摘要 :GaAs 基材料系统因可承载具有出色光学特性的 InAs 量子点 (QD) 而闻名,这些量子点的发射波长通常为 900 nm 左右。插入变质缓冲区 (MMB) 可以将这种发射转移到以 1550 nm 为中心的具有技术吸引力的电信 C 波段范围。然而,常见 MMB 设计的厚度(> 1 𝜇 m)限制了它们与大多数光子谐振器类型的兼容性。在这里,我们报告了一种新型 InGaAs MMB 的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长,该 MMB 具有非线性铟含量渐变分布,旨在在最小层厚度内最大化塑性弛豫。这使我们能够实现晶格常数的必要转变并为 180 nm 内的 QD 生长提供光滑的表面。展示了沉积在此薄膜 MMB 顶部的 InAs QD 在 1550 nm 处的单光子发射。通过纳米结构技术将新设计集成到靶心腔中,证明了新设计的强度。
Robert D. Fish(R.Fish@imperial.ac.uk)隶属于杜勒尔保护与生态研究所,位于肯特大学,英国坎特伯雷,英国坎特伯雷和英国伦敦帝国学院的环境政策中心,在英国伦敦,英国,英国伦敦。 Gail E. Austen,Jacob W. Bentley,Jessica C. Fisher,Phoebe R. Bentley和Zoe G. Davies(Z.G.Davies@kent.ac.uk)隶属于迪尔雷尔保护与生态研究所,位于肯特大学,位于肯特大学,位于肯特大学的英国坎特伯里大学,在英国,英国,英国国王。 马丁·达利默(Martin Dallimer)隶属于可持续发展研究所,地球与环境学院,利兹大学,英国利兹大学,英国,英国和环境政策中心,伦敦帝国学院,英国伦敦伦敦帝国学院。 Katherine N. Irvine隶属于英国苏格兰阿伯丁市詹姆斯·赫顿学院的社会,经济和地理科学系。 Maximilian Nawrath隶属于肯特大学的杜雷尔保护与生态研究所,英国坎特伯雷,英国坎特伯雷,挪威奥斯陆的挪威水研究所。Robert D. Fish(R.Fish@imperial.ac.uk)隶属于杜勒尔保护与生态研究所,位于肯特大学,英国坎特伯雷,英国坎特伯雷和英国伦敦帝国学院的环境政策中心,在英国伦敦,英国,英国伦敦。Gail E. Austen,Jacob W. Bentley,Jessica C. Fisher,Phoebe R. Bentley和Zoe G. Davies(Z.G.Davies@kent.ac.uk)隶属于迪尔雷尔保护与生态研究所,位于肯特大学,位于肯特大学,位于肯特大学的英国坎特伯里大学,在英国,英国,英国国王。马丁·达利默(Martin Dallimer)隶属于可持续发展研究所,地球与环境学院,利兹大学,英国利兹大学,英国,英国和环境政策中心,伦敦帝国学院,英国伦敦伦敦帝国学院。Katherine N. Irvine隶属于英国苏格兰阿伯丁市詹姆斯·赫顿学院的社会,经济和地理科学系。Maximilian Nawrath隶属于肯特大学的杜雷尔保护与生态研究所,英国坎特伯雷,英国坎特伯雷,挪威奥斯陆的挪威水研究所。