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1 产品简介 .......................。。1 1.1 概述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.2 特点 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.3 应用。。。。。。。。。。。。。。。.............1 1.4 快速参考数据。.....................1 2 置顶信息。....................2 3 订购信息 ..............。。。。。。3 4 标记。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 5 极限值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 6 热特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 7 特征。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 8 封装轮廓。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 9 包装信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 10 修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 11 法律信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.1 数据表状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.2 定义。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.3 免责声明。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.4 商标。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 12 联系信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 13 目录 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10
NPN 硅平面外延晶体管,适用于 GHz 范围内的宽带应用,例如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话(CT1、CT2、DECT 等)、雷达探测器、卫星电视调谐器 (SATV)、MATV/CATV 放大器和光纤系统中的中继放大器。
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图 9. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系;典型值 图 10. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系;典型值
图 9. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系;典型值 图 10. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系;典型值
图1所示的垂直NPN设备制造的标准过程始于P类型基板。基板在将制造NPN设备设备的区域中植入N型掺杂剂(例如砷)。该植入物被称为埋藏层,因为下一步是N型硅的外延生长。掩埋层的板电阻远低于外延层的电阻。AR分离扩散是用诸如硼的P Tyne掺杂剂进行的。这会产生由P型隔离所包围的N型材料的电隔离岛。是这些N型区域,它们是侧向NPN设备的收集器。直接在这些区域的下方将是先前讨论的埋藏层。掩埋层通过为电流流动创造低电阻路径来降低收集器电阻。这是产生所需的电气设备特性所需的。进入N型岛群体被扩散为P型硼基。当将N型掺杂剂(如磷)扩散到碱基中时,发射极会形成。垂直NPN结构现在很明显。
npn -pnp- junctions-junctions-junctions-junctions-formelent-rescrent方程 - CE的输入和输出特征,CB CC--H参数模型,EBERS MOLL模型-Mesfet-Mesfet,Schottky Barrier Diode-Zener diode-Zener diode-diode-pin-pin diode-pin diode-diode-diode-droactor diode。III单元现场效应晶体管和电源设备6
********问题:P6_49 **************** ****** 主电路从此处开始*************** Q1 VC VB 0 QECL RB VCC VB 12.1k TC=0,0 RC VC VCC 1.35k TC=0,0 V1 VCC 0 5Vdc ****** 主电路从此处结束******************************************* *********** ECL BJT 模型从此处开始******************************* .model QECL NPN(Is=0.26fA Bf=100 Br=1 Tf=0.1ns Cje=1pF Cjc=1.5pF Va=100) *********** ECL BJT 模型从此处开始*******************************