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MoS2堆叠纳米片场效应晶体管的模拟
根据2021年国际器件与系统路线图（IRDS），环栅晶体管（GAA）将从3nm技术节点开始取代FinFET，并应用于1nm技术节点。下一步，尺寸缩小的目标不仅是降低漏电，更重要的是降低功率，而包括三维异质集成在内的三维垂直架构将成为降低功耗的主流技术。要延续摩尔定律，不仅需要通过器件尺寸缩小来提高电路集成度，还需要降低功率和提高开关速度。堆叠式NSFET具有更好的静电完整性、短沟道免疫力，因此具有更好的功率缩放性能，是未来亚3nm技术节点的有希望的候选者[1−3]。
通过原位NH3掺杂改善了MOS2 FET的性能...
到3。 56×10 6，阈值电压从 - 0移动。 74 V至 - 0。 12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。 改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。 此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。 报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。到3。56×10 6，阈值电压从 - 0移动。74 V至 - 0。12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。
低温加热银介导的 MoS2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过
低温加热银介导的 MoS 2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过
通过使用薄 MoS2 纳米片和与钙钛矿结合的分子的组合进行界面改性，实现高效、弯曲耐用的柔性钙钛矿太阳能电池
在本研究中，通过用 1-十二硫醇 (DT) 改性钙钛矿薄膜表面，然后将预分散的 MoS 2 薄纳米片滴铸，获得了高效、耐弯曲的柔性钙钛矿太阳能电池。我们的结果表明，界面改性后柔性器件的效率有所提高，并表明 DT 和 MoS 2 改性器件在 300 次弯曲循环后完全恢复其初始 PCE 和 FF、电流密度和开路电压值，而标准器件的 PCE 仅为其 PCE 的 50%。按照未封装器件的标准光循环协议，结果显示标准器件的 PCE 明显下降至其最大值的 32%，而改性器件可恢复其最高 PCE 值的 95%。不同的表征方法表明表面改性方法会诱导疏水性并显着降低界面陷阱密度。
双层MOS2的双轴与单轴应变调谐
应变工程已成为一种强大的技术，可以调整二维半导体（如钼二二二硫化物）的电子和光学特性（MOS 2）。尽管几项理论作品预测双轴菌株比单轴菌株更有效，以调整MOS 2的带状结构，但文献中仍缺少直接的实验性验证。在这里，我们实施了一个简单的实验设置，该设置允许通过弯曲十字形聚合物底物施加双轴应变。我们使用该设置来研究双轴菌株对12个单层MOS 2平流的差异反射光谱的影响，以40 MEV/％和110 MeV/％的双轴张力介绍了激子特征的红移。我们还直接比较了双轴和单轴应变对同一单层MOS 2发现的效果，即双轴应变量表因子是单轴菌株1的2.3倍。
获得具有原子阈值的MOS2晶体管 -
基本的玻尔兹曼限制决定了子阈值摇摆（SS）的最终限制为60 mV dec -1，这阻止了供应电压的持续扩展。具有原子较薄的身体，2D半导体为高级低功率电子设备提供了新的可能性。在此，通过将原子量表的抗性金属集成与常规MOS 2晶体管相结合，表明超低SS在房间温度下以低于1 mv的12 dec-1来表明，超高斜率的MOS 2电阻式晶体管晶体管（RG-FET）通过将原子尺度抗性的细节整合在一起。纳米抗抗性的光膜的突然电阻过渡可确保门电势的急剧变化，并切换设备，并导致超强的SS。同时，RG-FET表现出高度/效率为2.76×10 7，具有出色的可重复性和可靠性。使用超级SS，可以轻松地使用RG-FET来构建具有超高增益2000的逻辑逆变器，这表明未来的低功率电子设备和单片整合的令人兴奋的潜力。
理解 MoS2 基面活化的物理模型
本报告是由美国政府某个机构资助的工作报告。美国政府或其任何机构、其雇员、承包商、分包商或其雇员均不对所披露信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或任何第三方的使用或此类使用结果做任何明示或暗示的保证，或承担任何法律责任或义务，或表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务，并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构、其承包商或分包商对其的认可、推荐或支持。本文表达的作者的观点和意见不一定代表或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
电荷密度波在Tise2 – Mose2异质结构中激活激活的激活激活的激活激活的激活激活的激活的激活的激活
分层材料可以组装新类的异质结构，其中不再需要晶格匹配。界面成为未开发物理的肥沃地面，因为可以通过接近效应耦合不同的现象。在本文中，当Mose 2与Tise 2相互作用时，我们确定了意外的光致发光（PL）峰。一系列依赖温度依赖性和空间分辨的PL测量结果表明，与中性激子相比，该峰是Tise 2 - Mose 2界面所独有的，能量更高，并且具有激子样特性。该特征在Tise 2电荷密度波转变下消失，这表明密度波在这种新激子的形成中起着重要作用。我们提出了有关该峰的起源的几个合理的方案，这些方案单独捕获了我们观察的某些方面，但无法完全解释此功能。因此，这些结果代表了理论社区的新挑战，并通过与电荷密度波的相互作用来设计一种令人着迷的方法来设计激子。©2022作者。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1063/5.0067098
一步低温MOS2和WS2薄膜的硫化工程
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