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原子上薄的MOS 2的超快电子松弛动力学是
1化学，化学工程和生物技术学院，以及新加坡Nanyang Technological University的物理与数学科学学院，新加坡637371，新加坡
在抑制假性纳米结构的MOS2
伪电容剂是一类新兴的储能材料，在电池的能量密度与电动双层电容器的功率密度之间提供了有吸引力的折衷。降低电池材料的粒径和增加的表面积是引入假能映射行为和增加功率密度的常见方法。但是，在许多情况下，随着晶体尺寸的降低，还引入了未知范围的晶格障碍，因此很难解开大小和混乱对快速充电性能的相对贡献。在这项工作中，合成了一系列纳米结构的MOS 2结构，并具有不同的晶体大小和结晶度，以使大小和障碍对电荷/放电动力学的影响解散。通过总X射线散射实验和配对分布函数分析来量化每种材料中疾病的程度和类型。电化学表征，包括电静态速率能力，环状伏安法和各种动力学分析，用于证明既减小粒径又是引入晶格障碍都是增加电荷存储动力学的有效策略，并且效果是添加的。最后，Operando X射线衍射测量结果表明，可以使用大小和混乱抑制一阶LI互化诱导的相变，这是启用假能力电荷存储的关键特征。
通过原子级厚度 MoS 2 场效应晶体管的电测量进行尿酸检测的微流体方法
完整作者列表： Nasiruddin, Md；东北大学，化学 Waizumi, Hiroki；东北大学，化学系 Takaoka, Tsuyoshi；东北大学，先进材料多学科研究中心 Wang, Zhipeng；东北大学，化学 Sainoo, Yasuyuki；东北大学 - Katahira 校区，先进材料多学科研究中心 Mamun, Muhammad Shamim Al；库尔纳大学，化学 Ando, Atsushi；国家先进工业科学技术研究所，纳米电子研究所 FUKUYAMA, MAO；东北大学，先进材料多学科研究中心；Hibara, Akihide；东北大学，先进材料多学科研究中心 Komeda, Tadahiro；东北大学，先进材料多学科研究中心
使用PVD Magnetron溅射
摘要。摩擦学成分仅占整个航天器的一小部分，但它们通常会导致部分或完全破坏航天器的失败。空间应用中使用的机械组件必须承受极端和严重的环境条件，例如非常高或非常低的低温温度，高真空，腐蚀性元素和辐射。MOS 2是空间应用中使用最广泛的润滑材料。它具有层状结构，并在层内具有强大的共价键，同时又弱van der Wall的层间键，从而使晶体在平行于基础平面的方向上易于剪切，因此充当良好的固体润滑剂。在这项研究中，使用物理蒸气沉积（PVD）沉积了MOS 2的薄膜纳米尺度涂层。使用的PVD技术是RF磁控溅射过程。使用X射线衍射（XRD），场发射扫描电子显微镜（FESEM）和拉曼光谱进行材料表征。根据结果，开发的MOS 2纳米涂层具有多晶结构，其基础平面垂直于底物表面。
演讲tm：揭示糖基化和免疫之间的甜蜜真理，每个细胞的每个细胞都覆盖在一个简单而综合的层
演讲tm：揭示糖基化和免疫之间的甜蜜真理，每个细胞的每个细胞都被称为聚糖的简单且复杂的碳水化合物覆盖（图1A），其中大多数通过称为糖基化的过程与蛋白质或脂质绑定。这些细胞表面蛋白的巨大结构多样性，进化和丰度取决于细胞类型和状态，因此被认为是反映不同细胞特征的“细胞特征”（1,2）。已知糖基化与免疫系统的不同方面有关，例如T细胞生物学，对于T细胞受体（TCR）的激活和功能至关重要。 TCR是T细胞表面上的蛋白质，识别并结合了异物物质，例如病原体或毒素，在激活T细胞中起关键作用。 糖基化可以通过改变其构象和稳定性以及调节其与其他蛋白质的相互作用来影响TCR的激活和功能（3）。 已知 t细胞代谢受聚糖调节。 经历克隆膨胀或增殖的 T细胞需要改变代谢，以承受通过有氧糖酵解和谷氨酰胺溶解的核苷酸，氨基酸和脂质合成的生物能量需求的增加（4）。 t细胞活化还上调了葡萄糖代谢的一个成分的己糖胺途径，以增加核苷酸糖供体底物UDP-GlcNAC。 此途径是N-糖基化，O-glcnacylation和糖氨基氨基聚糖的产生所必需的，这是功能性T细胞的要求（5）。糖基化与免疫系统的不同方面有关，例如T细胞生物学，对于T细胞受体（TCR）的激活和功能至关重要。TCR是T细胞表面上的蛋白质，识别并结合了异物物质，例如病原体或毒素，在激活T细胞中起关键作用。糖基化可以通过改变其构象和稳定性以及调节其与其他蛋白质的相互作用来影响TCR的激活和功能（3）。t细胞代谢受聚糖调节。T细胞需要改变代谢，以承受通过有氧糖酵解和谷氨酰胺溶解的核苷酸，氨基酸和脂质合成的生物能量需求的增加（4）。t细胞活化还上调了葡萄糖代谢的一个成分的己糖胺途径，以增加核苷酸糖供体底物UDP-GlcNAC。此途径是N-糖基化，O-glcnacylation和糖氨基氨基聚糖的产生所必需的，这是功能性T细胞的要求（5）。糖基化也是可能影响蛋白质的免疫原性的一个因素，该因素受到多种因素的影响，包括其结构和抗原决定因素的存在。将糖添加到蛋白质中时，可能会改变蛋白质的形状和电荷，从而可能影响免疫系统识别为异物。这可能会影响免疫系统对疫苗产生抗体和记忆细胞产生抗体和记忆细胞的能力，从而影响其有效性。T细胞表面蛋白糖基化的变化也会影响细胞因子的产生，信号分子有助于协调免疫反应（6）。免疫系统必须能够区分自我和非自我，以便正常运行。此过程失败会导致自身免疫性疾病的发展。这可能导致一系列症状，具体取决于被攻击的组织。自我抗原的糖基化模式的变化可以改变其抗原决定因素，这可能会导致自身免疫性，如鼠模型中所观察到的那样（7,8）。
超氧化物歧化酶注入MoSe2单层光学特性
图 2：10 K 下注入 Cr 的 MoSe 2 ML 的 PL。 (a) 低 n 掺杂（V g = 0.8 V）下注入 Cr 的 MoSe 2 ML（红色曲线）的 PL 光谱，与原始 MoSe 2 ML（黑色）的 PL 光谱一起绘制。除了来自 MoSe 2 ML 的 X − 和 X 之外，注入 Cr 的样品还在 1.51 eV 左右显示出宽 D 峰。 (b) 激光功率范围为 36 nW 至 123 µ W 下注入 Cr 的 ML 的 PL 光谱。光谱已针对 X − 进行归一化。此处的样品在 V g = 0.8 V 时略微 n 掺杂。 (c) PL 的功率依赖性。最佳拟合线（虚线）及其标准偏差（线周围的阴影区域）与从 PL 光谱中提取的强度（点）一起绘制。除非明确说明，误差线小于数据点的大小。X − 和 X 与幂律 I ∝ P α 拟合，D 与方程 (1) 描述的饱和曲线拟合。(d) Cr 注入 MoSe 2 的时间分辨 PL。1/e 时间约为 14 纳秒。
乙腈前的微波驱动的2H-MOS2的微波驱动的去角质会产生具有异常高收率的大面积超薄薄片
摘要：2D材料在许多领域都显示出令人兴奋的特性，但是应用程序的开发受到低收益，高处理时间和当前去角质方法质量受损的障碍。在这项工作中，我们使用了MOS 2的出色MW吸收特性来诱导快速加热，从而产生吸附的，低沸点溶剂的近乎稳定性蒸发。突然的蒸发产生了内部压力，可以以高效率分离MOS 2层，并且通过分散溶剂的作用将其保持分离。我们的快速方法（90 s）给出了高度的高产（47％，在0.2 mg/ml时为47％，在1 mg/ml时为35％）高度脱落的材料（4层以下90％），大面积（高达几μm2）和优质的质量（未检测到显着的MOO 3）。关键字：钼二硫化物，过渡金属二盐元素（TMDC），微波驱动的去角质，大面积超薄片，高横向尺寸，高产量t
2D MOSI2N4作为Li -Air电池的电极材料
抽象的Li-Air电池是最重要的下一代电池之一。2D分层材料的开发丰富了液压电池的材料。在这项工作中，提出了对2d Mosi 2 N 4上Li原子的形象和能量的DFT研究。我们提出2D MOSI 2 N 4作为Li-Air电池的阳极和阴极材料的合适材料。2D MOSI 2 N 4的高元素电导率使它成为阳极的优势，而在2d Mosi 2 N 4上，Li 2 O 2生长的低屏障为其作为阴极材料带来了优势。LI负载的MOSI 2 N 4的最大容量预计为129 mAh/g。对于Li负载的MOSI 2 N 4，阳极电势在较大的LI载荷中稳定（相对于Li Bund）稳定（〜 -0.2 V）（Li％= 12〜75％）。作为阴极，在Li 2 O 2平板的生长过程中，开路阴极电势稳定（相对于Li Bulb的2.8 V）。我们的工作揭示了2D最大相的可能性（M是过渡金属，A是Al或Si，而X是C，N或两者兼而有权）作为金属空气电池材料。
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
与 MoS2 纳米带和纳米管量子点的非破坏性低温接触
这里，我们展示了透明导电和半规则库仑阻塞，可通过施加栅极电压进行调节，即使在超低温（T 基区 ≃ 15 mK）实验中也是如此。这是基于最近的发现，即可以使用半金属铋实现与平面 MoS 2 的室温欧姆接触：[38] 由于费米能级钉扎是由界面处金属和半导体态的杂化引起的，[39] 降低费米能级附近的接触态密度违反直觉地实现了可调谐性和透明导电。虽然（可能是基板引起的）无序仍然存在，但我们的数据表明接触处明显没有电荷陷阱，并且接触电阻很低。这代表着接触质量的显着改善。在低温极限 T ≤ 100 mK，我们观察到单能级传输的迹象。