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纳米级金属的部分化学化：一种合成功能性胶体金属 - 溶质导体纳米骨结构
异质结构将胶体纳米晶体变成多组分模块化构建体，其中不同的金属和半导体阶段的域是通过粘结界面互连的，是一种巩固溶液可加工的可加工混合纳米材料的先进繁殖方法，能够表达能够表达丰富的物理物质和全新的物理质量，并且具有全新的物理性和功能。以应对金属 - 官方导体纳米层结构的湿化合物合成所带来的挑战，并克服了基于部分化学范围的可用方案的一些内在局限性，创新的变换途径，基于部分化学化的范围，在标准种子生长方案的框架内建立了局部化学范围。这些技术涉及对预制的纳米晶底物的替代反应，因此具有可编程配置多样性的巨大综合潜力。本综述文章说明了迄今为止在金属 - 核导能器纳米层结构中取得的成就，其组件模块的定制布置通过转换途径的量身定制，这些途径利用了对单空和双金属种子的空间控制部分化学化的利用。在液体培养基中纳米层结构的演变基础的最合理的机制中讨论了这些方法的优点和局限性。强调了化学化的金属 - 纳米骨构结构的代表性物理化学特性和应用。最后，概述了领域的发展前景。
利用 3d 纳米尺度应变映射技术对卤化物钙钛矿中光诱导位错迁移进行成像
近年来，卤化物钙钛矿材料已用于制造高性能太阳能电池和发光装置。然而，材料缺陷仍然限制了器件的性能和稳定性。在这里，基于同步加速器的布拉格相干衍射成像用于可视化卤化物钙钛矿微晶体中的纳米级应变场，例如缺陷局部的应变场。尽管 MAPbBr 3 (MA = CH 3 NH 3 + ) 晶体具有很高的光电质量，但其内部存在明显的应变异质性，并且通过分析其局部应变场可以识别出〈100〉和〈110〉刃位错。通过在连续照明下对这些缺陷和应变场进行原位成像，发现了数百纳米范围内剧烈的光诱导位错迁移。此外，通过选择性研究被 X 射线束损坏的晶体，较大的位错密度和增加的纳米级应变与材料降解和使用光致发光显微镜测量评估的显著改变的光电特性相关。这些结果证明了卤化物钙钛矿中扩展缺陷和应变的动态性质，这将对设备性能和操作稳定性产生重要影响。
纳米显微镜领域的领先创新者......
Park Systems Corporation 是纳米级显微镜和计量解决方案制造领域的行业领导者。其全面的产品系列包括原子力显微镜 (AFM)、白光干涉仪 (WLI)、纳米红外光谱 (NanoIR) 和成像光谱椭圆偏振仪 (ISE) 系统。公司对卓越的承诺促成了多项突破性创新的开发，包括真正的非接触式成像、3D 计量和全自动 AFM 系统，这些创新能够满足研究和工业需求。Park Systems 产品在科学研究、纳米工程、半导体制造和质量保证领域具有广泛的应用潜力。公司持续的奉献精神使 Park Systems 成为领先半导体公司、知名科研大学和国家实验室最青睐的纳米计量产品供应商。
材料进步-RSC出版
聚合物13,15 - 17和二维材料（2D），例如MOS 2。18 - 21最近，人们对包括MXENES在内的2D材料的研究引起了很多兴趣，因为它们具有高表面积与体积比，依赖层可调的机械，电气，光学和物理化学性质，其量子构成以及低维度效果。22 - 24在这些2D材料中，由于其出色的机械性能，高载流子迁移率以及出色的电气和光学性能，因此广泛探索了基于石墨烯和过渡金属二甲化合物（TMDS）的气体传感器。尽管具有出色的传感器响应和响应时间，但基于石墨烯的2号传感器与长期恢复时间相关，而基于TMD的传感器由于其高吸附而导致的不完整恢复。25这种限制促使研究人员探索包括MXENES在内的其他2D材料。气体分子与传感材料的相互作用是任何气体感应过程的不可限制的特征。最近，由于MXENE的几个优势，基于MXENE的气体传感器受到了很多关注。此外，他们已经在电化学储能设备，良好的电器设备等中显示了应用程序的应用。
超快和纳米级的能量转导机制以及跨界面的热传输
摘要：界面和边界处电荷，热和电磁场的基本载体之间的耦合相互作用引起了能够实现各种技术的能量过程。这些耦合载体之间的能量转导导致在这些表面上的热量耗散，通常是由热边界电阻量化的，因此推动了现代纳米技术的功能，这些功能继续在计算，通信，保健，清洁能源，电源回收，感应，感应，感应和制造中继续提供计算，通信，卫生保健，清洁能源，以少数几个数字来命名一少数的益处。目的是总结有关超快和纳米级能量转导和传热机制的最新作品，当时不同的热载体夫妇靠近接口或界面。我们回顾了固体，液体，气体和等离子体的耦合传热机制，这些机制驱动所得的界面传热和温度梯度，这是由于能量和动量耦合所致的各种电子，颤音，光子光子，极化子（Plasmon polarons and Polarons and Polaronsons and Polleonsons and Polleons）和分子的动量耦合而引起的。这些具有耦合能载体的界面热运输过程涉及相对较新的研究，因此，存在一些机会，可以进一步发展这些新生的领域，我们在本综述的整个过程中对此进行了评论。关键字：界面传热，能量转导，耦合局部平衡，电子 - 声子耦合，等离子体极化子，弹道热注入，等离子体，等离子体，从头算在界面上的电子 - 振动性动态，固体 - 气体相互作用
纳米级
图1显示了第一代溅射铂NW的室温LF噪声谱，该NW采用基片阶梯光刻技术制造，其工艺顺序如图2所示。5,7,8,51通过基片阶梯光刻技术制造的NW是多晶的，其晶粒尺寸小于线直径。5,7 – 9,16,20,51 – 54图1中NW的噪声幅度在近五十个频率范围内以1/f 1.15的速率增加。f = 1 Hz时的Hooge参数为γH≅3×10−4，这是溅射Pt线和薄膜的典型值。51,71,96,97方程(2)中噪声幅度的1/N≈1/NA依赖性推测波动来源于体源。 20 世纪 70 年代末到 80 年代中期的几项重要实验证明了缺陷和杂质在金属低频噪声中的关键作用。52,55,66,83,95,98 – 103 一个具有单一特征散射或跃迁时间 τ 的缺陷会导致 RTN，其 Lorentzian 频谱在高于 1/ τ 的频率下下降为 1/ f 2，在低于 1/ τ 的频率下保持恒定。55,62,66,95,104 – 106 第 II.B 节中给出了 ZnO NW 的示例。如果噪声是由具有以下分布的多个缺陷引起的
来自结构化纳米级光腔的新兴光学
图2。基于金属纳米颗粒晶格的结构性等离子体纳米腔阵列。（a）基于耦合偶极法的2D AG NP晶格的计算灭绝效率光谱。（b）扫描电子显微镜（SEM）大型Au NP晶格的图像。（c）SLR的能量分散图。（d）单晶格NP阵列的方案与增益培养基集成了激光。（e）多模式激光的多尺度超晶格阵列的方案。（f）MoiréNP晶格的方案用于层间光学相互作用。面板（a）改编自参考。23经许可；版权所有2004美国物理研究所。面板（B- C）改编自参考。32经许可；版权所有2019美国化学学会。面板（d）改编自参考。30经许可；版权2013自然出版。面板（e）改编自参考。35经许可；版权2017自然出版。面板（F）改编自参考。36经许可；版权2023自然出版。
表面辅助2D，DNA二元晶体的自组装
需要控制以定义设备性能的大小参数。第五组元素二晶曲是一种特殊的材料，在III - V材料生长8中既充当表面活性剂，又是许多量子材料中的组成部分。9从第一个原则计算中，众所周知，如果将BI纳入具有诱导非平地拓扑特性的其他III - V化合物频段Invers Invers Invers 10中，则基于III III-BI Alloys的组合。inas作为III - V半导体系统之一，以优于标准的基于SI的技术。这种化合物对于红外探测器，14个低功率电子15和量子计算具有很大的潜力。1 INA通常在锌混合物（ZB）结构中结晶，但也可以在低维结构中生长在Wurtzite（WZ）相。这为基于带隙异质结构16,17的探索和创建新型设备打开了大门，以及较低的临时和大气条件的敏感性。试图将BI纳入INAS晶格时，出现了18个困难。由INBI区域和INAS 10区域之间的较大的混乱差距是由各自的四方和立方晶格结构产生的，在散装材料的生长过程中会产生BI ADATOM的相位分离和群集。19
纳米级进步-RSC Publishing
对可持续能源开发的需求显着增加了对可再生资源的兴趣。太阳能是一种突出的可再生能源，可提供“无限”的无排放能量。在许多半导体材料中，硅具有将近70年的发育历史，用于光伏目的。基于Si-Wafer的PV技术约占2020年总产量的95％（参考文献1）由于几个原因：硅是地壳中第二大元素；硅的带隙在最佳区域内（1.1 - 1.4 eV），用于有效的太阳能转换；它是稳定且无毒的，硅半导体技术已经建立得很好。当前的晶硅（C-SI）太阳能电池效率记录为26.7％。2但是，最大可实现的功率转换效率（PCE）限制为29.43％（参考3）通过硅的间接带隙在1.12 eV和非放射性螺旋螺旋体重组 - c-SI光伏电池的主要固有损耗机制。C-SI太阳能电池开发的另一个瓶颈是材料成本，约占太阳能电池板成本的50％。4，由于硅的间接带隙，使用单次通量吸收获得的光电流很低，除非厚度超过许多微米。因此，
纳米级 - RSC 出版
提高 ITC 的传统策略是 (i) 用热界面材料填充两个接触表面之间的间隙，23 (ii) 提高界面的耦合强度，或 (iii) 增加共价键的密度。24 据报道，使用键合有机纳米分子单层可以使铜和二氧化硅之间的 ITC 增加四倍，这可以提供与金属和电介质材料的强键合相互作用。25 据报道，在金和无定形聚乙烯系统中，通过分子桥也可以类似地增加 ITC。26 然而，即使对于通过强共价键连接的两个理想的光滑界面，由于两种不同材料之间的晶格常数和固有声子性质差异很大，界面热阻仍然存在。27,28 人们已经付出了很多努力来提高具有强共价键的界面的 ITC。例如，Tian 等人。发现原子混合引起的界面粗糙度可以提高声子传输系数和 ITC。29 此外，虽然点缺陷降低了纳米材料的热导率，但它