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阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1), 阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2), 法国艾克斯马赛大学 (3) doi:
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1)、阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2)、法国艾克斯马赛大学 (3) doi:10.15199/48.2024.04.31 使用拉曼光谱和遗传算法优化退火后的 SiGe DPSi 异质结构，以增强材料特性和性能 摘要：在我们之前的调查中，我们通过拉曼光谱深入研究了双多孔硅 (DPSi) 上 SiGe 合金的复杂性，揭示了拉曼峰移、应力和多孔材料中 SiGe 合金中 Ge 浓度之间以前未知的联系。这项研究的突出特点在于其独特的方法——使用遗传算法比较结果。该方法对数据进行了全面的分析，增强了我们对其中复杂关系的理解。通过频率法验证，我们的结果为 DPSi 上的外延生长提供了宝贵的见解，为拉曼光谱、应力和合金成分之间错综复杂的相互作用提供了细致入微的视角。这些发现不仅有助于加深对 SiGe 合金的理解，还为 DPSi Streszczenie 等创新基板上的外延生长领域的进一步发展铺平了道路。 W naszym poprzednim badaniu zagłębiliśmy się w zawiłości stopów SiGe na podwójnie porowatym krzemie (DPSi) za pomocą spektroskopii Ramana, odkrywając nieznane wcześniej powiązania między拉玛纳 (Ramana) 和拉玛纳 (Ramana) 的产品均采用了 SiGe 和材料。 Cechą tego badania 开玩笑 odrębność podejścia — porównanie wyników z wykorzystaniem algorytmugenetycznego。方法是通过分析仪器来分析、分析和分析。 Nasze wyniki、potwierdzone methodą częstotliwości、dostarczają cennych informacji na temat wzrostu epitaksjalnego na DPSi、prezentując zniuansowaną perspektywę na skomplikowane wzajemne oddziaływanie między spektroskopią Ramana, naprężeniem i składem stopu。 Odkrycia te nie tylko przyczyniają się do lepszego zrozumienia stopów SiGe, ale także torują drogę do dalszych postępów w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego na innowacyjnych podłożach, takich jak DPSi ( Optymalizacja 异质结构 DPSi wyżarzonych SiGe przy użyciu spektroskopii Ramana 和 algorytmu Genetycznego w celu uzyskania lepszej charakterystyki i wydajności materiałów ) 关键词：双多孔硅、拉曼光谱、遗传算法。关键词：多孔硅、光谱仪、算法。1. 简介 最近的技术进步凸显了减小器件尺寸和提高性能的重要性。因此，越来越需要控制结构中的应力并了解其来源。一种新兴且有前景的策略是采用柔性衬底，其中多孔硅 (PSi) 因其公认的灵活性而脱颖而出 [1, 5]。PSi 的柔韧性和柔韧性使其能够熟练地吸收 SiGe 异质外延膜引起的应力变化，这主要归功于其较高的孔密度。它与硅基微电子学的完美契合和高成本效益为将各种超轴系统（如 III-V 或 SiGe）整合到硅衬底上开辟了新的机会 [6, 7]。最近，双多孔硅 (DPSi) 已成为柔性衬底竞争中的突出候选者，特别是用于在 Si 上的异质系统（如 III-V 和 SiGe）的外延生长 [8]。双多孔硅 (DPSi) 结构由具有密封孔的超薄、原子级平坦上层和厚的、高度多孔的下层组成。然而，在该 DPSi 层上实现 SiGe 和 Ge 的低温外延的努力导致了不均匀外延层的形成，其特征是存在扩展缺陷。[9, 10]。然而，对 DPSi 层进行热处理会引起显著的形态变化，将小孔转变为大孔，同时产生拉伸应变，正如我们之前的研究 [1] 所记录的那样。这种伪衬底具有两个显着的特性：它具有高度的柔韧性和可承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统开辟了可能性。本研究深入探索退火 DPSi 作为应力模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性，能够承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性，能够承受拉伸应变，这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层，通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层
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使用重叠块和多类加权交叉熵的基于深度学习的选择性注意的全自动脑肿瘤分割
Mostefa Ben Naceur、Mohamed Akil、Rachida Saouli、Rostom Kachouri。使用重叠块和多类加权交叉熵，通过基于深度学习的选择性注意实现全自动脑肿瘤分割。医学图像分析，2020 年，�10.1016/j.media.2020.101692�。�hal-02533454�
埃及低碳氢能发展前景
近两年来，全球对氢能在脱碳能源系统中的潜在作用的兴趣迅速增长。许多文章都相当高水平，而且往往颇具抱负。在牛津能源研究所，我们认为，重要的是研究这些言论背后的事实，并对未来能源经济的发展方式做出现实的评估。对于一般的脱碳，尤其是氢能，很明显，各个国家和部门将根据其具体情况走自己的道路。因此，Ali Habib 和 Mostefa Ouki 的这篇论文及时而详细地分析了埃及氢能发展的潜在前景。作为中东较大的工业经济体之一，埃及已经拥有大量的灰色氢能产量，作者估计每年约为 180 万吨，分布在化肥、炼油、钢铁和石化行业，每年排放近 2000 万吨二氧化碳。
想法2025
Abdilatif Hassini，Oran大学2 Abdilatif Rahmoun，Esi Sba Abdelfettah Zeghoudi，拉格霍特大学Abdelghani Djebbarii，Tlemcen大学Abdelhamid Loukil，Usto MB Abdelkader Benyettou，Relizane Abdelkader Ghazli大学，Bechar Ali Kies大学，USTO MB ASMAA BENGUEDDACH，ORAN 1 Asmaa Bouchrara，USTO MB ASMAA OURDIGHI，USTO MB BOUABDELLAH KECHAR，ORAN大学1 Boudjelal Meftah，睫毛膏大学Dounia Yedjour，USTO MB Fadia Guella， Sonatrach Farah Fakraoui，Biskra Fatiha Guerroudji大学，USTO MB Hachem Slimani，Bejaia Hadria Fizazi大学，USTO MB HAFID HAFAFAF，橙色大学1 Hamza Bousbaa，Enpo Hayat Bindoukha，Usto MB Hayat Yedjour，Usto MB Imene Bousair，Cdta Kamel Benhaoua，睫毛膏大学Labed，Enso Karima karima belma belmabrouk，usto MB Karima Kies，USTO MB Khadidja Belbachir，Usto MB Khald Belkadi，Usto MB MB Khald Guerraiche，Esgeeo Khensous Ghania，Enso L Ajlout，USTO MB Lakhdar Loukil，UST橙色1 Latifa Dekhici，Usto MB Lila Medber，USTO MB Mamoud Zennaki，Usto MB Malika Allali，Uremers Adrar M'Hamed Abidine，Usthb Mohamed Dahmani，USTO Chikh，Tlemcen大学Mokhtar Berrahal，Enso Mosttefa Benhaliba，Usto MB Mustapha Merha，Mostaganeem Nabil Neggaz大学，Usto MB Nassima Aissima Aissani，奥兰大学2纳西玛·梅拉尔（Nassima Mellal Batna Samira Chouraqui，Usto MB Sarah Benziane，USTO MB Sarah Maroc，Usto MB Sarah Nait Bahlol，Usto MBSouâd -ougouti，USTO MB SOUFIANE BOUKELKOUL，USTO君士坦丁·塔雷克·佐伊格（Constantine Tarek Zouagui）Abdilatif Hassini，Oran大学2 Abdilatif Rahmoun，Esi Sba Abdelfettah Zeghoudi，拉格霍特大学Abdelghani Djebbarii，Tlemcen大学Abdelhamid Loukil，Usto MB Abdelkader Benyettou，Relizane Abdelkader Ghazli大学，Bechar Ali Kies大学，USTO MB ASMAA BENGUEDDACH，ORAN 1 Asmaa Bouchrara，USTO MB ASMAA OURDIGHI，USTO MB BOUABDELLAH KECHAR，ORAN大学1 Boudjelal Meftah，睫毛膏大学Dounia Yedjour，USTO MB Fadia Guella， Sonatrach Farah Fakraoui，Biskra Fatiha Guerroudji大学，USTO MB Hachem Slimani，Bejaia Hadria Fizazi大学，USTO MB HAFID HAFAFAF，橙色大学1 Hamza Bousbaa，Enpo Hayat Bindoukha，Usto MB Hayat Yedjour，Usto MB Imene Bousair，Cdta Kamel Benhaoua，睫毛膏大学Labed，Enso Karima karima belma belmabrouk，usto MB Karima Kies，USTO MB Khadidja Belbachir，Usto MB Khald Belkadi，Usto MB MB Khald Guerraiche，Esgeeo Khensous Ghania，Enso L Ajlout，USTO MB Lakhdar Loukil，UST橙色1 Latifa Dekhici，Usto MB Lila Medber，USTO MB Mamoud Zennaki，Usto MB Malika Allali，Uremers Adrar M'Hamed Abidine，Usthb Mohamed Dahmani，USTO Chikh，Tlemcen大学Mokhtar Berrahal，Enso Mosttefa Benhaliba，Usto MB Mustapha Merha，Mostaganeem Nabil Neggaz大学，Usto MB Nassima Aissima Aissani，奥兰大学2纳西玛·梅拉尔（Nassima Mellal Batna Samira Chouraqui，Usto MB Sarah Benziane，USTO MB Sarah Maroc，Usto MB Sarah Nait Bahlol，Usto MBSouâd -ougouti，USTO MB SOUFIANE BOUKELKOUL，USTO君士坦丁·塔雷克·佐伊格（Constantine Tarek Zouagui）