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失忆记忆：一种抵御冷启动数据残留攻击的自毁多态机制
易失性存储器（如寄存器和 SRAM）是任何 CPU 或片上系统 (SoC) 不可或缺的部分。它们存储各种片上敏感资产，如加密密钥、中间密码计算、密码、混淆密钥和硬件安全原语输出。尽管此类数据应在断电后立即删除，但很容易受到冷启动攻击。冷启动攻击基于存储器的剩磁效应，即存储器内容在断电后不会立即消失；它们会随着时间的推移逐渐消失，在低温下会显著延长。可以通过重新启动正在运行的机器并读取存储器中剩余的内容来利用此效应。本文提出了一种延伸到失忆寄存器的自毁锁存器，当温度降至冰点时保护敏感数据。我们提出的锁存器可以感知此类攻击期间所需的温度下降，并通过进入禁止数据状态立即做出反应，擦除寄存器存储的数据。该设计使用基于 NULL 约定逻辑 (NCL) 的多态 NOR/NAND 门，该门的功能会随温度而改变。我们的结果表明，锁存器和寄存器在工艺变化过程中保持稳定，对攻击的响应度为 99% 和 80%。即使在 20% 的数据未被破坏的情况下，也有 9.5% 的数据会翻转其状态，使攻击者难以进行可靠的提取。由于多态机制易于实现，因此易于实现，并且仅使用一个栅极电压就可以轻松编程自毁行为的温度阈值。
益登科技集团 | 产品线
Cimetrix 创新工厂自动化软件，包括 CIMConnect、SECSConnect、HostConnect、TestConnect、CIM300、CIMPortal、CIMTester、ECCE Plus、EDAConnect、CIMControlFramework Cyberlink FaceMe 面部识别 SDK Dexerials ACF/粘合剂/表面贴装型保险丝/导热片 Dosilicon SPI NOR、SPI/SLC NAND、MCP、DDR、KGD Eggtronic AC/DC PWM IC、无线 PWM IC Egis 指纹打印机 ELATEC RFID 系统，具有多频(LF+HF+NFC+蓝牙 LE)/多应答器/多认证 Eleven Engineering SKAA™、专有协议/音频无线发射器模块 Enovix 电池（包括定制和非定制） ESMT eMMC、eMCP、LPDDR、DRAM IC、NOR Flash、SLC Flash 快速 SiC SiC MOSFET、SiC肖特基二极管和 SiC 模块、SiC 裸片 Fitipower DC/DC 转换器、LDO、电源开关 FocalTech 触摸屏控制器、LCD 驱动器 IC、In-cell IC Framos 摄像头模块、深度摄像头模块和 ISP 调试服务 FURUNO GNSS 接收器模块和芯片 GCT 4G LTE、NB-IoT 和 Sigfox 基带和 RF GigaDevice DDR3 和 DDR4 DRAM 芯片 GlobalTech MOSFET、LDO、肖特基二极管、TVS 二极管 GoMore 健身/健康算法和 AI 教练解决方案提供商 GP（Goldpeak）电池
基于实时EEG的功能大脑连接参数提取
摘要。目标。设计一种新型架构，用于实时定量表征，该功能性脑连接网络来自可穿戴脑电图（EEG）。方法。我们对架构映射进行了算法，以计算相位滞后索引（PLI），以形成功能连接网络和提取一组图理论参数以定量表征这些网络。使用算法的数学定义中的近似值来优化该映射，该定义降低了其计算复杂性并产生更硬件的实现。主要结果。该体系结构是为19通道EEG系统开发的。系统可以在131 µs的总时间内计算所有功能连接参数，利用71％的逻辑资源，并在Stratix IV IV EP4SGX22330K FPGA中实现时在22.16 MHz操作频率下显示51.84 MW动态功耗。我们的分析还表明，该系统占据了相当于约937K 2输入NAND大门的面积，估计使用90 nm CMOS应用程序的估计功耗为39.3 MW，在0.9 V电源下为39.3 MW。明显的能力。所提出的体系结构可以计算功能性大脑连接性，并在低功耗中实时提取图理论参数。此特征使架构非常适合诸如可穿戴闭环神经反馈系统之类的应用，在该系统中，必须不断监视大脑活动和EEG快速处理以控制适当的反馈。
缩放技术温室气体去除
阿迪纳·阿贝尔斯（Adina Abeles），陈·扎克伯格（Chan Zuckerberg）倡议布拉德·阿克（Brad Ack），海景拉蒙·阿拉特雷（Ramon Alatorre），4个角落碳联盟联盟杰克·安德里斯森（Jack Andreasen） Gabrielle Dreyfus, Institute for Governance & Sustainable Development Simon Freeman, Department of Energy — ARPA-E Julio Friedmann , Carbon Direct Inc. Susana Garcia , Heriot-Watt University Maddie Hall, Living Carbon Dave Hillyard, Carbon Technology Research Foundation Jason Hochman, Direct Air Capture Coalition Nicole Iseppi, Bezos Earth Fund Andy Jarvis, Bezos Earth Fund Marc von Keitz，Grantham基金会Anu Khan，Carbon180 Matt Kirley，RMI Kelley Kizzier，Bezos Earth Fund，Charlotte Levy，Carbon180 Energy of Energy，Arpa-e Cara Maesano - Arpa-e Cara Maesano Moya, Carbonfuture Sara Nawaz, American University — Institute for Responsible Carbon Removal Meghana Palepu, Bezos Earth Fund Aaran Patel , The Nand & Jeet Khemka Foundation Lara Pierpoint , Prime Coalition — Trellis Climate Erika Reinhardt, Spark Climate Solutions Mitchell Rubin , Elemental Excelerator Maki Tazawa, Grantham Foundation Matt Villante, Pacific Northwest国家实验室Anya Waite，海洋前沿学院 /达尔豪西大学Frances Wang，正交气候基金会Eli Weaver，RMI Lori Ziolkowski，国家科学基金会< / div>
Tirupati计算机科学系的采用...
逻辑电路：逻辑函数 - 逻辑函数的合成 - 逻辑的最小化 - 与NAND合成的最小化和逻辑门的NOR门实现 - flip- flops - dogisters and Shift寄存器 - 寄存器 - 计数器 - 解码器 - 多路复用器 - 多路复用器 - PLDS - PLDS - 顺序电路。计算机的基本结构：功能单元 - 基本操作概念 - 总线结构 - 性能 - 多处理器和多计算机：功能单元 - 基本操作概念 - 总线结构 - 性能 - 绩效 - 历史观点。单元II机器指令和程序：数字，算术操作和字符 - 内存位置和地址，操作 - 指令和指令，排序 - 地址模式。单元III输入/输出组织：访问I/O设备 - 中断 - 直接内存访问 - 总线240接口电路 - 标准I/O接口。单元IV内存系统，概念 - 半导体RAM存储器 - 仅阅读记忆 - 缓存记忆 - 性能考虑 - 虚拟记忆管理要求 - 辅助算术算术：符号成员的添加和减法 - 快速加盖设计 - 快速加盖的设计 - 积极成员的乘法 - 乘法成员 - 快速乘法 - 快速乘法 - 快速乘法 - Integer Division Division -floing Point -Point -Point Point -Point Point -Point -Point -Point Point Point -Point -Point -Point -Point Point -Point -Pointing点数和浮动点数。单元V基本处理单元：概念 - 完整指令的执行 - 多重 - 总线组织 - 硬件控制 - 微型编程控制。管道：概念 - 数据危害 - 指令危害 - 对指导集的影响 - 数据路径和控制构建体 - 超级操作 - 超级SPARC II - 性能考虑。教科书：
赖布尔国家技术学院
UNIT-I 布尔代数与逻辑门概述：数字系统和代码、二进制算术、布尔代数、开关函数最小化、德摩根定理、卡诺图方法（最多 4 个变量）、奎因麦克拉斯基方法、不关心条件和多输出开关功能的情况。 UNIT-II 组合电路：NAND / NOR 门、开关函数的实现、半/全加器、半/全减器、串联和并联加法、BCD 加法器、前瞻进位生成器、解码器和编码器、BCD 到 7 段解码器、多路复用器和多路分解器、奇偶校验位生成器和检测器错误检测。 UNIT-III 顺序电路：寄存器和计数器简介：触发器及其转换、激励表、同步和异步计数器以及顺序电路的设计：代码转换器和计数器。模式-k 和除以 K 计数器、计数器应用。UNIT-IV 逻辑系列：RTL、DTL、所有类型的 TTL 电路、ECL、电路、I2 L 和 PMOS、NMOS 和 CMOS 逻辑等的操作和特性。 UNIT-V 存储器和转换器：介绍各种半导体存储器和 ROM 和 PLA 的设计，介绍模拟/数字和数字/模拟转换器及其类型（R-2R 梯形网络和逐次逼近转换器） 教科书名称 1. WH Gothman，“数字电子学” PHI 2. RP Jain：“现代数字电子学”，TMH 参考书名称： 1. RJ Tocci，“数字系统原理与应用” 2. Millman Taub，“脉冲、数字和开关波形” TMH 3. MM Mano：“数字逻辑和计算机设计”，PHI。 4. Floyd：“数字基础”，UBS。 5. B. Somanathan Nair，“数字电子学与逻辑设计”，Prentice-Hall of India
2017 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1.NBTI 在半导体领域的最新进展HKMG p-MOSFET 和 2。现代 FINFET、ETSOI 和全栅极 III-V 晶体管中自热的新兴挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（孟买印度理工学院）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学） • 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车公司 • AlGaN /GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔
Ajeet Kumar 的简历 - Web IITD Sites - IIT Delhi
期刊出版物列表： 1. Divyaprakash、Mohit Garg、Ajeet Kumar、Amitabh Bhattacharya，《流体浸没式柔性细丝的计算建模综述》，《印度科学研究所杂志》（已接受） 2. Md Intaf Alam、Ajeet Kumar，《螺旋棒的均匀伸展扭转》，《国际固体与结构杂志》，295 (2024)，112817 3. Roushan Kumar、Vivek Agarwal、Ajeet Kumar，《一种获得以特殊 Cosserat 棒为模型的条带非线性弹性本构关系的计算方法》，《应用力学与工程计算机方法》，418 (2024)，116553 4. Darius Diogo Barreto、Ajeet Kumar，《一种结合自由空间电能的电弹性 Kirchhoff 棒理论》，《国际固体与结构杂志》， 262-263 (2023)，112045 5. Vinayak, Smriti, Ajeet Kumar，均匀应变各向异性弹塑性杆：根据杆变量确定弹塑性本构关系和屈服面，欧洲力学杂志 A/固体，98 (2023)，104867 6. Raushan Singh, Abhishek Arora, Ajeet Kumar，一种用于获得具有表面能的特殊 Cosserat 杆的非线性弹性本构关系的计算框架，应用力学和工程中的计算机方法，398 (2022)，115256 7. Ludwig Herrnbock, Ajeet Kumar, Paul Steinmann，双尺度离线和在线方法实现几何精确的弹塑性杆，计算力学，71 (2023)，1-24 8. Vaibhav Kaushik、Ajeet Kumar、Nitya Nand Goswami、Vaishali Gode、Sudhakar Mhaskar、Yash Kamath，通过头发蓬松度量化了解椰子发油的益处，国际化妆品科学杂志，44 (2022)，289-298 9. Mohit Garg、Ajeet Kumar，斯托克斯流中特殊 Cosserat 细丝运动的细长体理论，固体数学与力学，28 (2023)，692-729
2017 年 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1. HKMG p-MOSFET 中 NBTI 的最新进展以及 2.现代 FINFET、ETSOI 和全栅极环绕 III-V 晶体管中自热的新挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（印度理工学院，孟买）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学）• 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车集团 • AlGaN/GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔
BCA 2024-27批处理方案和教学大纲
单元数系统系统：二进制，八进制，十六进制，从一个碱基到另一个碱基的转换，二进制算术，未签名的二进制数，签名的幅度数，2的补体表示，2的补充算术。ASCII代码，BCD代码，EBCDIC代码，多余的代码和灰色代码。算术电路：加法器，减法器，二进制乘数和分隔线。单元II逻辑门：不，或，或，或，或，或，或者，或者，nor，ex-Or和ex-nor Gates，二极管和晶体管作为开关。 布尔代数：布尔代数的定律，逻辑大门，使用k-映射对布尔方程的简化。 单元III组合电路：多路复用器，弹能器及其用作逻辑元素，解码器。 加法器/字样。 编码器，解码器触发器：S-R- J-K。 T. D，时钟的触发器，围绕状态竞争，主人触发器。 单元IV位移登记册：串行串行，并行序列，并行串行和平行 - 外向，双向移位寄存器。 计数器：异步和同步戒指计数器和约翰逊计数器，Tristate Logic。 a/d和d/a转换器：采样并保持电路。 单元-V内存：内存单元格，主内存 - RAM，ROM，PROM，EPROM，EPROM，EEPROM，CACHE内存，闪存存储器，DDR，DDR，辅助内存及其类型，物理内存和虚拟内存的介绍，内存访问方法：串行和随机访问。 教科书：数字原理和应用，Malvino＆Leach，McGraw Hill。 数字集成电子产品，Taub＆Schilling，MGH Thomas C Bartee，数字计算机基础，MacGrawhill参考：R.P.单元II逻辑门：不，或，或，或，或，或，或者，或者，nor，ex-Or和ex-nor Gates，二极管和晶体管作为开关。布尔代数：布尔代数的定律，逻辑大门，使用k-映射对布尔方程的简化。单元III组合电路：多路复用器，弹能器及其用作逻辑元素，解码器。加法器/字样。编码器，解码器触发器：S-R- J-K。 T. D，时钟的触发器，围绕状态竞争，主人触发器。单元IV位移登记册：串行串行，并行序列，并行串行和平行 - 外向，双向移位寄存器。计数器：异步和同步戒指计数器和约翰逊计数器，Tristate Logic。a/d和d/a转换器：采样并保持电路。单元-V内存：内存单元格，主内存 - RAM，ROM，PROM，EPROM，EPROM，EEPROM，CACHE内存，闪存存储器，DDR，DDR，辅助内存及其类型，物理内存和虚拟内存的介绍，内存访问方法：串行和随机访问。教科书：数字原理和应用，Malvino＆Leach，McGraw Hill。数字集成电子产品，Taub＆Schilling，MGH Thomas C Bartee，数字计算机基础，MacGrawhill参考：R.P.Jain，数字电子产品，麦格劳山莫里斯·马诺（McGraw Hill Morris Mano），数字设计，Phi Gothmann，数字电子，Phi Tocci，数字系统原理和应用，Pearson Education Asia Asia Asia Donald D Givone，数字原理和设计，TMH