XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemNM
地方经济发展法案申请 - 新墨西哥州阿拉莫戈多
• 制造、加工或组装农产品或制成品的行业 • 储存、仓储、分销或销售农业、采矿或工业产品的商业企业 • 全部或部分为公众提供服务的企业（包括餐馆或住宿） • 印第安民族、部落、普韦布洛或部落公司 • 大部分销售额来自新墨西哥州以外的电信销售 • 农贸市场 • 大都市重建项目的开发商 文化设施。 • 文化设施 将优先考虑以下情况： • 符合所有环境标准的行业 • 不消耗大量水的行业 • 支付生活工资的行业 • 可以利用高技能退役军人的行业 • 办公室或服务行业，如电话营销或数据处理 • 将使当地劳动力市场多样化的行业 • 研究与开发 • 劳动密集型的轻装配或制造业
壳聚糖作为绿色光刻水显影 193 nm 光刻胶
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
质子诱导的单事件对28 nm Kintex-7 FPGA
现场可编程栅极阵列（FPGA）由于有能力，低价和高性能等优势，因此受到了各种领域的研究人员的广泛关注。商业FPGA越来越多地用于卫星和其他航天器中。然而，航空航天环境带来了严重的挑战，这是由于带电的颗粒可以轻松在基于SRAM的FPGA的资源中引起单事件效应（参见），例如可配置的逻辑块（CLBS）和块状-RAMS（BRAMS）[1]。因此，在将FPGA的敏感性应用于航空航天工程时，有必要评估它们的敏感性。考虑到单事件不适（SEU）是最常见的现象，因此对FPGA的SEU评估对于采用有针对性的方法来加强设备至关重要。随着技术的缩放，FPGA的特征大小降低到28 nm甚至更小，FPGA中每瓦的资源和性能量得到了极大的改善。seu发生时，当粒子弹动一个单个存储单元时，当粒子在同一帧中的几个位时，在FPGA中发生了多位upsess（MBU）。特征大小的降低的影响很复杂：降低特征大小会导致细胞之间的距离降低。然后粒子可以影响几个细胞，因此，MBU在FPGA上的概率变得更高。此外，还降低了导致浮动的LET阈值，这会导致SEU敏感性增加，这是由于特征尺寸的降低而增加[2]。已经对FPGA进行了大量研究，其特征大小为28 nm甚至更小。最近的工作[3]描述了不同的
1064 nm 激光攻击与热损伤相关性...
a 艾克斯马赛大学，CNRS，IM2NP，13451 马赛，法国。b SPINTEC，格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CNRS，CEA-SPINTEC，CEA，38000 格勒诺布尔，法国。摘要本文首次在读写操作过程中实时实验研究了 1064nm 激光攻击对 STT-MRAM 单元的影响，以了解传感电路在剧烈温度变化下的行为。技术设计必须考虑到这一点。我们重点介绍了激光发射过程中的读取电流变化，这可能会影响传感电路。我们测量了两种状态之间的切换概率以及照射时间、激光功率和单元尺寸的影响。我们将结果与宽温度范围内的电气特性相关联，表明攻击会以热方式影响 STT-MRAM 行为。总之，可以采取适当的对策。 1. 简介 一种很有前途的非易失性存储器，称为自旋转移力矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM)，它将快速写入操作与高密度和显着的耐久性（高达 1013 次循环）相结合 [1,2]。磁隧道结 (MTJ) 由 CoFeB/MgO/CoFeB 堆栈组成，其中 MgO 层用作隧道阻挡层。通过强制自旋极化电流通过设备，可以将单元从反平行 (AP) 状态编程为平行 (P) 状态和反之亦然。自旋电流的横向分量被自由层吸收，导致 CoFeB 铁磁材料磁化发生扭矩诱导反转，即自旋转移力矩 (STT) 效应 [3,4]，详见 [5]。磁化方向是 MTJ 中数据编码的形式，其读/写延迟由反转的随机性、器件尺寸和流过各层的电流控制 [6]。MTJ 的一个重要特性是隧道磁阻比 (TMR)，定义为 (R AP - RP )/RP ，其中 R AP 和 RP 分别是 AP 和 P 状态的电阻 [7]。本研究的目的是调查红外激光攻击如何影响读取和编程阶段的 STT-MRAM 行为。此外，我们还旨在了解激光攻击的物理贡献，这可能是
改进了基于Algainp的红色（670–690 nm）表面 -
Algainp材料技术在过去几年中一直在稳步发展，从而导致高性能的边缘发射激光〜EEL！1和红色的垂直腔表面发射激光器〜VCSEL！。2,3相对于Algainp系统，藻类受益于改进的指数对比度，降低的电阻和热电阻率，更成熟的加工技术，以及将碳用作p-型掺杂剂的能力，以实现出色的掺杂剂控制和稳定性。4然而，将基于ALGAINP的活性区与基于C的基于藻类的DBR集成是通过较差的载流子转运到AlgaInp活性区域的困难，并且无法将C用于Algainp合金中的P进行P。先前关于Algainp/ Algaas异质结构激光二极管的报道已在连接处的P侧使用Zn或Mg掺杂，以改善孔注射，5,6消除了使用藻类使用的潜在关键优势，并进一步使穿着物质扩散特征复杂化。7,8此类困难导致实施相对较厚〜8 L！红色VCSELS中的光腔6
通过 450 nm 强连续激光合成碳点
木炭的成分取决于许多因素，例如制备方法、燃烧的木材类型、水含量、氧和其他物质的功能团、地理区域、温度等。成分也可能因不同的制备方法而改变，制备方法可能使用不同的温度、氧气浓度或其他气体、处理时间、环境湿度和其他因素。木炭是一种绿色材料，含有不同量的氢和氧以及灰分和其他杂质，这些杂质与结构一起决定了它们的最终性质。木炭的大致成分可以从文献中获取，文献报告了以下以平均浓度的重量百分比表示的值 [12,13]：C = 66.9%：H = 4.4%；O = 7.6%；N = 1.3%；S = 1.1%；水分 = 7.2%；灰分 = 11.5%； Cl = 0.1%。
光学高数据速率 (HDR) 通信 - 1550 NM
– 奥地利空间局 (ASA)/奥地利。 – 比利时科学政策办公室 (BELSPO)/比利时。 – 中央机械制造研究院 (TsNIIMash)/俄罗斯联邦。 – 中国卫星发射和跟踪控制总院、北京跟踪和通信技术研究所 (CLTC/BITTT)/中国。 – 中国科学院 (CAS)/中国。 – 中国空间技术研究院 (CAST)/中国。 – 英联邦科学与工业研究组织 (CSIRO)/澳大利亚。 – 丹麦国家空间中心 (DNSC)/丹麦。 – 航空航天科学和技术部 (DCTA)/巴西。 – 电子和电信研究所 (ETRI)/韩国。 – 欧洲气象卫星应用组织 (EUMETSAT)/欧洲。 – 欧洲通信卫星组织 (EUTELSAT)/欧洲。 – 地理信息和空间技术发展局 (GISTDA)/泰国。 – 希腊国家空间委员会 (HNSC)/希腊。 – 希腊空间局 (HSA)/希腊。 – 印度空间研究组织 (ISRO)/印度。 – 空间研究所 (IKI)/俄罗斯联邦。 – 韩国航空宇宙研究院 (KARI)/韩国。 – 通信部 (MOC)/以色列。 – 穆罕默德·本·拉希德航天中心 (MBRSC)/阿拉伯联合酋长国。 – 国家信息和通信技术研究所 (NICT)/日本。 – 国家海洋和大气管理局 (NOAA)/美国。 – 哈萨克斯坦共和国国家空间局 (NSARK)/哈萨克斯坦。 – 国家空间组织 (NSPO)/中国台北。 – 海军空间技术中心 (NCST)/美国。 – 荷兰空间办公室 (NSO)/荷兰。 – 粒子与核物理研究所 (KFKI)/匈牙利。 – 土耳其科学技术研究理事会 (TUBITAK)/土耳其。 – 南非国家空间局 (SANSA)/南非共和国。 – 空间与高层大气研究委员会 (SUPARCO)/巴基斯坦。 – 瑞典空间公司 (SSC)/瑞典。 – 瑞士空间办公室 (SSO)/瑞士。 – 美国地质调查局 (USGS)/美国。
MiraSäe：基于GAAS的远场630 nm ...
半导体设备在电子行业中起着至关重要的作用。这些设备包括从领先的硅技术到复合半导体方法的各种类型。尤其是IIII-V复合半导体激光器在几十年中变得越来越重要，在各种领域（例如微电子，光电子学和光学电信）中找到了应用。半导体的多功能性允许对其属性进行自定义修改，以满足特定应用程序的需求。在设计光学元件时，半导体激光器的远场是至关重要的参数，因为许多半导体激光应用需要与单模光纤建立足够的连接。使用单模激光器设备，可以将更多功率传递到光纤。此外，从光学的角度来看，单模式激光器更好，因为光线更容易对齐。因此，使用单模半导体激光比构建复杂的光学系统要容易得多。在本文中，基于GAAS的630 nm区域半导体激光器的远场是与Modulight Corporation合作的优化。目标是了解制造步骤和选定的设备几何形状如何影响这些激光器的远场模式，从而改善对设备过程和过程产量的控制。远场高度依赖于激光设备的尺寸，因此，将两种不同的底物（638 nm和633 nm）与不同的尺寸一起使用以进行比较。除了远场外，还分析了光电压和光谱测量值。此外，为了更好地了解脊指导的光学特性和几何形状之间的依赖性，使用扫描电子显微镜测量了脊的尺寸。本论文中使用的激光条是通过光刻的步骤和等离子体蚀刻来捏造的。否则两个底物的处理都是相同的，但是633 nm底物的蚀刻时间更长，从而产生了更深的蚀刻深度。两个设备都使用了五个不同的脊宽度和三个不同的空腔长度。将实现的脊尺寸和调间模式行为与630 nm区域半导体激光结构的这些参数的建模结果进行了比较。脊的尺寸的表征结果显示了两个过程的各向异性和平滑档案。633 nm设备的蚀刻时间较长，导致脊比638 nm设备深507 nm，这是预期的。与638 nm设备相比，具有更深山脊的633 nm设备具有更深的山脊的阈值电流和输出功率变化较小。这项工作的目的是实现具有单模空间操作的激光器，该激光器是用633 nm激光器获得的。最佳尺寸为1000 µm的腔长为1.8 µm和3.4 µm的脊宽度，腔长为1500 µm，脊宽为2.2 µm。对于较浅的山脊深度，即638 nm激光器，所有选定的脊宽度和长度均显示多模具操作。此外，模拟结果很好地支持了实验结果。
25 GBAUD 850 nm VCSEL，用于延长温度范围
I.在高性能计算系统，数据中心和其他短距离光学网络中，垂直腔表面发射激光器（VCSEL）是高速和功率的高速和功率短次光学互连（OIS）的首选光源[1]。这样的OI通常在0至70°C的温度范围内运行。但是，基于VCSEL的OIS的某些新兴应用，例如在某些军事系统中的汽车光学网络[2]和光网络，需要在温度较大的范围内运行，例如从-40到125°C。VCSEL是OI温度敏感的组件，成本和功率效率所需的未冷却/未加热的操作，因此需要在温度依赖性降低的VCSEL上，在温度范围更大的情况下运行。在高温下降低温度依赖和改善的VCSER性能也将使基于VCSEL的光学收发器在高性能计算系统中的共包装受益[3]。
RF应力对100 nm x- ...
gan lna B. Pinault A，B，J.G。Tartarin a,b , D. Saugnon a , , R. Leblanc c a Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS-CNRS), Toulouse, France b Paul Sabatier University, University of Toulouse, Toulouse, France c OMMIC, Limeil-Brévannes, France Abstract In this article, we study the robustness of 3 versions of a single stage LNA configured根据对电磁干扰信号的探测率或鲁棒性的不同模式。将10 GHz处的RF步长的连续序列应用于研究的3个LNA中的每个序列。这些强大的MMIC LNA是使用OMMIC技术的D01GH GAN工艺设计的，从名义低噪声模式转换为高线性模式。此DC偏置开关允许将功率输入1DB压缩点增加8 dB。本研究的重点是这些LNA（敏捷的LNA #A）在标称低噪声模式（具有较低IP 1DB）或标称高性线模式（以退化的噪声图NF 50的价格）下进行操作时的鲁棒性。使用较大尺寸的设备（可鲁棒的LNA #R）将此原始的LNA #A与强大的常规设计进行了比较。踩压在10 GHz的过程中，这是这些LNA的中心频带。所有操作模式均显示出表现出相当可重现的阶跃应力图，尽管可以在低噪声和高线性操作条件之间区分热或非线性效应，并且与强大的设计LNA #R相比。引言由于其内在特性，GAN LNA提供了有趣的解决方案，用于需要高探测性和鲁棒性来攻击的应用。我们证明了用于实现自然电子保护的常规LNA电路设计策略的替代方法的相关性，而没有放置LNA #A或LNA #R之前放置的限制器，或者无需关闭DC偏见：此保护选项受益于将LNA保持在操作中的lna，即在事件输入信号增加的情况下，即使在Electial defraded Inflad decrademention中，在运行率发现的情况下，n. RF步长应力。它允许对接收器进行新的定义，因为它们还可以集成RF滤波器，并且可以承受比GAAS对应物更高的温度。因此，它们是雷达和电信应用的出色候选人。系统能够承受高水平RF功率的能力通过其在最终攻击中保持运行的能力来评估，也可以在压力周期后返回名义操作模式。为了充分利用氮化岩的特性，我们设计了一个能够在两个不同静止点上自我配置的LNA，从而可以将低噪声图（NF 50）和高1DB压缩点组合在设备输入（IP 1DB）。然后，图1所示的相同LNA #A能够在标称低噪声模式下运行（NF 50 = 0.95 db / ip 1db = 4 dbm），并在强烈的线性模式下< / div>