本研究是联合国开发计划署(项目编号 RAF/87/030)、非洲开发银行和法国援助与合作基金资助的撒哈拉以南非洲区域水文评估的第三部分。该研究涵盖了西非的 23 个国家,于 1990 年 9 月开始。研究小组成员于 1990 年 11 月至 1991 年 11 月期间访问了这些国家。每个国家的总时间分配平均为六周,其中一半时间在顾问总部度过。在 17 个国家,顾问得到了 CŒH 的协助。研究的组织方式是,评估由 Mott MacDonald International、BCEOM、SOGREAH、ORSTOM 的工作人员和该地区的一些当地顾问进行。从一开始,就尽一切努力确保方法的一致性和评估的同质性。
本报告由 Marisa Henderson (团队负责人)、Katalin Bokor 和 Michele Dookie 在国际贸易和商品司主管 Miho Shirotori 的全面指导下撰写。本报告受益于贸发会议贸易体系、服务和创意经济处工作人员的大量投入和深刻见解,特别是 Bruno Antunes、Ebru Gokce-Dessemond、Taisuke Ito、Mesut Saygili、Vincent Valentine 和 Dong Wu。我们衷心感谢 Carolina Quintana 的研究投入、Sophia Munda 提供的技术援助、Laura Moresino-Borini 和 Belén Camarasa 完成的设计和排版工作以及 Jeanelle Clark 和 Graham Mott 的支持。我们特别感谢贸发会议统计司代理司长 Anu Peltola 及其团队 Sanja Blazevic、David Cristallo、Onno Hoffmeister 和 Ildephonse Mbabazizimana。
最近,在高压下在LA 3 Ni 2 O 7中发现了一个80 K超导体。密度函数理论计算d x 2 -y 2,d z 2是双层平方晶格上的活性轨道,每个位点的ni构造d 8 -x。在这里,x是孔掺杂水平。一个天真的期望是用两轨T -J模型来描述该系统。但是,我们强调了Hund的耦合J H的重要性,X = 0限制应视为旋转的Mott绝缘子。,显着的hund的耦合共享了D Z 2轨道的层间交换j j r,d Z 2轨道上D x 2-y 2轨道,这种效果无法通过常规的扰动或均值扰动或均值扰动方法来捕获。这项研究首先探讨了d z 2轨道被局部化的极限,处理的是一个轨道双层T -J模型,该模型的重点是D x 2 -2 -y 2轨道。值得注意的是,我们发现强大的层间配对可生存至x = 0。5孔由传输的J驱动,这解释了该掺杂水平的实验中高的TC超导体的存在。接下来,我们发现了更现实的情况,即D Z 2轨道略微掺杂,不能简单地集成。我们采用J H→+∞极限,并提出了一个II型T-J模型,具有四个旋转半旋转(D 7)状态和三个旋转的Dublon(D 8)状态。采用parton均值字段方法,我们恢复了与单轨t-j模型中相似的结果,但现在具有自动生成的j r的效果。
最初,光电子能谱是使用原子灯作为单能 VUV 光子源进行的,但激光的出现大大提高了这种技术的分析能力。具体而言,将激光源聚焦到小点的能力使得能够分析发射电子相对于样品的角轨迹(即参考晶体材料中的晶格矢量)。这通常通过相对于电子能量分析仪逐步旋转样品台来完成。角分辨光电子能谱 (ARPES) 能够详细测量重要信息,例如费米面的形状,它是倒易晶胞矢量 (kx , ky ) 的函数。一些研究人员还采用一种称为莫特偏振仪的设备,主要测量电子的自旋。
•经典相关材料:TMS,氧化物/TMO•有机导体(1d,2d)•繁重的费米斯•cuprates•对TMOS的兴趣:SR 2 Ruo 4,Rnio 3,Rnio 3,Manganites,Manganites,Iridates,Iridates和许多其他许多…… LAO/STO • Fe-based superconductors à `Hund metals' (New route to strong correlations) SC in pressurized H 2 S 155GPa à other hydrides • SC in twisted bilayer graphene • Twisted TMDCs • à Interplay of correlations and topology/Flat bands • à Strong coupling to light, excitonic physics • SC in infinite-layer RNiO 2 • Low density金属(sto),kagome金属
我们对化学和相关的电子结构进行了全面分析 - 菱形Cr x 3(x = br,cl,i)van der waals散装晶体的构造。使用广义梯度近似加上动态均值字段理论,我们明确地证明了局部动力相关性对于对出现的近相质质量的一致理解和Mott局部电子状态的一致理解的重要性,显示了材料依赖性的单电子GGA Linehape和多孔电子相互作用之间的相互作用。为了探测相关的顺磁性电子状态,我们对CRCL 3和CRBR 3散装晶体进行了X射线吸收光谱(XAS)测量。我们相关的多体研究与了解顺磁性CR-Trihalides晶体的电子结构重建有关,并应广泛适用于其他范德华磁铁材料。
我们基于从 Gutzwiller 平均场假设得出的作用的正则量化,开发了 Bose-Hubbard 模型的量子多体理论。我们的理论是对弱相互作用气体 Bogoliubov 理论的系统推广。该理论的控制参数定义为 Gutzwiller 平均场状态之上的零点涨落,在所有范围内都保持很小。该方法在整个相图中提供了准确的结果,从弱相互作用超流体到强相互作用超流体,再到 Mott 绝缘相。作为具体应用示例,我们研究了两点相关函数、超流体刚度、密度涨落,发现它们与可用的量子蒙特卡罗数据具有定量一致性。特别是,恢复了整数和非整数填充时超流体-绝缘体量子相变的两个不同普适性类。
研发技术集成电路设计:• 带有 PMU 和 EHU 的 MCU 的开发• 机器学习在 IC 布局中的应用• 印刷、可重构、自修复、无电池、柔性、纸基、生物、生物相容性、液体、瞬态、可食用和表皮电子产品的开发• 关键技术的开发• 为更多摩尔应用开发逻辑核心设备、DRAM、Flash 和 NVM 技术• 新兴存储设备的开发,包括 FeRAM、MRAM、CBRAM、OxRAM、聚合物存储器和基于 DNA 的海量存储设备• 新型逻辑设备的开发,包括 SpinFET、Neg-C FET、Mott FET、NEMS 和拓扑绝缘体• 为超越摩尔 (MtM) 应用开发超越 CMOS 设备,包括 PUF 和 RNG• 新型架构的开发,包括 GAA 设备、3D 堆叠以及 CMOS 与超越 CMOS 的共集成