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截至2023年7月5日-IEEE NPSS
技术计划将于7月25日星期二至7月28日（星期五）举行。NASA Goddard太空飞行中心的Jonny Pellish是技术计划主席。Jonny和他的技术委员会将选择9届口头演讲会议和海报会议（Jeff George，Los Alamos National Laboratory - Hoster -Poster Seaper）的杰出贡献论文，该论文支持所有会议。此外，技术委员会将为辐射效果数据研讨会（Andrea Coronetti，Cern - Redw主席）选择一组质量演示文稿。研讨会海报将对电子和光子设备和系统以及新的仿真或测试设施呈现辐射效应数据。最后，乔尼（Jonny）计划邀请三位引人入胜的演讲嘉宾进行一般兴趣演讲。
尘埃等离子体 - IEEE NPSS
工业中的“灰尘”颗粒 - 污染物或商品：在微电子工业中，化学活性等离子体用于进行等离子蚀刻，以形成数百万个微观电路元件（例如晶体管），这些元件是所有现代电子产品的核心。这些条件与灰尘在等离子体中形成的条件完全相同！由于现代微电子使用的电路元件通常小于 10 纳米，因此这种大小的灰尘颗粒很容易损坏和污染加工后的芯片。然而，灰尘颗粒不仅仅是一种滋扰，它们可能是一种重要的商品。例如，纳米颗粒嵌入太阳能电池中以提高光收集效率，可用作抗菌剂，甚至用于改进计算机内存。1,2
微电子的血浆| IEE NPSS
图5：硅等离子体蚀刻的示意图。在光孔中的模式转移到SIO 2（SIO 2）中（此处未显示，也使用等离子体蚀刻）后，硅（Si）暴露于AR /Cl 2 /O 2等离子体。Cl 2仅攻击SI而不是SIO 2。在蚀刻线时，将暴露的Si侧壁氧化：血浆中的氧与Si形成SiO 2的薄层Si结合。此“氧化物”层可保护侧壁免受Cl 2蚀刻。该特征的底部也被氧化。，但氩离子（AR+）垂直加速了RF偏置打击仅特征的底部（而不是侧面）去除薄氧化物层并暴露基础的Si（XSI），以将其蚀刻为Cl 2。暴露的硅（XSI）被氯原子蚀刻，从而释放了气态SICL 4。（来源：TEL）
NSREC -2021Brochure.pdf -IEEE NPSS
“我很高兴邀请您参加IEEE NSREC 2021。今年的会议将再次以世界范围的在线格式举行。当我们开始看到关于19009年大流行的“隧道末端的光”时，在我们的时间范围内仍有太多的不确定性在我们的时间范围内举行一次面对面的会议。考虑到您的安全性和您的旅行能力，我们的会议委员会正在设计一种在线格式，可以最好地确保会议在技术上有用，易于浏览，并且提供个人互动的体验。这些仍然是深刻的时期，但我们相信该计划将是值得的！我要感谢许多志愿者，支持者，员工和参展商对使NSREC 2021会议取得巨大成功的重要贡献。期待在虚拟会议场地中“见到您”。
2020 nsrec - IEEE NPSS
短期课程将包括四个讲座。每个讲座将包括介绍性材料和高级主题。第一个讲座将讨论缩放设备和电路几何形状的影响以及缩放如何影响辐射响应。第二个讲座重点介绍新兴的非易失性存储器技术及其辐射生存能力。第三个讲座涉及宽带隙功率器件的进展及其技术的辐射可靠性。最后一个讲座讨论了商用现货组件 (COTS) 的使用和商业空间系统的辐射硬度保证。每个讲座的描述和简要概述如下。所涵盖的主题应为该领域的新手以及经验丰富的工程师和科学家提供最新的材料和见解。