 OT B 201710 201710 202011 00E6 中士 0 OT E 201710 201710 202210 00F1 MOS IMMA 0 OT B 200505 200505 202011 00F1 MOS IMMA 0 OT E 200505 200505 202210 00F2 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011 00F2 MOS IMMA 0 OT E 200504 200504 202210 00F3 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011 00F3 MOS IMMA 0 OT E 200504 200504 202210 00F4 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011 00F4 MOS IMMA 0 OT E 200504 200504 202210 00F5 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011 00F5 MOS IMMA 0 OT E 200504 200504 202210 00F6 MOS IMMA 0 OT B 201103 201110 202011 00F6 MOS IMMA 0 OT E 201103 201110 202210 00G1 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011 00G1 MOS IMMA 0 OT E 200504 200504 202210 00G2 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011 00G2 MOS IMMA 0 OT E 200504 200504 202210 00G3 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011 00G3 MOS IMMA 0 OT E 200504 200504 202210 00G4 MOS IMMA 0 OT B 200504 200504 202011
MCO 1200.17E 军事职业专业手册（简称：MOS 手册）
0005.海军陆战队职业系统。本手册介绍了海军陆战队职业系统。海军陆战队战斗发展司令部指挥官作为战斗发展和整合副司令官和远征军发展系统的所有者，负责制定海军陆战队的战斗要求，包括理论、组织、培训和人员。组织要求在组织表 (T/O) 中列出。T/O 使用来自海军陆战队职业系统的数字代码进行制表。这些代码定义了单位所需的不同个人技能。人力和预备役事务副司令官使用相同的数字来开发和维护熟练海军陆战队员的人员清单，以满足单位的组织要求。人力资源开发流程 (HRDP) 未要求的 MOS 的特殊使用受到严格控制。职业系统在流程和分类方面必须有一定的严格性，以保持数字代码含义的准确性。为了保持灵活性，手册将定期审查和修订，通常每年一次。手册的组织和要分配的 MOS 代码的确定由战斗发展和整合副指挥官负责。
揭示基于缺陷设计的 MoS 2 共价网络的电子设备中的电荷传输机制
如超越摩尔定律和物联网设备。[2] 在过去的二十年里，人们投入了大量的研究精力来开发大规模生产 2DM 的新方法和策略，旨在实现质量、高通量和低成本之间的最佳平衡。[3] 溶液处理是实现高浓度和高体积 2DM 分散体（也称为“墨水”）的最有效方案；其中，液相剥离是一种有效的策略，可以将块状层状材料转化为分散在合适溶剂中的薄纳米片。[4] 这些墨水可以采用多种方法打印成薄膜，包括喷墨打印、丝网印刷和喷涂，[5] 从而促进 2DM 印刷电子的发展，其中低成本和大面积制造与器件性能同样重要。在这方面，人们对（光）电子学中二维半导体的兴趣日益浓厚，这导致了过渡金属二硫化物（TMD）的巨大成功。它们极其多样的物理化学性质确保了广泛的适用性，并通过使用分子化学方法的特殊功能化策略进一步扩展了其适用性。[6–11] 尽管如此，进展仍然受到结构缺陷的阻碍，这对
二维晶体沟道MOS晶体管结构的电荷特性
摘要 — 二维 (2D) 半导体晶体可用于进一步提高场效应晶体管的效率和速度。此类晶体管不受传统 MOS 晶体管在尺寸减小时产生的一些不利影响。本研究提出了以二维晶体为沟道的晶体管 MOS 结构模型，并研究了其电荷特性。在 MoSe 2 、WS 2 、WSe 2 、ZrSe 2 、HfSe 2 和 PtTe 2 等代表性二维晶体的电物理特性变化范围内对这些特性进行了数值模拟。发现了结构电物理参数通过化学势的自洽相关性，并证明了场电极电位和栅极绝缘体电容对它们的影响。对该晶体管结构的传输特性陡度与电压增益的计算表明，对于禁带宽度在0.25–2.1 eV范围内的过渡金属二硫属化合物（TMD）沟道，上述参数的幅度分别可达0.1 mA/V和1000。
200 毫米晶圆级集成高性能多晶 MoS 2 薄膜晶体管
在生长过程中，腔体压力和晶圆温度分别保持在 5.0 托和 800 o C。我们采用脉冲注入策略来调节二次成核并实现逐层生长模式。每个反应循环包括 2 分钟所有前体共注入，然后中断前体并清洗 1 分钟，循环时间为 3 分钟。通过五个生长循环获得了晶圆级多晶 MoS 2 薄膜；因此，总生长时间为 15 分钟。