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NBTI 对 6T 读写操作影响的分析...
负偏压温度不稳定性 (NBTI) 是 CMOS 器件中的一个重要可靠性问题，它会影响基于 CMOS 的电路的性能。因此，了解不同缺陷机制和关于应力和恢复时间的广泛操作条件对电路性能的影响对于产生可靠且可接受的设计裕度至关重要。在这项工作中，分析了使用 16 nm FinFET 技术设计的 6T SRAM 单元电路上的 NBTI 效应。研究了 NBTI 可靠性问题对传输延迟和功耗在读写操作中的影响。研究了基于不同缺陷机制、应力时间和工作温度条件的 6T SRAM 性能。使用由 N it 和 N it 与 N ot 结合引起的缺陷计算出的阈值电压偏移之间约有 74 mV 的差异。发现读取延迟不受应力时间的影响，而写入延迟在 10 年的应力时间内略有改善。使用 N it 模拟的 6T SRAM 单元的写入延迟在运行 10 年后比使用 N it 与 N ot 组合进行模拟时提高了 0.4%。在 125°C 下，运行 10 年后读取操作的功耗高于写入操作，分别为 4.09 µW 和 0.443 µW`。观察到 6T SRAM 单元的性能取决于缺陷机制的类别、静态和动态模拟条件以及工作温度。
对脉冲电流激发下NBTI超导赛车圈的研究
摘要。超导体技术技术的关键问题之一是防止淬火的保护。在将超导体设计为磁铁，线圈甚至电流导线时，应进行设计，以使超导体承受所有操作条件，尤其是那些迅速出现的操作条件，以快速排放或脉冲载荷。在使用Simulia Opera Platform中使用有限元分析的脉冲传输电流条件（零外部场）研究了基于NBTI绕组的超导赛车线圈模型。通过将电容器排放到包括超导体线圈作为元素的RLC电路中，可以产生几毫秒的脉冲持续时间和超过1 ka的峰值电流。已经进行了包括热和电磁溶液的多物理分析。过渡到正常状态和淬灭的发生与预期的临界曲线以及现有线圈几何形状估计的负载线一致。
与国家技术孵化委员会合作...
与尼日利亚的国家技术孵化委员会（NBTI）合作进行技术孵化计划，通常涉及与我们合作，以支持技术和创新领域的创业公司和企业家。这是您可以采取的步骤来探索与NBTI的合作机会：
开发Cu-NB增强NB3SN电线
基于合金的NBTI电线和基于A15的基于A15的金属间com磅NB 3 SN线在许多超级导电设备中实际使用。尤其是，NB 3 SN线用于产生10 T或更高磁场的超导磁体中，超过了NBTI电线的临界磁场。但是，NB 3 SN线需要与NB-TI超导电线不同的ELEMENTAL技术，例如根据结构设计将其处理成通过将NB丝与CU-SN合金相结合的电线后的结构设计（未反应NB 3 SN SN线）后，根据结构设计将其处理为NB 3 SN生成热处理。此外，NB 3 SN生成热处理后的电线（反应NB 3 SN线）不仅在机械上易碎，而且具有超导特性，这些特性会因外部应变1）而发生变化，因此，将NB 3 SN生成的NB 3 SN生成治疗方法（W＆R）方法缠绕未隔离的NB 3 SN WIRE后，通常使用了COIL，通常使用了COIL。此外，由于需要在较大的电磁应力下的电流特性改善以提高磁铁的性能，以提高磁场的性能和较大的尺寸，因此有必要提高NB 3 SN线本身的强度，并通过将NB 3 SN SN Wires扭转在一起而产生的调节器。通过与Tohoku University的联合研究，Furukawa Electric Co.，Ltd。开发了使用新方法（NB-Rod div div> div>通过与Tohoku University的联合研究，Furukawa Electric Co.，Ltd。开发了使用新方法（NB-Rod div div> div>
SiC 和 Si 功率 MOSFET 中 BTI 的异同
摘要 — 偏置温度不稳定性 (BTI) 不仅在 4H 碳化硅 (4H-SiC) 功率 MOSFET 中是一个严重的可靠性问题，在 Si 技术中也是如此。尽管之前的研究表明，与 Si 相比，某些 SiC 器件的 BTI 漂移较大，但我们表明，通过改进器件工艺，现代 SiC 中的 BTI 可能变得不那么重要。正如将要展示的，NBTI 甚至可以降低到与 Si 功率 MOSFET 类似的漂移水平。此外，我们证明 SiC 和 Si 器件中的 BTI 具有许多共同的特征，例如可比的时间和电压变化。因此，SiC MOSFET 中的 BTI 可以用相同的经验和简单物理模型来描述，因此与基于 Si 的器件一样可预测。此外，这表明 SiC 和 Si 功率 MOSFET 中的 BTI 是由相同的物理退化原因引起的。
拓扑绝缘子中的非对称Fraunhofer光谱 -
Josephson与拓扑绝缘子作为其弱连接（S-TI-S结）的连接被预计将托管Majorana Fermions，这是为拓扑保护受拓扑保护的量子计算创建量子的关键。但是S-Ti-S电流相关的细节及其与磁场的相互作用尚不清楚。我们用NBTI导线制造了一个BI 2 SE 3连接，并使用施加的平面内字段来测量连接处的Fraunhofer图案。我们观察到，不对称的fraunhofer图案出现在B z，b x，y的电阻图中，并带有基因区的节点间距。这些不对称模式即使在零平行场中也出现，对于高达1 K的温度，它们也会与异常特征与预期有限的库珀配对动量移动和几何效应的不对称Fraunhofer模式进行比较。我们表明几何效应可以主导，而与平面场地幅度无关。这些结果对于将几何相移与库珀对动量转移，Majorana模式特征或其他非常规的超导行为而导致的几何相移很重要。
2017 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1.NBTI 在半导体领域的最新进展HKMG p-MOSFET 和 2。现代 FINFET、ETSOI 和全栅极 III-V 晶体管中自热的新兴挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（孟买印度理工学院）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学） • 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车公司 • AlGaN /GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔
2017 年 IRPS 会议论文集 - Squarespace
• 基本 FEOL 可靠性：栅极电介质中缺陷的产生会导致电介质击穿和器件性能下降 - Kenji Okada，TowerJazz 松下半导体 • 复合半导体可靠性 101 - Bill Roesch，Qorvo • 互连可靠性基础知识 - Zsolt Tokei，IMEC • VLSI 设计方法和可靠性设计验证 - Michael Zaslavsky 和 Tim Turner，可靠性模拟组 • 电迁移 101 - Cathy Christiansen，Global Foundries • NAND 闪存可靠性 - Hanmant Belgal 和 Ivan Kalastirsky，英特尔 • 芯片封装相互作用 (CPI) 及其对可靠性的影响 - CS Premachandran，Global Foundries • 故障分析的挑战 - 汽车和超越摩尔定律 - Ulrike Ganesh，博世 • 1. HKMG p-MOSFET 中 NBTI 的最新进展以及 2.现代 FINFET、ETSOI 和全栅极环绕 III-V 晶体管中自热的新挑战：从晶体管到平板电脑的视角 - Souvik Mahapatra（印度理工学院，孟买）和 Muhammad Ashraf Alam（普渡大学）• 汽车转型 - 从应用到半导体技术的成本、上市时间、可靠性和安全性驱动的设计优化 - Andreas Aal，大众汽车集团 • AlGaN/GaN 功率器件可靠性 - Peter Moens，安森美半导体 • 可靠性工程的系统遥测 - Rob Kwasnick，英特尔 • 高级 MOL 和 BEOL 可靠性 - Shou Chung Lee，台积电 • 汽车功能安全简介 - 历史、趋势和与可靠性的关系 - Karl Greb，NVIDIA • 相变存储器：从基础技术到系统方面和新应用 - Haris Pozidis，IBM • 系统可靠性 - Geny Gao，博士 • 先进封装和 3D 可靠性 - C. Raman Kothandaraman，IBM • 兼顾基于知识和基于标准的资格 - Bob Knoell，汽车电子委员会和 NXP • 自旋转矩 MRAM - Daniel C. Worledge，IBM • 现场容错、自我修复、检测和恢复技术的考虑因素 - Arijit Biswas，英特尔