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通过Alo X盖限制了双层Mose 2场效应晶体的电流密度和接触电阻
摘要：对未来电子应用的原子较薄的半导体对单层（1L）硫属（例如MOS 2）（例如化学蒸气沉积（CVD）生长）非常关注。然而，关于CVD生长的硒的电性能，尤其是Mose 2的报告很少。在这里，我们比较了CVD生长的1L和BiLayer（2L）Mose 2的电性能，并由子材料计的ALO X封顶。与1L通道相比，2L通道表现出约20倍较低的接触电阻（R C）和〜30倍的电流密度。r c通过ALO X封盖进一步降低> 5×，这可以提高晶体管电流密度。总体而言，2L ALO X盖的Mose 2晶体管（约500 nm的通道长度）可提高电流密度（在V DS = 4 V时约为65μM /μm），良好的I ON / I ON / I ON / I ON / I OFF> 10 6，R C为约60kΩ·μm。 1L设备的性能较弱是由于它们对处理和环境的敏感性。我们的结果表明，在不需要直接带隙的应用中，2L（或几层）比1L更可取，这是对未来二维电子产品的关键发现。关键字：丙象钼，单层，双层，接触电阻，晶状体效应晶体管，氧化物封盖，掺杂，2D半导体
Moiré-type I型和II型频带对准的Moiré-tanble定位在Mose 2 /ws 2 Heterobilayer Jiaxuan Guo 1，Zachary H. Withers 2,3，< /div>
摘要：可以通过扭曲角度精确控制的空间变化带对齐和电子和孔定位的Moiré杂波，已经成为研究复杂量子现象的令人兴奋的平台。虽然大多数过渡金属二甲化元素（TMD）的异质分子具有II型带对齐，但引入I型带比对可以实现更强的轻度耦合和增强的辐射发射。在这里，我们通过第一原则GW和贝尔特萨蛋白方程（GW-BSE）的计算以及时间和角度解决的光发射光谱（TR-ARPES）测量的结合，与先前的理解相反，与先前的理解相反，MOSE 2 /WS 2杂波在大型型号和类型IS型构建型和同样的区域均与II的类型II型构建型和相似的区域相反。在不同的高对称区域中以小扭曲角度重建。在Tr-arpes中与我们的计算一致，仅在摩西2中观察到长寿命的电子种群，对于具有较大扭曲角的样品，而在具有小扭曲角的样品中，观察到来自两个不同长寿命的激子的信号。此外，尽管这两层的传导带几乎是堕落的，但仍未发生激发杂交，这表明先前观察到的这种材料中的吸收峰来自晶格的重建。我们的发现阐明了Mose 2 /ws 2异质结构中的复杂能量景观，其中I型和II型带对齐的共存为Moiré-Tonable可调光电设备打开了带有内在的侧面异质结的门。
II 型二维异质结构中层间共振能量转移的主导作用
图 1. (a) 单层 (1L) MoSe 2 和 ReS 2 晶体结构。上图显示晶体结构的侧视图，下图显示晶体结构的顶视图。侧视图显示了这些层状材料上偶极子平面内取向的示意图。(b) 样品 1 (S1) 的 ReS 2 -MoSe 2 异质结构的光学图像。插图是样品侧视图的示意图。(c) MoSe 2 、ReS 2 和 HS 区域的拉曼光谱。HS 拉曼光谱由来自各个 1L 区域的不同振动模式组成。(d) 在透明蓝宝石基板上制作的类似异质结构的三个不同区域的吸收光谱数据（样品 2，S2）。MoSe 2 A 和 B 激子峰清晰可见，ReS 2 较低能量吸收峰用箭头标记。HS 光谱由两个 1L 区域的峰组成。
在II类型中主导层间谐振能量转移...
图1。（a）单层（1L）Mose 2和Res 2晶体结构。顶部面板显示侧视图，底部面板显示了晶体结构的顶视图。侧视图显示了这些分层材料中偶极子的面内方向的示意图。（b）样品1（S1）的Res 2 -Mose 2异质结构的光学图像。插图是样本侧视图的示意图。（c）来自Mose 2，Res 2和HS区域的拉曼光谱。HS拉曼光谱由单个1L区域的不同振动模式组成。（d）在透明蓝宝石基板上制成的类似异质结构的三个不同区域的吸收光谱数据（样品2，S2）。Mose 2 A和B兴奋峰清晰可见，RES 2用箭头标记较低的能量吸收峰。HS光谱由两个1L区域的峰组成。
超氧化物歧化酶注入MoSe2单层光学特性
图 2：10 K 下注入 Cr 的 MoSe 2 ML 的 PL。 (a) 低 n 掺杂（V g = 0.8 V）下注入 Cr 的 MoSe 2 ML（红色曲线）的 PL 光谱，与原始 MoSe 2 ML（黑色）的 PL 光谱一起绘制。除了来自 MoSe 2 ML 的 X − 和 X 之外，注入 Cr 的样品还在 1.51 eV 左右显示出宽 D 峰。 (b) 激光功率范围为 36 nW 至 123 µ W 下注入 Cr 的 ML 的 PL 光谱。光谱已针对 X − 进行归一化。此处的样品在 V g = 0.8 V 时略微 n 掺杂。 (c) PL 的功率依赖性。最佳拟合线（虚线）及其标准偏差（线周围的阴影区域）与从 PL 光谱中提取的强度（点）一起绘制。除非明确说明，误差线小于数据点的大小。X − 和 X 与幂律 I ∝ P α 拟合，D 与方程 (1) 描述的饱和曲线拟合。(d) Cr 注入 MoSe 2 的时间分辨 PL。1/e 时间约为 14 纳秒。
scaps mose2太阳能电池的数值设计...
T. A. Chowdhury *，R.B。Arif，H。Israq，N。Sharmili，R。S. Shuvo电气与电子工程系，孟加拉国达卡Ahsanullah科学技术大学。太阳能电池电容模拟器（SCAPS-1D）已用于模拟，设计和分析Mose 2，这是一种有吸引力的过渡金属二甲藻元化物（TMDC）材料，基于基于的杂项结构太阳能电池，将其用作用于溶胶电池中常规吸收层的潜在替代方法。这项工作还着重于寻找最佳的吸收剂，缓冲层的厚度以及工作温度对太阳能电池性能的影响，并可能替代有毒的CDS缓冲层。已经获得了Mose 2吸收层的最佳厚度为1 µm，缓冲层约为0.04 µm。用基于CD的缓冲层太阳能电池获得的效率为20.21％。在不同的缓冲层中，例如在2 s 3，ZnO，Znos和Znse中，基于Mose 2的太阳能电池获得的最高效率为20.58％，ZnO缓冲层层为20.58％。基于ZnO缓冲液的太阳能电池的温度梯度为-0.355％/K，而基于CDS缓冲液的太阳能电池为-0.347％/k。这项工作的发现提供了重要的指导，以制造具有无毒ZnO作为潜在缓冲层的高效Mose 2薄膜太阳能电池。2023年11月29日收到；公认的2024年2月15日）关键字：Mose 2，Scaps-1d，太阳能电池，缓冲层，温度，效率
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
H2 在底物导向合成尺寸...中的作用
摘要：最近对过渡金属二硫属化物 (TMD) 纳米带的研究促进了这些尺寸受限晶体的受控生长合成策略的发展。我们展示了在由用磷化氢处理的 Si(001) 组成的设计表面上生长的 MoSe 2 纳米带的宽度控制合成。调节载气流中的 H 2 分压可以将纳米带宽度调整到 175 nm 到近 500 nm 之间。实验和模拟表明，H 2 暴露增加了 Si-P 二聚体上氢的表面覆盖率，而 Si-P 二聚体通常是纳米带成核和生长的有利区域。此外，MoSe 2 纳米带表现出异常光致发光蓝移，其幅度为 60 meV，与 MoS 2 纳米带的光发射光谱中报道的幅度相似。这些研究表明，最近开发的纳米带的基底定向生长策略可以扩展到硒化物系列 TMD。此外，它们扩展了制备复杂 TMD 异质结构的合成基础，而这种结构是光学和量子传感器、换能器和处理器所必需的。关键词：过渡金属二硫属化物、纳米带、MoSe 2 、表面、光致发光、激子■ 简介
2D材料研究的相关共聚焦拉曼显微镜
图5的所有测量结果均由奈杰尔·麦克维（Nigel McEvoy）及其同事（都柏林三一学院）玛丽亚·奥布莱恩（Maria O’Brien）进行了销售。低频频谱表明1L Mose 2在此范围内没有拉曼峰（图5A）。随着层数增加的SM和LBM峰的增加，位置和强度的变化。 加速，在拉曼图像中，光学图像中似乎是最薄的薄片（图5B）几乎是看不见的，而较厚的材料可以通过其拉曼模式来检测（图5C）。 层堆叠的类型还会影响拉曼峰的强度和位置。 在稳定的，半导体的Mose 2中，具有三角棱镜协调性，单个层可以在两个称为h和r堆叠的两个方面组合。 这些所谓的多型不能在光学中彼此区分随着层数增加的SM和LBM峰的增加，位置和强度的变化。加速，在拉曼图像中，光学图像中似乎是最薄的薄片（图5B）几乎是看不见的，而较厚的材料可以通过其拉曼模式来检测（图5C）。层堆叠的类型还会影响拉曼峰的强度和位置。在稳定的，半导体的Mose 2中，具有三角棱镜协调性，单个层可以在两个称为h和r堆叠的两个方面组合。这些所谓的多型不能在光学
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。