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技术尖头 - vlsi-2022-final.pdf
近年来，IMEC开发了其埋藏的电力导轨（BPR）技术，将晶体管下的功率导轨推动了较低的IR下降和增加路由密度的双重好处，因为信号路线和动力路线不再存在路线冲突。此处IMEC通过新颖的路由方案报告了缩放的FinFET，从而通过BPR从两个晶圆侧启用了功率连接。在VIAS模式接触到P/N S/D-EPI和BPR之后的前沿，在单个金属化步骤中使用优化的Prectean进行，同时保留良好的接触接口。晶圆翻转后，粘合和极度变薄，高度缩放的323nm深纳米 - 直通式 - 抗数（NTSV）在BPR上土地，具有紧密的覆盖控制和不变的BPR耐药性。通过将动力输送网络转移到背面，它提供了较少的动态和静态IR降低，从2NM设计规则下为低功率64位CPU生成的芯片电源热图预测。p/nmos在背面处理后显示出相似甚至上级离子-IOFF，并且添加了额外的退火，以进行VT恢复，移动性和BTI改进。
一种用于实现随机二进制尖峰时间相关可塑性的 CMOS-忆阻器混合系统
本文介绍了一个完全实验性的混合系统，其中使用定制的高阻态忆阻器和采用 180 nm CMOS 技术制造的模拟 CMOS 神经元组装了一个 4 × 4 忆阻交叉脉冲神经网络 (SNN)。定制忆阻器使用 NMOS 选择晶体管，该晶体管位于第二个 180 nm CMOS 芯片上。一个缺点是忆阻器的工作电流在微安范围内，而模拟 CMOS 神经元可能需要的工作电流在皮安范围内。一种可能的解决方案是使用紧凑电路将忆阻器域电流缩小到模拟 CMOS 神经元域电流至少 5-6 个数量级。在这里，我们建议使用基于 MOS 阶梯的片上紧凑电流分配器电路，将电流大幅衰减 5 个数量级以上。每个神经元之前都添加了这个电路。本文介绍了使用 4 × 4 1T1R 突触交叉开关和四个突触后 CMOS 电路的 SNN 电路的正确实验操作，每个电路都有一个 5 个十进制电流衰减器和一个积分激发神经元。它还演示了使用此小型系统进行的一次性赢家通吃训练和随机二进制脉冲时间依赖可塑性学习。
电可擦除EEPROM存储单元的结构设计
EEPROM是一种电可擦写可编程存储器，技术成熟稳定，成本低廉，是日常生活中电子产品应用中的主流，人们使用它的场合非常多，在个人身份证、银行卡、医保卡、交通卡等与个人财产密切相关的智能卡领域，以及在通讯系统和PDA、数码相机等消费电子产品领域，都使用到EEPROM。在仪器仪表和其他嵌入式系统中，如智能流量计，通常需要保存设置参数、现场数据等信息，这就要求系统掉电时不丢失，以便下次能恢复原来设置的数据，因此需要一定容量的EEPROM。通过存储单元的浮栅管上电子的存储或释放，读出浮栅管时，存储器呈现导通或截止状态，因此会判断其逻辑值为“0”或“1”。逻辑“0”或“1”的定义根据产品的逻辑设计而有所不同。本工作设计了一个由两个晶体管组成的存储单元，NMOS管作为选择管，由字线控制，可以承受一部分高压，降低浮栅晶体管超薄氧化层被击穿的概率。本文设计的EEPROM器件模型作为存储管，可以很好地通过隧道氧化层来存储数据，实现更好的存储功能、更高的工作效率和更低的功耗。
高分辨率连续CMOS比较器的自动偏移校准方法
高精度，连续模拟比较器被广泛用于信号检测，警报保护和其他字段。提出了一种用于高分辨率连续CMOS比较器（CMP）的自动偏移校准方法。根据短输入格式CMP的第一个输出，校准逻辑将选择适当的例程来计算最佳的修复装饰位。添加了两个校准代码并取平均值以获取实际代码。这主要考虑到比较器翻转可能会延迟一定的事实，这会导致与最佳校准代码的偏差。可以通过平均搜索结果从低到高以及从高到低点来抵消搜索错误的这一部分。根据不同的设计需求，可以通过调整最小的N频道金属氧化金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物（NMOS）与主输入对的相对比。电路实现基于使用5 V IO设备的110 nm闪存过程。分析和仿真结果表明，很容易实现少于1 mV的偏移，这适用于商业用途。所提出的自动偏移校准方法不会增加当前的消耗，并且可以轻松地转移到其他先进的技术流程，这使其有望将来使用。
MLX90614 系列 - SparkFun Electronics
注意：所有通信和刷新率时序均针对标称校准的 HFO 频率给出，并将随此频率的变化而变化。1.所有 PWM 时序规格均针对单个 PWM 输出给出（MLX90614xAx 的出厂默认值）。对于扩展 PWM 输出（MLX90614xBx 的出厂默认值），每个周期的时序规格为原来的两倍（请参阅 PWM 详细描述部分）。对于大电容负载，建议使用较低的 PWM 频率。热继电器输出（配置时）具有 PWM DC 规格，可以编程为推挽或 NMOS 开漏。PWM 是自由运行的，上电出厂默认为 SMBus，详情请参阅 7.6“在 PWM 和 SMBus 通信之间切换”。2.有关 12V 应用上的 SMBus 兼容接口，请参阅应用信息部分。SMBus 兼容接口在 SMBus 详细描述部分中有详细描述。一条总线上 MLX90614xxx 设备的最大数量为 127，如果设备数量较多、总线数据传输速率更快、总线无功负载增加，建议使用较高的上拉电流。MLX90614xxx 始终是总线上的从设备。MLX90614xxx 可以在低功耗和高功率 SMBus 通信中工作。除非另有说明，所有电压均指 Vss（接地）。5V 版本 (MLX90614Axx) 不提供省电模式。
案卷编号 2058-23 参考号： 签名 日期 亲爱的
如果满足以下条件，A、B 或 C 区中拥有 PMOS“…6332…”的下士至枪炮士官均有资格。必须拥有至少一个必要的 MOS (NMOS) 和当前资格：6012-安全飞行 (SFF) 管制员、6016-附带职责检查员 (CDI)、6017-附带职责质量保证代表 (CDQAR)、6018-质量保证代表 (QAR) 或 6242-飞行工程师。必须当前被分配到以下 MCC，重新入伍 48 个月，并同意在前 24 个月（当前合同结束后）留在指定的 MCC，除了第 3.m、3.n 和 3.o 段中列出的 PMOS 奖金金额外，还将获得 20,000 美元的奖励。如果第 3.m、3.n 和 3.o 段未列出 PMOS 奖金，则海军陆战队员可获得 20,000 美元的一次性奖金。授权用于飞机维护奖金的监控命令代码 (MCC)：“…V81…” B 区适用于服役 6 至 10 年的现役海军陆战队员。如果海军陆战队员在重新入伍之日服役正好 10 年，并且之前未获得过 B 区 PMOS 奖金，则可获得 B 区 PMOS 奖金。重新入伍至少 48 个月义务服役的海军陆战队员的 B 区 PMOS 奖金授权金额如下（重新入伍 36 至 47 个月义务服役的海军陆战队员的奖金将按照第 3.j 段计算）。此外，已批准 MOS 6332 的“B”区 SRB，上限为 7,000 美元，E-6，用于 48 个月的额外义务服务。2022 年 9 月 22 日，您的职业现役重新入伍申请已提交，并于 2022 年 11 月 3 日获得 HQMC 批准。此外，据指出，从 2022 年 11 月 7 日起重新入伍 4 年零 5 个月，将导致 SRB 支付 31,000 美元，用于 48 个月的额外义务服务。根据 2022 年 10 月 24 日发布的 MARADMIN 557-22，本 MARADMIN 宣布对 MARADMIN 295/22 进行更改，并一直有效到 2023 年 9 月 30 日或另有说明。MARADMIN 295/22 的第 3.n 段特此更改为以下内容。变化包括增加 6317 和 6332 的奖金金额。此外，还批准了 MOS 6332 的“B”区 SRB，上限为 31,000 美元，E-6 及以上，额外义务服务 48 个月。2022 年 11 月 7 日，您重新入伍 4 年零 5 个月，ECC 为 2027 年 4 月 6 日。2023 年 1 月 6 日，您从 ，（ ）转入，并于 2023 年 1 月 23 日加入 ，，（ ）执行任务。您要求支付 20,000 美元的 FY23 飞机维修津贴；董事会在审查您的整个记录和申请时，仔细权衡了所有可能的减轻因素，包括您的主张。然而，委员会得出结论，根据 MARADMIN 295/22，要想获得飞机维修员的资格，你必须拥有 NMOS，这是一项现行资格，并且目前被分配到列出的 MCC 之一，并且在重新入伍后仍留在指定的 MCC 24 个月。在您重新入伍时，您没有被分配到指定的 MCC；因此，您没有资格获得飞机维修津贴。
后端VLSI设计课程内容
Course Content: Module 1: INTRODUCTION TO VLSI DESIGN: What is VLSI Design and Microelectronics / Practical Applications of Integrated Circuits / Why study VLSI Design and Microelectronics / Career Prospects in VLSI Design / ASIC Design Flow / Types of Integrated Circuits ( Full Custom / Semi Custom / Gate Array ) / State of the Art in VLSI Design.模块2：MOSFET的操作和建模：MOSFET作为开关 / NMOS和PMOS晶体管 / MOS设备 / MOS设备的物理 /操作 /电流方程在不同区域 /阈值电压 /身体效应 /车身效应 /通道长度调制 /速度饱和 /短通道效果 /简短通道效应 /简介Spice Simulation。模块3：CMOS工艺技术和芯片制造：半导体晶体生长 /晶圆制剂的简介 /外交 /氧化 /扩散 /光刻 /金属化 /金属化 /蚀刻 /芯片包装和测试。模块4：数字CMOS电路的电路设计和布局：组合和顺序电路 /逻辑门 /闩锁和flops和flops /逻辑设计样式 /逻辑系列。模块5：CMOS模拟电路设计 - 简介：MOSFET / MOS模型 /电流源 /电流镜像 /差分放大器 /比较器 / opamp / opamp / bgr / dac / dac / adc / pll / rf电路的电流方程。模块6：模拟布局 - 概述：电阻器 /电容器 / MOSFET /匹配技术的布局（互构化和公共质心布局） /可靠性问题 - 电气移民 / ir drop / crosstalk / crosstalk / latchup / eSD / eSD /天线效应。行业标准EDA / CAD介绍模拟布局。
drv3233-q1汽车24/12-V电池3相门驱动器单元具有准确的电流感应和增强的诊断数据表（Rev. a）
•AEC-Q100有资格用于汽车申请 - 温度选项： - drv323333php：–40°C至 +150°C，T A - DRV3233QPHP（预览）：–40°C：–40°C至 +125°C， +125°C，t•功能安全系统 - 可实现的系统范围262 26226262226262222222. up to ASIL D targeted • Three phase half-bridge gate driver – Drives six N-channel MOSFETs (NMOS) – 4.5 to 60-V wide operating voltage range – Bootstrap architecture for high-side gate driver – Charge pump for 50mA average gate current – 100% PWM duty cycle support – Overdrive supply of external switches • Smart Gate Drive architecture – 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink) – Three-step dynamic drive current control – Soft shutdown for power stage protection • Low-side Current Sense Amplifier – Sub-1 mV low input offset across temperature – 9-level adjustable gain • SPI-based detailed configuration and diagnostics • DRVOFF pin to disable driver independently • High voltage wake up pin (nSLEEP) • Multiple PWM interface options available – 6x, 3x, 1x PWM Modes – PWM over SPI • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs • Optional programmable OTP for reset settings • Advanced and configurable protection features – Battery and power supply voltage monitors – Phase feedback comparator – MOSFET V DS and R sense over current monitors – Analog Built-In-Self-Test, Clock monitors – Fault condition indicator pin
赖布尔国家技术学院
UNIT-I 布尔代数与逻辑门概述：数字系统和代码、二进制算术、布尔代数、开关函数最小化、德摩根定理、卡诺图方法（最多 4 个变量）、奎因麦克拉斯基方法、不关心条件和多输出开关功能的情况。 UNIT-II 组合电路：NAND / NOR 门、开关函数的实现、半/全加器、半/全减器、串联和并联加法、BCD 加法器、前瞻进位生成器、解码器和编码器、BCD 到 7 段解码器、多路复用器和多路分解器、奇偶校验位生成器和检测器错误检测。 UNIT-III 顺序电路：寄存器和计数器简介：触发器及其转换、激励表、同步和异步计数器以及顺序电路的设计：代码转换器和计数器。模式-k 和除以 K 计数器、计数器应用。UNIT-IV 逻辑系列：RTL、DTL、所有类型的 TTL 电路、ECL、电路、I2 L 和 PMOS、NMOS 和 CMOS 逻辑等的操作和特性。 UNIT-V 存储器和转换器：介绍各种半导体存储器和 ROM 和 PLA 的设计，介绍模拟/数字和数字/模拟转换器及其类型（R-2R 梯形网络和逐次逼近转换器） 教科书名称 1. WH Gothman，“数字电子学” PHI 2. RP Jain：“现代数字电子学”，TMH 参考书名称： 1. RJ Tocci，“数字系统原理与应用” 2. Millman Taub，“脉冲、数字和开关波形” TMH 3. MM Mano：“数字逻辑和计算机设计”，PHI。 4. Floyd：“数字基础”，UBS。 5. B. Somanathan Nair，“数字电子学与逻辑设计”，Prentice-Hall of India
AN1158：使用 Intersil 数字控制电位器 (XDCP) 进行设计
简而言之，电位计的分辨率是相邻抽头位置之间差异的度量。在比率应用中，这对应于电压阶跃，而在电阻应用中，分辨率更接近于增量电阻。理论分辨率可以定义为输出比率可调节的灵敏度的测量值，相当于抽头数（忽略零抽头）的倒数，以百分比表示。可以设置的精度通常称为可调性或可设置性。在标准 XDCP 上，硬件设计人员可以使用 256、124、32 或 16 个抽头，分别提供 1.01%、1.59% 和 3.23% 的分辨率。这些分辨率在各个抽头之间大致恒定（尽管相对线性度更保守地指定为 20%），并且电位计在滑动片移动时表现出单调行为。对于四路器件（例如 X9241A），可以使用软件命令实现内部级联，最多允许 253 个抽头（0.39% 分辨率）。在新一代 XDCP 上，使用双 128 抽头和双 256 抽头器件甚至可以实现更高的分辨率。但是，对于标准 XDCP，使用外部硬件或使用某些软件方案已经可以实现极高的分辨率（请参阅 Intersil 应用笔记 AN43“软件实现高分辨率非易失性数字电位计”）。类似的分析将成立