XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemNIO
蔚来汽车 - 新加坡交易所
任何人均无权提供本介绍文件中未包含的任何信息或作出任何陈述，且任何未包含的信息或陈述均不得被视为已获得本公司或联合发行管理人的授权。本介绍文件的交付在任何情况下均不暗示其中的信息在本文件日期之后的任何日期是正确的，也不构成自本文件日期以来未发生任何可能导致本公司或本公司 A 类普通股的事务、状况和前景发生重大不利变化的变化或发展。如果发生此类变化且是重大的或法律、新加坡证券交易所和/或任何其他监管或监督机构或机构要求披露，本公司将向新加坡证券交易所作出公告。本介绍文件的接收者和我们 A 类普通股的所有潜在投资者应注意此类公告和文件，并且在发布此类公告或文件时，应被视为已收到此类变更的通知。本公司、联合发行管理人或我们或他们各自的任何关联公司、董事、管理人员、员工、代理、代表或顾问均未就此处包含的信息的准确性或完整性作出任何明示或暗示的陈述、保证或承诺，并且本介绍文件中包含的任何内容均不是或不应被视为本公司、联合发行管理人或我们或他们各自的任何关联公司、董事、管理人员、员工、代理、代表或顾问的承诺、陈述或承诺。
NiO/β-TiO2不稳定性实验研究...
摘要：制备了NiO/β-Ga2O3异质结栅场效应晶体管（HJ-FET），并通过实验研究了在不同栅极应力电压（VG,s）和应力时间（ts）下器件的不稳定性机制。发现了器件在负偏压应力（NBS）下的两种不同退化机制。在较低的VG,s和较短的ts下，NiO体陷阱捕获/脱捕获电子分别导致漏电流的减少/恢复。在较高的VG,s或较长的ts下，器件的传输特性曲线和阈值电压（VTH）几乎永久地负移。这是因为界面偶极子几乎永久地电离并中和了异质结界面上的空间电荷区（SCR）中的电离电荷，导致SCR变窄。这为研究NiO/β-Ga2O3异质结器件在电力电子应用中的可靠性提供了重要的理论指导。
解决方案中的二维radial-π堆栈-RSC Publishing
因此，电荷载体（P型MOX中的孔）运输发生在狭窄的HAL内，导致其高度电阻性行为。1因此，当使用p型金属氧化物用作活性传感层时，它们的响应即与加油分析物相互作用后，其电阻/电导率的变化很低。1为了提高其电导率，以实现对特定气体分析物的高反应，通常在高温下（300–500 1 C）进行P型MOX。3–6然而，高温操作导致高功耗阻碍了P型MOX的商业化。因此，在温度下达到P型MOX传感器o 300 1 C的高性能仍然是一个巨大的挑战。在这方面，该领域工作的研究人员正在尝试不同的
吉利与蔚来合作开发电池更换技术
对于此次与蔚来汽车的战略合作，吉利控股集团李书福表示：“绿色可持续发展、碳中和已成为全球共识。作为电动汽车充电最具创新性的方式之一，换电技术未来的发展需要行业各方的共同努力。吉利易充电目前已在全国多个城市运营，并取得积极成效，且发展势头强劲。通过此次换电战略合作，双方将加强换电产业链合作，加速统一标准的采用，拓展换电充电生态圈，助力汽车行业低碳转型和高质量发展，为用户带来更优质的电动出行体验。”
2.83 kV 双层 NiO/β-Ga2O3 垂直 pn ...
摘要：本文设计了高性能NiO/β-Ga 2 O 3 垂直异质结二极管（HJD），其具有由两层不同长度的p型NiO层组成的双层结终端扩展（DL-JTE）。底部的60 nm p-NiO层完全覆盖β-Ga 2 O 3 晶片，而上部60 nm p-NiO层的几何形状比方形阳极电极大10 μm。与单层JTE相比，双层JTE结构有效抑制了电场集中，使击穿电压从2020 V提高到2830 V。此外，双p型NiO层允许更多空穴进入Ga 2 O 3 漂移层，降低了漂移电阻，比导通电阻从1.93 mΩ·cm 2 降低到1.34 mΩ·cm 2 。采用DL-JTE结构的器件功率因数（PFOM）达到5.98 GW/cm 2 ，是传统单层JTE结构的2.8倍。这些结果表明，双层JTE结构为制备高性能Ga 2 O 3 HJDs提供了一种可行的方法。
参考：Nio。参考：Nio。
亲爱的校长，所有2-17岁的儿童都可以获取免费的流感疫苗。鼻流感疫苗直到2024年2月中旬为2-17岁的儿童提供。参与的GP实践和药房免费提供疫苗。将其作为鼻子喷雾剂，不需要注射。这是一种安全，轻松且无痛苦的方法，可帮助保护儿童今年冬天免受流感。流感在儿童中可能是严重的，儿童感染了流感，而不是成年人的两倍。尽管大多数感染流感的孩子都会出现轻度的症状，但有些孩子会患上肺炎或支气管炎等并发症，并且可能需要去医院。儿童，尤其是年幼的儿童，也比成年人更有可能患上严重的流感并发症。流感会导致儿童严重疾病，患有慢性健康状况的儿童最有患有严重并发症的风险。儿童流感症状包括
2024 年数字经济报告：安东尼奥·古特雷斯序言......
《2024 年数字经济报告》强调了我们日益依赖数字工具对环境的直接影响——从原材料枯竭、水和能源消耗、空气质量、污染到废物产生。人工智能和物联网等新兴技术加剧了这些影响。
对深缺陷的研究及其对NiO/B-GA2O3 HeteroJuncion Diodes
诺丁汉大学的物理与天文学学院，诺丁汉NG7 2rd，英国B物理学系，国王Khalid Rd的Taibah University-Yanbu科学系。Al Amoedi, 46423, Yanbu El-Bahr, 51000, Saudi Arabia c Department of Intelligent Mechatronics Engineering, Sejong University, 209 Neungdong-ro, Gwangjin-gu, Seoul 05006, Republic of Korea d Laboratory of Semiconducting and Metallic Materials (LMSM), University of Biskra 07000, Algeria e Physics Department, College of科学，乔夫大学，P.O。盒子：2014年，沙特阿拉伯萨卡卡，萨卡卡，物理系，科学与人文学院，萨克拉大学，萨克拉大学，11911年，沙特阿里比亚艾里比亚g物理系，阿尔巴哈大学，65931，65931，萨特阿拉伯，萨特阿拉伯，阿拉伯，大学 Riyadh 11671, Saudi Aribia i Departamento de Engenharia Elétrica, Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR), 13560-905 São Carlos, SP, Brazil j Departamento de Física, Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR), 13560-905 São Carlos, SP, Brazil,联邦联邦ESãoCarlosK-SãoCarlos物理研究所，圣保罗大学，PO Box 369，SãoCarlos，SéCarlos，SP 13560-970，巴西LectionalmodeciênciasbausbásicasBásicas-faculdadede Zootecnia e Engenharia e Engenharia deAlimentos，sep.5 dea pauliment，sucliendss secepta caudo sesp ando caudo caudo caudo souncyidide caudo caudo， Pirassununga，SP，巴西M微电学学院，西迪安大学，西安，中国北部，电力电子系统中心，弗吉尼亚理工学院和州大学，弗吉尼亚州布莱克斯堡，弗吉尼亚州，弗吉尼亚州24060，美国O物理学，美国联邦大学，欧罗大学联邦大学
NiN 钝化 NiO 空穴传输层改善卤化物钙钛矿基太阳能电池
摘要：无机选择性接触和卤化物钙钛矿 (HaPs) 之间的界面可能是使用这些材料制造稳定且可重复的太阳能电池的最大挑战。NiO x 是一种具有吸引力的空穴传输层，因为它适合 HaPs 的电子结构，而且高度稳定且可以低成本生产。此外，NiO x 可以通过可扩展且可控的物理沉积方法（如射频溅射）制造，以促进可扩展、无溶剂、真空沉积的基于 HaP 的太阳能电池 (PSC) 的探索。然而，NiO x 和 HaPs 之间的界面仍然无法得到很好的控制，这有时会导致缺乏稳定性和 V oc 损失。在这里，我们使用射频溅射来制造 NiO x，然后在不破坏真空的情况下用 Ni y N 层覆盖它。Ni y N 层在 PSC 生产过程中对 NiO x 进行双重保护。首先，Ni y N 层保护 NiO x 免受 Ar 等离子体将 Ni 3+ 物种还原为 Ni 2+ 的影响，从而保持 NiO x 的导电性。其次，它钝化了 NiO x 和 HaPs 之间的界面，保持了 PSC 的长期稳定性。这种双重效应将 PSC 效率从平均 16.5%（创纪录电池 17.4%）提高到平均 19%（创纪录电池 19.8%），并提高了器件稳定性。关键词：卤化物钙钛矿、太阳能电池、氧化镍、氮化镍、钝化、界面■简介