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Murali Haran -CDN
宾夕法尼亚州立大学统计学的就业教授。2016年7月 - 宾夕法尼亚州立大学统计系负责人。2018年7月至2024年。宾夕法尼亚州立大学统计副教授。2010–2016。西雅图华盛顿大学统计副教授。2011–2012。新的研究员/来访教师，统计和应用数学科学学院（SAMSI），北卡罗来纳州。2009年秋季和2017年秋季。宾夕法尼亚州立大学统计助理教授。2004–2010。北卡罗来纳州国家统计科学研究所的博士后研究员。2003–2004。
博士Murali Yallapu – 个人简历
印度阿南塔普尔，理学硕士，1997 年 6 月 - 1999 年 6 月，1999 年 7 月。印度阿南塔普尔 Sri Krishnadevaraya 大学高分子科学与技术专业，博士学位，2001 年 3 月 - 2005 年 3 月，2005 年 3 月。大学（及学院）任职情况：2013-2015 年助理教授（研究轨道），田纳西大学健康科学中心药学院药学系，美国孟菲斯 2015-2019 年。助理教授（终身制），田纳西大学健康科学中心药学院药学系，美国孟菲斯 2019-Pre 副教授（终身制），德克萨斯大学里奥格兰德河谷分校医学院免疫学和微生物学系，美国德克萨斯州爱丁堡 / 麦卡伦 实践 / 职业经历： 2011-2013 美国苏福尔斯桑福德研究中心癌症生物学研究中心研究员 2008-2011 美国苏福尔斯桑福德研究中心癌症生物学研究中心博士后研究员 2007-2008 美国俄亥俄州克利夫兰勒纳研究所 ND-20 生物医学工程系博士后研究员 2006-2007 美国奥马哈内布拉斯加大学医学中心药学系博士后研究员2001-2003 项目研究员，印度阿南塔普尔聚合物科学与技术系 资金：1R01CA206069-01（PI：Chauhan；Yallapu-Co-I） 2016 年 6 月 1 日至 2021 年 5 月 31 日 1.2-1.8 个月（CY）NIH-NCI R01 250,000 美元 开发针对胰腺癌的靶向纳米技术平台 开发针对胰腺癌的有效靶向治疗配方 重叠：无。 1R01CA199708-01A1（PI：Chauhan；Yallapu-Co-I）2016 年 6 月 1 日至 2021 年 5 月 31 日 1.2-1.8 个月（CY）NIH-NCI R01 250,000 美元 MUC13 靶向新型紫杉醇纳米颗粒制剂用于治疗胰腺癌，描绘针对胰腺癌的 MUC13 靶向治疗方法重叠：无。
1950年的古典计算-Margaret Martonosi
Prakash Muraali和Al。asplos'1Prakash Murali等。ISCA 2019。 CF 2014。ISCA 2019。CF 2014。
个人简历 姓名 医生R. Ratheesh 任命主任......
专利：1) 生产低损耗陶瓷的方法 V. Priyadarsini、R.Ratheesh、H. Sreemoolanadhan 和 S. Chandrasekhar，印度专利号 275251，2016 年。2) 陶瓷填充氟聚合物组合物、方法及其应用 S.Rajesh、KP Murali 和 R.Ratheesh，印度专利号 294964，2018 年。3) 陶瓷填充氟聚合物组合物、方法及其应用，S. Rajesh、KP Murali 和 R.Ratheesh，美国专利号 US9455064 B2，2016 年 9 月 27 日 4) 陶瓷填料、制备陶瓷填料的方法及其作为谐振器和层压板的应用，R.Ratheesh、K. Stanly Jacob、KPMurali、Akhilesh Jain 和 PR Hannurkar，美国专利号 US 9505902 B2，2016 年 11 月 29 日2016年发表论文：1）双钒酸盐的结构和微波介电性能
董事V. Kamakoti
DIRECTOR V. Kamakoti ADB 5 8001 kama 22570694 Director's Office director Secretary 1 ADB 5 8002 dirsecy Secretary 2 ADB 5 Fax ADB 5 8003 Office/Board Room ADB 5 8004 doffice DEANS Dean (Administration) Robinson R G ADB 2 8020 robinson Secretary (& Fax) ADB 2 8021 deanadmn Office ADB 2 8022 Dean (Faculty) Murali, K ADB 2 8026 murali Secretary ADB 2 8027 deanfaculty Dean (Academic Courses) deanac Prathap Haridoss ADB 4 8030 prathap Secretary ADB 4 8031 dacoffice Office ADB 4 8032 Dean (Academic Research) deanar Shanthi Pavan ADB 4 8040 shanthi.pavan Secretary ADB 4 8041 daroffice Office (Fax) ADB 4 8042 Dean (Students) Sathyanarayana N. Gummadi TEL EX 2nd F 8050 gummadi Secretary TEL EX 2nd F 8051 dost Office (Fax) TEL EX 1st F 8052 dostoffice Dean (IC&SR) Manu Santhanam ICSR 101A 8060 manus Secretary ICSR 101 8061 deanicsr Office ICSR FF 8062副院长（IC＆SR）副院长（IC＆SR）ICSR 201A 201A 8065秘书ICSR 201 8066 ASC-DEANICSR Office（Sr.Proj。官员）ICSR 201 8068
AAAI-24安全，健壮和负责的AI（SRRAI）
神经封闭证书Alireza Nadali； Vishnu Murali; Ashutosh Trivedi； MDPS Mateo Perez中的LTL和Omega-grounder目标的Majid Zamani学习算法；法比奥·索恩齐（Fabio Somenzi）； Ashutosh Trivedi朝着K-Means聚集Stanley Simoes的更公平的质心； deepak p; Muiris MacCarthaigh的稳定性分析具有神经Lyapunov功能的切换线性系统Virginie Debauche；亚历克·爱德华兹（Alec Edwards）； RaphaëlJungers; Alessandro Abate Advst：重新访问单个领域概括的广托Zheng的数据增强； Mengdi Huai; Aidong Zhang Omega规范决策过程Ernst Moritz Hahn； Mateo Perez; Sven Schewe;法比奥·索恩齐（Fabio Somenzi）； Ashutosh Trivedi； Dominik Wojtczak Sentinellms：私人和安全推理的语言模型的加密输入适应和微调
锡铋平面焊点中的电迁移
[1] S. Murali、LYW Evone、LMWa、BA Danila、LC Keong、LY Ting、BS Kumar、K、Sungsig，“Sn57Bi1Ag 焊料合金接头的微观结构特性”，IMAPS – 第 55 届国际微电子研讨会，波士顿，2022 年 10 月 5 日。[2] Q. Liu、Y. Shu、L Ma、F. Guo，“高电流密度下共晶 SnBi 焊点的微观结构演变和温度分布研究”，2014 年第 15 届国际电子封装技术会议。[3] P.Singh、L. Palmer、RF Aspandiar，“一种研究电迁移的新装置”，SMTA 泛太平洋微电子研讨会，2022 年 2 月 1 日，夏威夷瓦胡岛。 [4] IA Blech，“氮化钛上薄铝膜的电迁移”，J. of Appl. Physics，第 47 卷，第 4 期，1976 年 4 月。
6T 1位全加器的实现与分析
VI. 参考文献 [1] DanWang, Maofeng & Wucheng，“180nm CMOS 技术中的新型低功耗全加器单元”，DOI:10.1109/ICIEA.2009.5138242，工业电子与应用，2009 年。ICIEA 2000。第四届 IEEE 会议，2009 年 6 月。 [2] Kamlesh Kukreti、Prashant Kumar 等人，“基于多米诺逻辑技术的全加器性能分析”，DOI:10.1109/ICICT50816.2021.9358544，印度哥印拜陀，2021 年。 [3] Umapathi.N、Murali Krishna、G. Lingala Srinivas。 (2021)“对进位选择加法器独特实现的综合调查”，IEEE 和 IAS 第四届两年一度的新兴工程技术国际会议，于 1 月 15 日至 16 日在印度新孟买举行。[4] Subodh Wairya、Rajendra Kumar 等人，“用于低压 VLSI 设计的高速混合 CMOS 全加器电路性能分析”，DOI：10.1155/2012/173079，2012 年 4 月。[5] N. Umapathi、G.Lavanya (2020)。使用 Dadda 算法和优化全加器设计和实现低功耗 16X16 乘法器。国际先进科学技术杂志，29(3)，918-926。[6] Pankaj Kumar、Poonam Yadav 等人，“基于 GDI 的低功耗应用全加器电路设计和分析”，国际工程研究与应用杂志，ISSN：2248-9622，第 4 卷，第 3 期（第 1 版），2014 年 3 月。[7] NM Chore 和 RNMandavgane，“低功耗高速一位全加器调查”，2010 年 1 月。[8] Gangadhar Reddy Ramireddy 和 Yashpal Singh，“亚微米技术下拟议的全加器性能分析”，国际现代科学技术趋势杂志第 03 卷，第 03 期，2017 年 3 月 ISSN：2455-3778。 [9] Chandran Venkatesan、Sulthana M.Thabsera 等人，“使用 Cadence 45nm 技术的不同技术分析 1 位全加器”，DOI：10.1109/ICACCS.2019.8728449，2019 年 3 月，印度哥印拜陀。[10] K.Dhanunjaya、Dr.MN.Giri Prasad 和 Dr.K.Padmaraju，“使用 45nm Cmos 技术的低功耗全加器单元性能分析”，国际微电子工程杂志（IJME），第 3 卷。 1，No.1，2015 年。[11] Karthik Reddy.G，“Cadence Virtuoso 平台中 1 位全加器的低功耗面积设计”，国际 VLSI 设计与通信系统杂志 (VLSICS) 第 4 卷，第 4 期，2013 年 8 月，DOI：10.5121/vlsic.2013.4406 55。[12] Kavita Khare 和 Krishna Dayal Shukla，“使用 Cadence 工具设计 1 位低功耗全加器”，引用为：AIP 会议论文集 1324，373 (2010)，2010 年 12 月 3 日。[13] Murali Krishna G. Karthick、Umapathi N.（2021）“低功耗高速应用的动态比较器设计”。引自：Kumar A.、Mozar S. (eds) ICCCE 2020。电气工程讲义，第 698 卷。Springer，新加坡。[14] Murali Anumothu、BRChaitanya Raju 等人“使用基于多路复用器的 GDI 逻辑设计和分析 45nm 技术中的 1 位全加器的性能”，第 3 卷(2016)，第 3 期，2016 年 3 月。[15] Partha Bhattacharyya、Bijoy Kundu 等人。al“低功耗高速混合 1 位全加器电路的性能分析”，第 23 卷，第 10 期，DOI：10.1109/TVLSI.2014.2357057，2015 年 10 月。
目录
o Tata Sons Private Limited 诉 Hakunamatata Tata Founders，2021 SCC OnLine Del 4810 o Swami Ramdev 诉 Facebook, Inc.，2019 SCC OnLine Del 10701 o Impresario Entertainment & Hospitality Pvt. Ltd. 诉 S & D Hospitality，(2018) 246 DLT 337 o World Wrestling Entertainment Inc 诉 M/s。 Reshma Collection，（2017）237 DLT 197 o Lalitha Lakshaman 诉 CBI，2017 SCC OnLine Del 6435 o Thota Venkateswarlu 诉安得拉邦，（2011）9 SCC 527 o Banyan Tree Holding (P) Limited 诉 A. Murali Krishna Reddy，（2010）42 PTC 361 o （印度电视台）Independent News Service Pvt. Ltd. 诉 India Broadcast Live LLC，2007 SCC
《印度教徒月刊》|时事| 2022 年 8 月
银牌： • Sanket Sargar（举重，男子 55 公斤级）， • Bindyarani Sorokhaibam（举重，女子 55 公斤级）， • Shushila Likmabam（柔道，女子 48 公斤级）； • Vikas Thakur（举重，男子96公斤级）； • Srikanth Kidambi、Satwiksairaj Rankireddy、B. Sumeeth Reddy、Lakshya Sen、Chirag • Shetty、Gayathri Gopichand、Treesa Jolly、Aakarshi Kashyap、Ashwini Ponnappa、PV Sindhu（羽毛球、混合团体）； • Tulika Maan（柔道，女子78公斤级以上）； • Murali Sreeshankar（男子跳远）、 • Priyanka Goswami（女子 10,000 米竞走）、 • Avinash Sable（男子 3000 米障碍赛）； • Sunil Bahadur、Navneet Singh、Chandan Singh、Dinesh Kumar（草地滚球、男子四人制）、 • Abdulla Aboobacker（男子三级跳远）、 • Achanta Sharath Kamal 和 Sathiyan Gnanasekaran（乒乓球、男子双打）、 • 女子板球队、 • Sagar Ahlawat（拳击，男子+92 公斤级）， • 男子曲棍球队。