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bose金属在原子上薄的NBSE2中？
一开始是定位的缩放理论。Boomer物理学家1被培养为认为没有二维金属，因为任何含量的疾病都会导致定位和绝缘行为2。他们了解到，微调金属行为可以在超导体 - 绝缘体过渡的量子临界点上表现出来，并通过磁场或混乱来调节，并且对超导膜的早期实验似乎证实了这张图片：超导能力：超导对过渡的一侧，在过渡的一侧，在另一种和关键的金属状态下进行隔离。但从1990年开始，实验表明没有关键的金属状态，而是整个金属阶段开始积累。这种异常的金属状态（AMS）是不寻常的，因为除其他外，其电导率σxx（t→0）的升级为低于正常状态Drude理论的值。另一个异常是观察到的幂律缩放r xx〜（h-h 0）α（t）
在非中心体积NBSE2
通过将库珀对的反平行电子旋转沿空地外方向锁定，使平面上临界磁场的平面上限上限超过了保利的极限。首先是在过渡金属二分法的完全二维单层中明确证明的，具有大型旋转轨道耦合和破裂的反转对称性。从那时起，几项研究表明它也可以存在于分层的散装材料中。在我们先前的研究中，我们阐明了基于散装超导性超导性的基本微观机制，基于通过绝缘层和限制反演对称性而导致的超导层之间的电子耦合减少。但较早的研究表明，在某些过渡金属二甲藻元中多型pauli paparagnetic极限也违反了。在这里，使用热容量测量值我们明确证明，原始的非中心体积4H A -NBSE 2多型物质显着违反了Pauli的极限。在理论模型中使用了使用实验确定的晶体结构从Ab ITIOL计算获得的频带结构参数，该模型在理论模型中使用，该模型提供了仅基于破裂的反转对称性的ISING保护的微观机制。
在石墨烯/nbse2中调整接近旋转轨道耦合...
我们研究了第一原理中扭曲角度对石墨烯 / NBSE 2异质结构中接近旋转轨道耦合（SOC）的影响。将几个不同相称的扭曲超级电池的低能量狄拉克带与模型的哈密顿式化合物拟合，从而使我们能够详细研究SOC的扭曲依赖性。我们预测，从= 0°到= 30°扭曲角时，Rashba Soc的大小可以三倍。此外，以≈23◦的扭曲角度旋转旋转纹理可获得大径向分量，对应于RASHBA角度= 25°的RASHBA角度。通过分析狄拉克状态的轨道分解来揭示其最强大杂交的NBSE 2频段，从而解释了提取的接近SOC的扭曲角度依赖性。最后，我们采用了库拜公式来评估所研究的异质结构中常规和非常规的旋转转换的效率。
定量评估自旋波动在2D超导体NBSE2
准确确定全部动量依赖性自旋敏感性χ（Q）对于描述磁性和超导性非常重要。原则上，在线性响应密度函数理论（DFT）中计算χ（Q）的形式主义是良好的，几乎所有公开可用的代码都不包含此功能。在这里，我们描述了一种计算静态χ（Q）的替代方法，该方法可以应用于最常见的DFT代码而无需其他编程。该方法结合了χ（0）的标准固定旋转计数，并直接计算通过人工Hubbard Inter Action稳定自旋螺旋的能量。从这些计算中，可以通过反转RPA公式来提取χDFT（Q）。我们将此配方应用于NBSE 2单层中最近发现的ISING超导性，这是近年来SU过导性最令人兴奋的发现之一。有人提出，自旋波动可能会强烈影响顺序参数的奇偶校验。先前的估计表明靠近铁磁剂，i。e。，χ（q）在q =0。我们发现自旋波动的结构更为复杂，波动频谱在q≈（0。2，0）。这样的频谱将改变带间的相互作用，并极大地影响超导状态。
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
位置描述
研究活动的描述： - TMD中的准2D超导性的研究以及在超导导体的集体模式的NBSE2和NBS2的薄层中观察到的自旋轨道耦合和单旋转旋转旋转的效果。-Calculation of Raman response functions and THz optical conductivity of thin layers of TMDs in the presence of a current flow -Investigation of strong and ultra-strong coupling of collective modes of a quasi-2D superconductor to THz metamaterials, assessing the possibility of a "Higgs polariton" condensate and other exotic phases.