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多层2H-mose2
激子的基本特性取决于库仑结合的电子和孔的自旋，山谷，能量和空间波形。在范德华材料中，这些属性可以通过层堆叠配置进行广泛设计，以创建具有静态平面外电偶极子的高度可调的层间激子，以牺牲振动性内置偶极偶极子的强度，负责轻度降低光线的振动。在这里我们表明，双层和三层2H-Mose 2晶体中的层间激子与地面（1 s）和激发态（2 s）的电端驱动耦合（2 s）。我们证明，这些独特的激子物种的杂种状态可提供强大的振荡力强度，大型永久性偶极子（高达0.73±0.01 ENM），高能量可调性（高达〜200 meV）以及对旋转和山谷特征的完全控制，因此激子G型可以在较大的范围内操纵ICKITON G-ICTOR。此外，我们观察到双层和三层激发态（2 s）互层激元及其与内部激子态（1 s和2 s）的耦合。我们的结果与具有自旋（层）选择性和超越标准密度功能理论计算的耦合振荡器模型非常吻合，促进了多层2H-MOSE 2作为一个高度可调的平台，可探索与强光相互作用相互作用的Exciton-Exciton相互作用。
Moiré-type I型和II型频带对准的Moiré-tanble定位在Mose 2 /ws 2 Heterobilayer Jiaxuan Guo 1，Zachary H. Withers 2,3，< /div>
摘要：可以通过扭曲角度精确控制的空间变化带对齐和电子和孔定位的Moiré杂波，已经成为研究复杂量子现象的令人兴奋的平台。虽然大多数过渡金属二甲化元素（TMD）的异质分子具有II型带对齐，但引入I型带比对可以实现更强的轻度耦合和增强的辐射发射。在这里，我们通过第一原则GW和贝尔特萨蛋白方程（GW-BSE）的计算以及时间和角度解决的光发射光谱（TR-ARPES）测量的结合，与先前的理解相反，与先前的理解相反，MOSE 2 /WS 2杂波在大型型号和类型IS型构建型和同样的区域均与II的类型II型构建型和相似的区域相反。在不同的高对称区域中以小扭曲角度重建。在Tr-arpes中与我们的计算一致，仅在摩西2中观察到长寿命的电子种群，对于具有较大扭曲角的样品，而在具有小扭曲角的样品中，观察到来自两个不同长寿命的激子的信号。此外，尽管这两层的传导带几乎是堕落的，但仍未发生激发杂交，这表明先前观察到的这种材料中的吸收峰来自晶格的重建。我们的发现阐明了Mose 2 /ws 2异质结构中的复杂能量景观，其中I型和II型带对齐的共存为Moiré-Tonable可调光电设备打开了带有内在的侧面异质结的门。
si-mose2中的室温山谷选择性排放...
1 Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States 2 Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Fiber Sensing and Communications, Institute of Photonics Technology, Jinan University, 510632, Guangzhou, China 3 The Molecular Foundry, L awrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, United States 4 Department of Chemistry,斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学94305，美国5机械工程系，斯坦福大学，斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学94305，美国6美国6号施用物理系，斯坦福大学，加利福尼亚州斯坦福大学，加利福尼亚州94305，美国7 Marvell Technology，Marvell Technology，Inc.，Inc。 9美国斯坦福大学斯坦福大学放射学系94305，美国
scaps mose2太阳能电池的数值设计...
T. A. Chowdhury *，R.B。Arif，H。Israq，N。Sharmili，R。S. Shuvo电气与电子工程系，孟加拉国达卡Ahsanullah科学技术大学。太阳能电池电容模拟器（SCAPS-1D）已用于模拟，设计和分析Mose 2，这是一种有吸引力的过渡金属二甲藻元化物（TMDC）材料，基于基于的杂项结构太阳能电池，将其用作用于溶胶电池中常规吸收层的潜在替代方法。这项工作还着重于寻找最佳的吸收剂，缓冲层的厚度以及工作温度对太阳能电池性能的影响，并可能替代有毒的CDS缓冲层。已经获得了Mose 2吸收层的最佳厚度为1 µm，缓冲层约为0.04 µm。用基于CD的缓冲层太阳能电池获得的效率为20.21％。在不同的缓冲层中，例如在2 s 3，ZnO，Znos和Znse中，基于Mose 2的太阳能电池获得的最高效率为20.58％，ZnO缓冲层层为20.58％。基于ZnO缓冲液的太阳能电池的温度梯度为-0.355％/K，而基于CDS缓冲液的太阳能电池为-0.347％/k。这项工作的发现提供了重要的指导，以制造具有无毒ZnO作为潜在缓冲层的高效Mose 2薄膜太阳能电池。2023年11月29日收到；公认的2024年2月15日）关键字：Mose 2，Scaps-1d，太阳能电池，缓冲层，温度，效率
单层 MoSe2 中的激子-激子相互作用...
低阈值光学非线性的潜力在光子学和概念光学神经元网络领域引起了广泛关注。二维 (2D) 半导体中的激子在这方面尤其有前景，因为减少的屏蔽和维度限制会促进它们明显的多体相互作用以实现非线性。然而，对这些相互作用的实验测定仍然不明确，因为光泵浦通常会产生激子和未结合载流子的混合物，其中带隙重正化和载流子屏蔽对激子能量的影响相互抵消。通过比较单层 MoSe 2 光致发光光谱对激子基态和激发态能量的影响，我们能够分别识别中性激子和电荷载流子对库仑结合的屏蔽。当中性激子密度从 0 增加到 4 × 10 11 𝑐𝑚 −2 时，激子基态 ( A-1s ) 和激发态 ( A-2s ) 之间的能量差红移 5.5 meV，而电子或空穴密度增加时则发生蓝移。这种能量差变化归因于中性激子的库仑结合相互屏蔽，从中我们提取出激子极化率为 𝛼 2𝐷
超氧化物歧化酶注入MoSe2单层光学特性
图 2：10 K 下注入 Cr 的 MoSe 2 ML 的 PL。 (a) 低 n 掺杂（V g = 0.8 V）下注入 Cr 的 MoSe 2 ML（红色曲线）的 PL 光谱，与原始 MoSe 2 ML（黑色）的 PL 光谱一起绘制。除了来自 MoSe 2 ML 的 X − 和 X 之外，注入 Cr 的样品还在 1.51 eV 左右显示出宽 D 峰。 (b) 激光功率范围为 36 nW 至 123 µ W 下注入 Cr 的 ML 的 PL 光谱。光谱已针对 X − 进行归一化。此处的样品在 V g = 0.8 V 时略微 n 掺杂。 (c) PL 的功率依赖性。最佳拟合线（虚线）及其标准偏差（线周围的阴影区域）与从 PL 光谱中提取的强度（点）一起绘制。除非明确说明，误差线小于数据点的大小。X − 和 X 与幂律 I ∝ P α 拟合，D 与方程 (1) 描述的饱和曲线拟合。(d) Cr 注入 MoSe 2 的时间分辨 PL。1/e 时间约为 14 纳秒。
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
电荷密度波在Tise2 – Mose2异质结构中激活激活的激活激活的激活激活的激活激活的激活的激活的激活
分层材料可以组装新类的异质结构，其中不再需要晶格匹配。界面成为未开发物理的肥沃地面，因为可以通过接近效应耦合不同的现象。在本文中，当Mose 2与Tise 2相互作用时，我们确定了意外的光致发光（PL）峰。一系列依赖温度依赖性和空间分辨的PL测量结果表明，与中性激子相比，该峰是Tise 2 - Mose 2界面所独有的，能量更高，并且具有激子样特性。该特征在Tise 2电荷密度波转变下消失，这表明密度波在这种新激子的形成中起着重要作用。我们提出了有关该峰的起源的几个合理的方案，这些方案单独捕获了我们观察的某些方面，但无法完全解释此功能。因此，这些结果代表了理论社区的新挑战，并通过与电荷密度波的相互作用来设计一种令人着迷的方法来设计激子。©2022作者。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1063/5.0067098
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政府和企业通常有经过不同审批级别的申请表。多年来，尽管其中许多表格已经数字化，但它们的成本始终很高，通常需要数月才能实施，而且每次都有失败的风险、指导委员会和营销成本。在试图自动化表格处理的系统上推出的服务仅有十几项（例如MITCI SMAP 移动应用程序、EDB 电子许可）。该项目旨在改变这一现状。
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言