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标准库单元对 IHP 250 nm 技术中光学故障注入攻击的敏感性
物联网 (IoT) 在我们的生活中变得越来越重要。原因之一是技术小型化。它可以降低功耗并在每片芯片面积上放置更多晶体管，从而提高制造成本。这些优势是大规模部署 WSN 的重要标准。然而，随着技术小型化，半导体设备更容易受到辐射和其他故障源的影响，例如温度、频率、电压、光影响等波动。因此，光学（激光）故障注入 (FI) 攻击变得更加可能。光学 FI 攻击属于半侵入式攻击 [1]。这种类型假设攻击者不仅要获得对设备本身的物理访问权限，还要获得其内部结构的物理访问权限。因此，它通常需要对被攻击设备进行一些初步准备，例如对被攻击芯片进行解封装。有关所有其他类型的详细信息，请参阅 [1]。FI 攻击的目标是引发错误，使设备切换到非预期的操作模式。利用设备的这种运行状态并观察其输出，敏感数据可能会泄露。
超快双模式预定器的设计和相位噪声测量130 nm sige：c bicmos
摘要 - 高速和功率电路的设计复杂性增加到更高的操作频率。因此，此手稿概述了如何使用两个可切换除法比率为4和5的双重模数预分量器设计和优化完全差异的发射极耦合逻辑（ECL）门。第一个预拉剂被优化为最高的运行频率，分别为5和4的分别为142 GHz，甚至166 GHz。此外，另一位预拉剂已针对广泛使用的80 GHz频段进行了优化，该频段已由汽车行业大量促进，并且该域中有大量组件。可以在具有较宽的除法比率范围的完全可编程频率分隔线中使用两个预分量员。作为对具有出色噪声性能的频率转换设备的添加期噪声的测量非常具有挑战性，因此在理论上进行了讨论，并实际上进行了。在100 Hz的集成极限内，测得的抖动在500 AS和1.9 FS之间，最高为1 MHz偏移频率。
使用1550 nm泵送非线性光电导率GAAS元面的连续波Terahertz检测
摘要：Terahertz（THZ）连续波（CW）光谱系统可以通过拍摄高性能电信（1530-1565 nm）激光器来提供极高的光谱分辨率。然而，这些系统中的典型THZ CW检测器使用狭窄的带隙光电导体，这些光接合器需要精心生长并产生相对较大的检测器噪声。在这里，我们证明了纳米结构的低温种植GAA（LT-GAAS）的跨表情中的两步光子吸收，该元面可在大约一个picsecond中切换光导率。我们表明，尽管带隙是电信激光光子能量的两倍，但LT-GAA可以用作CW THZ检测器中的超快光电自动导体。元图设计利用了LT GAAS谐振器中的MIE模式，而THZ检测器的金属电极可以设计以支持附加的光子模式，从而进一步增加了所需波长下的光电导率。
22 nm FD-SOI 中具有可变增益控制和开关功能的 60 GHz 宽带 LNA
摘要 本文研究了一种具有可变增益控制的 60 GHz 低功耗宽带低噪声放大器 (LNA)。为了证明这一概念，该电路采用 22 nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) CMOS 技术实现。它通过增益峰值（增益分配）技术支持 60 GHz 的宽带操作。通过调整放大器的一些关键匹配网络，每级的峰值增益被分配到不同的频率，从而产生整体宽带频率响应。该电路由三个级联共源共栅放大器级组成。匹配网络针对带宽和噪声系数进行了优化。晶体管背栅用于 LNA 设计，以将电路切换到低功耗待机模式。这避免了基于前栅的切换在电压击穿和电路稳定性方面的问题。此外，通过背栅实现了在如此高频率下同时实现可变增益控制。与基于前栅的相比，基于背栅的可变增益控制可以实现增益的连续微调，同时对控制电压的精度或分辨率要求较低。在测量中，增益通过背栅成功从 20 dB 调低至 − 25 dB。在 1 V 标称电源的 8.1 mW 直流功率下，LNA 提供 20 dB 的峰值增益、18.5 GHz 的带宽和 3.3 dB 的最小噪声系数。当偏置在 0.4 V 的降低直流电源下时，所给出的电路仅消耗 2.5 mW 的直流功率，并且仍然提供 10 dB 的功率增益和约 4.5 dB 的最小噪声系数。通过切换到待机模式，LNA 在标称电源下消耗 850 µ W 的直流功率，在降低电源下消耗 240 µ W 的直流功率。与之前报告的设计相比，LNA 表现出色，具有最低的噪声系数以及具有竞争力的增益、带宽和直流功率。据作者所知，这是第一款通过单独的背栅偏置具有联合可变增益控制和切换功能的 60 GHz LNA。
适用于汽车雷达传感器的 28 nm FD-SOI CMOS 技术的 40 GHz VCO 和分频器
摘要：本文介绍了一种 40 GHz 压控振荡器 (VCO) 和分频器链，采用意法半导体 28 nm 超薄体盒 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺制造，具有八层金属后道工艺 (BEOL) 选项。VCO 架构基于带有 p 型金属氧化物半导体 (PMOS) 交叉耦合晶体管的 LC 谐振腔。VCO 通过利用可通过单个控制位选择的两个连续频率调谐带，展现出 3.5 GHz 的调谐范围 (TR)。在 38 GHz 载波频率下测得的相位噪声 (PN) 分别为 - 94.3 和 - 118 dBc/Hz（频率偏移为 1 和 10 MHz）。高频分频器（频率从 40 GHz 到 5 GHz）采用三个静态 CMOS 电流模式逻辑 (CML) 主从 D 型触发器级制成。整个分频器因子为 2048。低频分频器采用工作频率为 5 GHz 的 CMOS 触发器架构。VCO 核心和分频器链的功耗分别为 18 和 27.8 mW（电源电压为 1.8 和 1 V）。使用热室在三个结温（即 − 40、25 和 125 ◦ C）下验证了电路的功能和性能。
开发用于基于 16 nm FinFET 的 FPGA 老化测量的高精度和稳定性测试台
本文介绍了一种测试台的开发，用于测量 Xilinx 的 Zynq UltraScale + FPGA 中使用的 16nm FinFET 的老化情况。在设置中选择并实施了环形振荡器 (RO) 漂移测量方法。然而，RO 电路不仅对老化敏感，而且对温度和电压也敏感。为了减轻对温度和电压的不良敏感性，我们安装了一个调节系统来控制 FPGA 的温度和内部电压，并根据温度和电压表征 RO 频率以应用后测量补偿。我们通过使用 GPS 信号作为时间参考改进了测量电路。进行了 1000 小时测试，测试温度为 (T FPGA = 100 ◦ C) ，测试温度为 (V FPGA = V nom + 25%)，结果显示 RO 频率漂移明显低于 0.1%，测量精度为 0.9 × 10 − 4。
超小金纳米粒子（2 纳米）在六细胞脑球体模型中穿过血脑屏障的运输
血脑屏障 (BBB) 是分子和药物的有效屏障。多细胞 3D 球体显示出可重现的 BBB 特征和功能。这里使用的球体由六种脑细胞类型组成：星形胶质细胞、周细胞、内皮细胞、小胶质细胞、少突胶质细胞和神经元。它们形成体外 BBB，调节化合物进入球体的运输。通过共聚焦激光扫描显微镜研究了荧光超小金纳米粒子（核心直径 2 纳米；流体动力学直径 3-4 纳米）在 BBB 中的渗透随时间的变化，以溶解的荧光染料 (FAM-炔烃) 作为对照。纳米粒子很容易进入球体内部，而溶解的染料本身无法穿透 BBB。我们提出了一个模型，该模型基于纳米粒子随时间打开 BBB，然后快速扩散到球体中心。当球体经历缺氧（0.1% O 2 ；24 小时）后，血脑屏障的通透性增强，允许更多的纳米颗粒和溶解的染料分子被吸收。结合我们之前观察到的这种纳米颗粒可以轻松进入细胞甚至细胞核，这些数据证明超小纳米颗粒可以穿过血脑屏障。
高分辨率运动型X射线光学器件通过405 nm 3D激光光刻
X射线的有效聚焦对于高分辨率X射线显微镜至关重要。称为运动型的衍射X射线光学在理论上提供了最高的焦点效率。但是，由于它们的纳米制作，它们长期以来一直无法使用。最近，使用3D激光光刻在近红外波长下实现了包括运动型在内的各种X射线光学几何形状。由于运动型的最小特征（周期）决定了解决能力，因此有一种自然的动力来寻找用较小特征的kino形式制造的kino形式。在这里，使用具有405 nm的激发波长的定制3D激光光刻设置，与以前的工作相比，它允许将运动型的最小时期一半。在扫描传输X射线显微镜图像分辨率方面提高了40％，即145 nm的截止分辨率，在700 eV时效率为7.6％。通过磁性样品的PtyChographic Imageing证明了一个重建的像素大小为18.5 nm，达到了显微镜设置的设计极限，该磁性样品的对比度强烈降低。此外，由405 nm 3D激光光刻制造的X射线镜头有可能比其他手段制成的X射线镜头便宜得多。
Microwind中引入5 nm FinFET技术
虽然DVD，平面屏幕，汽车设备和3G手机在2002 - 2007年期间刺激了市场恢复，但2008年的“次级银行崩溃”再次减慢了电子经济的速度。在2010-2015时期，与现代社会有关的新市场，例如可再生能源，4-5G智能手机，物联网（IoT）和高分辨率电视，导致了可持续增长。后者在2019/2020年得到了确认，可能是通过电子设备维持相对稳定的全球经济需求的不断增强的，这是由COVID大流行触发的卫生危机。大流行还改变了消费者的行为，并从2020年中期开始促进了个人计算机，智能手机，娱乐设备的销售，并导致了2021年全球芯片短缺，特别是在汽车和数据中心行业。分析师说，全球芯片销售在2021年应达到8％（估计估计是2020年增长的4％）。
高功率，狭窄的线宽固态深紫外线激光在193 nm处通过LBO晶体中的频率混合
摘要。在LBO晶体中具有两个阶段，在193 nm处有60兆瓦的固态深紫外线（DUV）激光器，狭窄的线宽。泵激光器分别来自258 nm和1553 nm，源自自制的YB-Hybrid激光器，分别采用了第四次谐波产生和ER掺杂的纤维激光器。YB-HYBRID激光器最终是功率缩放的2 mm×2 mm×30 mm YB：YAG散装晶体。伴随着221 nm的220兆瓦DUV激光器，193 nm激光器的平均功率为60 mW，脉冲持续时间为4.6 ns，重复速率为6 kHz，线宽约为640 MHz。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。 值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。 我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。据我们所知，这是有史以来报告的LBO晶体产生的193 nm激光和221 nm激光的最高功率，也是193 nm激光的最狭窄线宽。值得注意的是，转化效率为221至193 nm的转化效率为27％，为258至193 nm的转化效率，这是迄今报告的最高效率值。我们展示了LBO晶体生产数百毫克甚至瓦特级193 nm激光器的巨大潜力，这也铺平了一种新的方式来产生其他DUV激光波长。