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超薄2D Mote2用于电子传输材料...
随着功率转化效率的快速进展，钙钛矿太阳能电池（PSC）表现出巨大的潜力，因为下一代低成本，有效的太阳能电池设备。超薄的纯净和broded的Mote 2单层材料是钙钛矿太阳能电池应用中替代电子传输材料的有前途的候选物。基于流行的密度功能理论（DFT），使用投影仪增强平面波（PAW）计算了这些材料的电子特性。使用Pardew-Burkeernzerhof广义梯度近似（PBE-GGGA）计算这些特性。使用完全相对论的自旋轨道耦合（SOC）确定了所考虑材料的带状结构。我们的结果表明，纯和BR掺杂的2D-MOTE 2是N型半导体，直接带隙能量分别为1.01和1.21 eV。提供了材料的光学特性，例如相对介电常数，传输和反射率。使用这些属性，使用1-D太阳能电池电容模拟器（SCAPS-1D）软件来设计基于单层纯和BR掺杂的Mote 2作为电子传输层（ETL）的太阳能电池。这些细胞的最大效率为13.121％，V OC为1.067 V和1.186 V，J SC的V OC为21.678 Ma/cm 2和25.251 MA/CM 2，而FF的FF为56.720％和56.720％和80.139％的FF，以及80.139％的纯度和80.139％的纯度和BR-pure and Br-doped Ets。我们的太阳能电池的性能与传统的基于SI的太阳能电池相媲美。结果显示了单层纯和掺杂的MOTE 2如何用作钙钛矿太阳能电池的合适ETL材料。
通过电子照射和退火刺激的单层MOTE2中的相变
在二维（2D）过渡金属二进制基因元素（TMDS）之间，由于半导体H相和金属1T' - 相之间的自由能差异很小，因此对阶段工程应用进行了预测。同时，源于半导体H-MOTE 2通过MO 6 TE 6纳米线到立方钼的单层中的点缺陷的完整图片尚未报道，这是本研究的主题。在球形和色差校正的高分辨率高分辨率透射电子显微镜和 /或受到高温时，在单层H-MOTE 2中发生的相变的发生相变是由40 - 80 kV电子引发的。我们分析了40 kV和80 kV的电压下的损伤横截面，并将结果与其他TMD的先前发表的值相关联。然后，我们证明了电子束照射提供了一条途径，可以将独立的单层H-MOTE 2转换为一维（1D）MO 6 TE 6纳米线。将实验数据与第一个原理计算的结果相结合，我们通过电子光束诱导的能量转移，原子弹性和吸收吸收的相互作用来解释MOTE 2单层和MO 6 TE 6纳米线的转换。此外，将电子照射产生的效果与在真空中的原位退火产生的效果进行了比较，直到在约1000°C的温度下获得纯钼晶体，对高温固体到固体相变的详细理解可以为2D极限提供该材料的洞察力。
研究Mote2场效应晶体管中的电荷陷阱
抽象的二维基于材料的现场效应晶体管有望在电子和光电应用中使用。但是，晶体管中存在的陷阱状态已知会阻碍设备性能。他们在通道中捕获 /释放载体，并导致转移特征的滞后。在这项工作中，我们在两个不同的栅极介电介质SIO 2和H-BN上制造了MOTE 2场效应的晶体管，并研究了温度依赖性的电荷捕获行为在其传递曲线中的滞后。我们观察到，带有Sio 2后挡栅介电的设备受Sio 2绝缘子陷阱和MOTE 2的影响，后者在310 K以上的温度下变得突出。在传导带边缘以下389 MEV处的捕获能级。从发射电流瞬态测量中观察到了传导带边缘以下396 MeV的类似能级。从以前的计算研究中，我们预计这些陷阱状态将成为柜员的空缺。我们的结果表明，可以通过仔细选择栅极绝缘体来减少MOTE 2处效应晶体管中的电荷陷阱，从而为设备制造提供指南。
在半导体单层Mote2
摘要：电子系统与晶格振动的耦合及其时间有关的控制和检测提供了对半导体非平衡物理学的独特见解。在这里，我们研究了使用宽带光泵 - 探针显微镜封装的半导体单层2 h -mote 2的超快瞬态响应。低于40 fs泵脉冲在A'和B'激子共振的光谱区域中极度强烈且长寿的连贯振荡，这是由于最大瞬态信号的约20％，这是由于平面外A 1G语音的位移激发。从头算计算揭示了由平面外拉伸和晶体晶格的压缩诱导的单层MOTE 2的光吸收的重排，与A 1G型振动一致。我们的结果强调了单层TMD对小结构修饰的光学特性的极端敏感性及其用光操纵。关键字：连贯的声子，激子，超快光谱，过渡金属二分法，二维材料，单层，Mote 2 E
基于二维 MoTe2 纳米结构的非挥发性光电晶体管
低维材料表现出奇特的物理特性。其中，过渡金属二硫属化物 (TMDs) 层状半导体材料，例如 MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 、WSe 2 、WTe 2 和 PdSe 2，作为后硅时代的可能候选材料而备受关注 [1]。这些二维 TMD 纳米材料的单层 [2] 作为半导体，表现出高效的光吸收率，从而可制成高响应度的光电探测器 [3]。TMD 的主要技术特性以 MX2 形式呈现。其中，M 是由六边形排列的原子组成的薄片，堆叠在两层 X 原子之间。这些晶体的三层被弱范德华力夹住，导致块状晶体分离为单个二维薄片 [4]。相邻三层之间缺乏共价键，导致2D TMD 薄片中悬挂键短缺。
通过模拟引导 CVD 碲化实现 MoTe2 纳米片的大面积生长和相选择
在二维材料中，过渡金属二硫属化物 (TMD) 因其优异的性能而备受关注。[1,2] TMD 的化学式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属原子（例如 Mo、W），X 代表硫属原子（例如 S、Se、Te）。[2,3] 与其他 TMD 相比，二碲化钼 (MoTe 2 ) 因其工艺可调的同素异形相，即金属 1T' 和半导体 2H 相，最近引起了强烈的研究兴趣。 [4,5] 1T'相具有正交结构，也是获得优异拓扑性质的前兆阶段，并且在单层和多层水平上作为量子自旋霍尔效应的宿主以及在单斜 T d 相中作为原始 1T'相的低温畸变而出现的 II 型 Weyl 半金属态具有特殊的意义。[6,7] 随着厚度的减小，MoTe 2 表现出从间接到直接的带隙跃迁，而其带隙相对其他 TMD 较低 [8,9]，范围从块体的 0.8 eV 到单层极限的 1.1 eV。[10] 此外，由于 1T'-MoTe 2 的电导率远高于 2H 相，1T'相在固态电池电极、电化学电容器和氢析出反应方面很有前景。 [11] 另一方面，2H-MoTe 2 由于其带隙小、吸附性强、热导率低等特点，在纳米技术中具有作为二维层状材料的潜力。[10,12] 由于两种同素异形相之间的能量差异很小，MoTe 2 成为研究相变特性的独特模型材料，具有许多相关应用，如微电子领域的二维非挥发性存储器件和忆阻器。[13,14] 此外，由于 2H-MoTe 2 具有高载流子迁移率、光学透明性、薄结构和化学稳定性，它是场效应晶体管、光电子学、储能、化学和生物传感等应用的合适候选材料。[15,16] 作为一种有前途的材料，清晰的理解和可重复的生长方法对于将 MoTe 2 从实验室水平提升到生产水平至关重要。传统上，可以通过机械剥离、物理
无光刻的高密度Mote2纳米替宾阵列
茎特征：茎样品是通过直接转移方法制备的。首先，将TEM网格（Quantifoil Cu网格）直接放在带有MOTE 2丝带的SIO 2基板上。然后将液压（3μL）的KOH溶液（25％）滴在TEM网格的边缘，并扩散到该网格的底面，以蚀刻SIO 2层。之后，将带有TEM网格的SIO 2基材滴入DI水中以去除KOH残留物。最后，将TEM网格用镊子夹住，并放在滤纸上干燥。茎图像是在配备了高级茎校正器（ASCOR）探针校正器的一个像差校正的JEOL ARM-200F上进行的，该探针校正器以80 kV的加速电压运行。
由静电掺杂驱动的单层MOTE2中的结构相变
过渡金属二盐元化（TMDS）的单层表现出许多具有不同结构，对称性和物理特性1-3的晶体相。在二维4中探索这些不同的结构阶段之间的过渡物理学可能会提供一种切换材料特性的方法，这对潜在的应用有影响。由热或化学方法5,6诱导；最近提出，通过静电掺杂对晶体相纯粹的静电控制是一种理论上的可能性，但尚未实现7,8。在这里，我们报告了单层钼二硫代硫醇的六边形和单斜阶段之间静电掺杂驱动的相变的实验证明（Mote 2）。我们发现相变显示了拉曼光谱中的滞后环，并且可以通过增加或降低栅极电压来逆转。我们还将第二谐波生成光谱与极化分辨的拉曼光谱结合在一起，以表明诱导的单斜相保持原始六边形相的晶体取向。此外，这种结构相变于整个样品同时发生。这种结构相变的静电掺杂控制为基于原子薄膜开发相变设备的新可能性开辟了新的可能性。分层TMD中通常研究的晶体形式是最稳定的六边形（2H）相。在这种情况下，如图有趣的是，实验研究报道了另一种分层晶体结构，即单斜（1T'）相。1a，每个单层由一层六角形的过渡金属原子组成，并将其夹在两个层的chalcogen原子1之间。与散装形式不同，单层2H TMD成为直接带隙半导体和断裂反转对称性，在布里远区域9,10的角落形成了不等的山谷。这种山谷的自由度，以及在低维度中的强烈激子效应，使该阶段成为二维谷LeTronics和Optoelectronics 11-13的独特平台。在这里，在每个层中，丘脑原子在过渡金属原子周围形成一个八面体配位，沿y轴14的晶格失真（图1b）。与半导体2H相不同，半金属或金属1T'单层TMDS保留反转对称性，预计将表现出非平凡的拓扑状态2,3。2H和1T'相之间过渡的动态控制可以揭示不同晶体结构的竞争，共存和合作，以及不同的物理特性之间的相互作用15。这种控制还导致广泛的设备应用，例如记忆设备，可重新配置的电路和拓扑晶体管在原子上较薄的限制为2,16,17。到目前为止，通过在500°C下的热合成进行了实验报告TMD中的2H到1T'相变（参考5），通过元素取代18和激光照射19。但是，这些相变仅在几层或
数字显示系统 (DDS) - MoTeC
显示 DDS 使用高对比度反射式 LCD 屏幕，该屏幕经过定制设计，可在直射阳光和人造光下轻松观看，并配有可选的可调节背光，可在弱光或夜间条件下实现最大可见度。耐高温性确保 DDS 在所有条件下始终可靠。显示屏具有三种可编程显示模式或层，它们彼此独立运行。这样可以在适当的时间向驾驶员/机组人员显示相关信息，而不会造成不必要的屏幕混乱。70 段曲线条形图可以配置为显示任何通道，并带有可选的峰值保持和移位/提示标记。每个数字显示字段都可编程为显示任何值，并且可以通过用户定义的条件覆盖。屏幕底部的十三个字母数字可用于显示通道值、消息和警告警报。共有 20 行文本可用，可使用外部用户控件滚动，并且有四个可编程覆盖。