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Nantero, Inc. 的 NRAM ® 内存技术是一种非易失性、字节寻址的光纤连接内存层解决方案,可满足对更好的 Optane ™ 替代品的需求。NRAM 是 DRAM 和 NAND Flash 的颠覆性替代品,可以降低成本,具有更好的功率、延迟和性能特性,提供 EMP 保护和 RadHard 功能,并为 2025-2030 年及以后的系统架构和平台增强提供未来保障。NRAM 比传统内存技术消耗更少的能源,从而降低碳排放,同时还支持未来的计算能力变化,例如 CXL、内存处理、分解、边缘计算等。当今内存系统中的大部分电力都用于刷新;NRAM 可以通过兼容 DDR5 的部件消除这一问题,为 DoE、整个 USG 和整个行业带来立竿见影的巨大胜利。 Nantero 需要政府支持资金用于技术创新,并获得使用政府资金为研究人员和小公司建造的新 EUV 晶圆厂的权限,以鼓励像 Nantero 这样的创新。有了这种至关重要的支持,晶圆厂访问和准备就绪之间的差距可以弥合,即 Nantero 等创新者目前需要的东西与大型成熟公司在没有政府参与和监督的情况下定期向创新者提供的有限现实之间的差距。一旦提供这种晶圆厂访问和支持,Nantero 的 NRAM 内存技术将发挥其成本和性能优势,从而颠覆 DRAM 和 NAND 闪存,为能源部、美国政府和行业现在和未来几年提供广泛的功能。