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使用开尔文探针力显微镜阐明纳米级单层 MoS2 中的压电性和应变
摘要：应变工程改变了原子级薄过渡金属二硫化物光学和电子性质。二维材料中高度不均匀的应变分布很容易实现，从而能够控制纳米级的性质；然而，探测纳米级应变的方法仍然具有挑战性。在这项工作中，我们通过开尔文探针力显微镜和静电门控表征非均匀应变单层 MoS 2，将应变的贡献与其他静电效应隔离开来，并能够测量长度小于 100 纳米的二维应变张量的所有分量。这些方法的组合用于计算由压电效应产生的静电势的空间分布，提供了一种表征非均匀应变和压电性的强大方法，可以扩展到各种二维材料。关键词：二维材料、过渡金属二硫化物、应变、压电性、开尔文探针力显微镜
基于钼的钼（MOS2）柔性纳米生成器的最新进展：包容性评论
在新时代的能源消耗和结构随着物联网（IoT）和人工智能的增长而发生了变化，数十亿分散的小工具和传感器的功率来源在全球范围内引发了人们的注意以保护环境。由于不可再生能源的使用量增加以及由此产生的环境损害，研究人员正在研究可以利用环境的替代能源系统。因此，通过使用未充分利用的自然废物能源（NGS），可以使用自给自足的小型电子系统。所使用的Ma terials的特征对NGS的工作效果有重大影响。在这方面，二硫化钼（MOS 2）是一种2D材料，是当今讨论的化合物之一，因为它的出色特征使其在各种应用中都有用。已经发表了许多有关MOS 2材料的进步和实施的研究论文，但本文将提供深入的概述。它提供了2D MOS 2纳米材料的主要特性的介绍和解释，从当前状态，属性和各种合成过程开始。后来，审查集中于MOS 2应用和能量收获的CAPA能力，并根据2D MOS 2纳米复合材料进行了对压电，底压和热纳米生成剂的全面研究。
通过子频带光吸收
抽象过渡金属二甲化合物（TMD）分层半导体在光子，电子，光电和传感器设备的设计中具有巨大的潜力。然而，从近红外（NIR）到短波长红外（SWIR）的TMD的子频率光吸收不足以超出带隙极限。在此，我们报告说，MOS 2 /AU异质结构的子频率光响应可以通过所采用的电极制造方法进行牢固调节。我们在MOS 2 /AU异质结构中观察到多达60％的亚带gap吸收，其中包括杂交界面，其中通过溅射沉积应用了AU层。sub-Bandgap光的吸收大大增强是由于MOS 2和AU形成的平面腔。因此，可以通过改变MOS 2层的厚度来调整吸收光谱。在SWIR波长范围内的光电流增加，由于吸收增加而增加，这意味着可以从可见到SWIR的宽波长检测。我们还以1550 nm的激发波长达到了快速的光响应（〜150 µs）和高响应性（17 mA W -1）。我们的发现展示了一种使用金属电极工程的光学性质调制方法，并在宽带2D材料中实现SWIR光电进行。
高级PDNP@MOS2纳米复合材料，用于碱性培养基中有效的氧气进化反应
环保的期货。4 - 6电化学水分分割过程需要电力，这是通过太阳能电池板或风发电机生成的，这些电池被认为是可持续技术。水分分解涉及两个半细胞反应，其中一种是氢进化反应（她），另一个是氧气进化反应（OER）。在任何一种情况下，水分解都是一种非自发反应，并且伴随着外部能量的使用。但是，通过将电催化剂用作阴极或阳极，可以克服该能量屏障。7，它具有高能量屏障，与她相比，OER半细胞反应在动力学上迟钝，因此，由于缺乏有效的OER反应，不可能通过水分裂解最大的氢产生。为了提高OER半细胞反应动力学的效率，电催化剂在降低水分裂所需的过电位上具有很高的影响，因此可以降低激活能量。8 - 10个基于贵金属的电催化剂，例如Iridium（IRO 2）和ruthenium（Ruo 2），有效的活动，但是它们的稀缺性和成本限制了它们的大规模使用。低成本，简单和高稳定性电催化剂的发展将允许对水分解过程进行调整以扩大应用程序。因此，直接的重点放在非纯粹的电催化剂上，在过去20年中，对更多有效的电催化剂进行了积极的研究，这些电催化剂在其组成中具有最少的贵金属。3,11已研究了几种用于各种电化学应用的材料，包括导电聚合物，碳衍生物，金属氧化物和金属硫磺。尽管过渡金属氧化物，硫化物和导电聚合物具有氧化还原性能，但其工业应用受到其电容有限，低特异性C表面积和不良电导率的限制。5,12最近，储能和转换系统的开发是由金属硫磺的独特特征所构成的，包括它们的丰度，低成本，显着的电导率，高理论电容，易于理论，易于制备和环境友好。13，由于其独特的特征，例如富集的活性位点，较大的表面积和高离子电导率，人们对二维（2D）分层二分法源引起了极大的兴趣。14其中，由于其高电容，催化位点，地球丰度，成本效率和高电荷能力而受到了高度研究的钼de（MOS 2）。15与MOS 2一样，Mo原子位于三明治结构中的两个S原子之间。此外，MOS 2具有三个不同的晶体相，即三角形（1T），六边形（2H）和菱形（3R）。与MOS 2的其他两个阶段相比，2H相高度稳定。在MOS 2中，2H和3R相是半导体的材料，而1T相本质上是金属。热处理可以将3R相变为2H相。16 MOS 2中许多金属氧化态的前提使其成为氧化还原材料和电催化剂。17有证据表明，由于缺乏不饱和边缘作为主动部位和不良电导率的不饱和边缘，她的性能很差。18 - 20 MOS 2已被H 2 O治疗蚀刻，2118 - 20 MOS 2已被H 2 O治疗蚀刻，21
MOS2 A
过渡金属二分法因其特性和维度的独特结合而在纳米级的各种应用中进行了研究。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们结合了Boltzmann运输理论和绿色基于功能的T -Matrix方法，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明可以通过点缺陷的存在来充分解释与晶状体导热率的1 /t温度依赖性的强偏差。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减小两种材料中两种材料中序列Vmo≈v= 2s> v = 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低了外部（ADATOM）缺陷的降低。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的正常都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果没有强制，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
MSME是印度经济就业和发展的骨干。
会议始于活动的首席嘉宾吉祥仪式的吉祥灯光，印度政府财政部的国务卿Bhagwat Kishanrao Karad博士。Bhagwat Karad博士强调说：“ MSME在印度经济的发展中起着非常重要的作用。目前约有6.3千万的MSME企业在印度工作，并产生了约11.1亿的就业机会。大约30％的GDP来自MSME，每年的增长率为10％。”他进一步补充说：“在Hon'ble PM Narender Modi的领导下，印度政府积极主动地消除了中小企业的障碍，与银行业一起，我们努力使融资易于获得这些重要的企业的增长。”在Fireside聊天期间，Infosys的联合创始人兼董事长Nandan Nilekani先生说：“ SMES是数字公共基础设施（DPI）最大的受益人。印度正在建造公共步道，以获取信贷和市场受益的中小企业。超过5000万商人选择了数字付款方式。数字化帮助我们更快地生成资产负债表，因为所有财务细节，例如发票，交易，税收抵免都很容易获得。数字化还减少了周转时间以获得贷款。从基于抵押品的贷款模型转变为基于数据的贷款，这进一步帮助我们降低了银行的整体运营成本。在接下来的5年中，至少有50个国家将实施DPI。数字化还帮助供应商进行更快，更方便的付款，从而简化了MSME贷款流程。此外，数字平台还有助于满足中小企业客户的需求并为他们创造价值。”联邦银行执行董事Shalini Warrier女士在同一小组中表示：“过去，银行业务主要是手动进行的。近年来，数字技术在该行业中引起了重大的发展。著名的进步之一是在线的便利是通过UPI应用程序提供的QR码来付款。如今，大部分交易每天以数字方式发生，超过其他传统付款方式。”Thampy Koshy，ONDC首席执行官Matthew Saal，主要行业专家Matthew Saal，IFC和其他杰出的发言人讨论了市场在SME金融生态系统中的作用。 在信贷流，易于开展业务和市场便利性方面面临的关键问题也提到了通过使用数字技术来解决的。.最后，六个SME Finance Innovators展示了他们的技术，并解释了他们改变SME融资的潜力。 被邀请参与推销的金融科技是：360TF，Builder.ai，可信度，Shopup，topicus，uplinq Financial TechnologiesThampy Koshy，ONDC首席执行官Matthew Saal，主要行业专家Matthew Saal，IFC和其他杰出的发言人讨论了市场在SME金融生态系统中的作用。在信贷流，易于开展业务和市场便利性方面面临的关键问题也提到了通过使用数字技术来解决的。.最后，六个SME Finance Innovators展示了他们的技术，并解释了他们改变SME融资的潜力。被邀请参与推销的金融科技是：360TF，Builder.ai，可信度，Shopup，topicus，uplinq Financial Technologies
M1 MoSIG 2023-2024 研究项目
• 根据情况选择“Convention d'accueil” 或“Convention de stage” • 根据您的学生注册，在 Ensimag 或 UFR IM2AG • （详细信息和联系方式将很快提供）
使用Bcl3等离子体衍生的自由基对MOS2进行三维表面处理
ABSTRACT: The realization of next-generation gate-all-around field-effect transistors (FETs) using two-dimensional transition metal dichalcogenide (TMDC) semiconductors necessitates the exploration of a three-dimensional (3D) and damage-free surface treatment method to achieve uniform atomic layer-deposition (ALD) of a high-k dielectric film on the inert surface of a TMDC channel.这项研究开发了对MOS 2的BCl 3等离子体衍生的自由基处理，以使MOS 2表面功能化，以使超薄AL 2 O 3膜的随后ALD函数。微观结构验证证明，在平面MOS 2表面上大约2 nm厚2 O 3膜的覆盖范围，并使用从基板漂浮的悬浮的MOS 2通道确认了该技术对3D结构的适用性。密度功能理论计算由光学发射光谱和X射线光电子光谱测量值支撑，揭示了Bcl激进分子主要由BCL 3等离子体产生，并吸附在MOS 2上，并促进了Ultrathin Ald-Ald Ald-Ald 2 O 3膜的均匀成核。拉曼和单层MOS 2的光致发光测量以及底部门控的FET的电测量结果证实，由Bcl 3等离子体衍生的自由基治疗造成的可忽略不计。最后，证明了具有超薄ALD-Al 2 O 3（〜5 nm）栅极介电膜的顶部门控FET的成功操作，表明预处理的有效性。关键字：MOS 2，表面功能化，BCl 3等离子体，自由基，原子层沉积，高K介电
单层 MoSe2 中的激子-激子相互作用...
低阈值光学非线性的潜力在光子学和概念光学神经元网络领域引起了广泛关注。二维 (2D) 半导体中的激子在这方面尤其有前景，因为减少的屏蔽和维度限制会促进它们明显的多体相互作用以实现非线性。然而，对这些相互作用的实验测定仍然不明确，因为光泵浦通常会产生激子和未结合载流子的混合物，其中带隙重正化和载流子屏蔽对激子能量的影响相互抵消。通过比较单层 MoSe 2 光致发光光谱对激子基态和激发态能量的影响，我们能够分别识别中性激子和电荷载流子对库仑结合的屏蔽。当中性激子密度从 0 增加到 4 × 10 11 𝑐𝑚 −2 时，激子基态 ( A-1s ) 和激发态 ( A-2s ) 之间的能量差红移 5.5 meV，而电子或空穴密度增加时则发生蓝移。这种能量差变化归因于中性激子的库仑结合相互屏蔽，从中我们提取出激子极化率为 𝛼 2𝐷