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PDTC123T 系列配备 NPN 电阻的晶体管 - Nexperia
1 产品简介 .......................。。1 1.1 概述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.2 特点 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.3 应用。。。。。。。。。。。。。。。.............1 1.4 快速参考数据。.....................1 2 置顶信息。....................2 3 订购信息 ..............。。。。。。3 4 标记。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 5 极限值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 6 热特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 7 特征。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 8 封装轮廓。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 9 包装信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 10 修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 11 法律信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.1 数据表状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.2 定义。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.3 免责声明。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.4 商标。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 12 联系信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 13 目录 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10
BAV20；BAV21 通用二极管 - Nexperia
重要通知 亲爱的客户， 2017 年 2 月 7 日，前 NXP 标准产品业务部门更名为 Nexperia 。Nexperia 是业界领先的分立器件、逻辑器件和 PowerMOS 半导体供应商，专注于汽车、工业、计算、消费和可穿戴应用市场。 在仍包含 NXP 或飞利浦半导体参考的数据表和应用说明中，请使用对 Nexperia 的参考，如下所示。 不要使用 http://www.nexperia.com、http://www.philips.com/ 或 http://www.semiconductors.philips.com/。 不要使用 sales.addresses@www.nxp.com 或 sales.addresses@www.semiconductors.philips.com，而要使用 salesaddresses@nexperia.com（电子邮件）。 根据版本，替换每页底部或文档其他位置的版权声明，如下所示： - © NXP N.V.（年份）。保留所有权利或 © Koninklijke Philips Electronics N.V. (年份)。保留所有权利 应替换为： - © Nexperia B.V. (年份)。保留所有权利 。如果您对数据表有任何疑问，请通过电子邮件或电话联系我们最近的销售办事处（详情请发送邮件至 salesaddresses@nexperia.com ）。感谢您的合作和理解，
PBRN113Z 系列 NPN 800 mA、40 V BISS RET - Nexperia
图 9. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值 图 10. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值
hasan karaca
我致力于开发由Nexperia Hamburg生产的硅受控整流器（SCRS），以进行ESD保护。我的工作是用Synopsys sentaurus tcad模拟设备，并用Tim（瞬态干涉量学映射），TLP（传输线脉冲），EMMI（发射显微镜）和ESD/Essd/sugerve-sumpry-sinusoidal脉冲来促进ESD保护设备和电路的设计，以满足ESD的设计，并符合ESD ESD的设计。我在维也纳技术大学（TU WIEN）的Dionyz Pogany教授的监督下，并与Nexperia Hamburg的Guido Notermans，Steffen Holland，Hans-Martin-Ritter和Vasantha Kumar合作。我根据这些研究写了我的博士学位论文。与我写的一篇论文中，我在第41届EOS/ESD年度研讨会（美国加利福尼亚州河滨）获得了最佳学生纸奖。
夹式粘合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano
夹片键合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano Dalcanale、John Denman、Zainul Fiteri、Hagop Tawidian、Manfred Rowe、Sven Zastrau、Adam Brown 和 Bas Verheijen Nexperia，Bramhall Moor Ln，斯托克波特，大曼彻斯特，英国 关键词：GaN、AlGaN、CCPAK1212、夹片键合、封装、产品可靠性。 引言 Nexperia 的商业化 GaN 基功率晶体管在功率器件市场表现出巨大优势，在 650 V 时提供低导通电阻。为了在不同应用（如车载充电器、DC-DC 转换器、牵引逆变器）[1、2] 中实现这种出色性能，Nexperia 推出了一种新型夹片键合封装 HEMT，在高工作电压下具有低关断态漏电。虽然这是 GaN 行业中第一个推出完全夹片键合解决方案而不需要任何引线键合连接的解决方案，但该解决方案的电感比引线封装低 5 倍（2.37 nH 对比近 14 nH），并且封装电阻超低，热阻小于 0.5 K/W [3]。要保持这种性能，需要高水平的器件工程设计，包括 HEMT 设计、MOSFET 设计以及紧凑型 CCPAK 中的共源共栅配置，从而形成具有行业领先性能的创新封装。夹片键合配置用于优化热性能和电气性能，简化的共源共栅可避免使用栅极驱动器。结果与讨论图 1 显示了共源共栅配置中的无引线键合 GaN HEMT 和 Si MOSFET。这些器件位于
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- 预计外形、配合度、功能、质量或可靠性不会发生变化 - 预计对产品功能不会产生影响 - 扩散工厂位置或工厂工艺不会发生变化（相同芯片，相同电气分布） - 数据表或测试限值不会发生变化 - 订购代码 12NC（销售部件编号）不会发生变化 - 可通过 Helpdesk+ 从位于荷兰奈梅亨的 BG Analog & Logic ICs 样品店索取样品 产品顶部标记以及卷轴和包装盒标签上的装配位置指示后缀：“t”= ATSN（马来西亚芙蓉 Nexperia 装配测试工厂）“H”= HFTF（合肥通富微电子有限公司）
2024 IEEE EPS马来西亚：活动更新
直接前任主席：YY TAN博士（Yole）主席：Poh Leng Eu（NXP）副主席（学术）：Cheong（USM）副主席（行业）：KC Tan（Onsemi）秘书：Asmah（Unimap） Redzuan（Onsemi）副司库：TB Lau（NXP）Excomm -Edu＆Tech Talk Yh Wong（UM）Excomm -edu＆Tech Talk Mohd Azham Sukemi（NXP）Excomm-新闻通讯 - 新闻通讯 - 新闻通讯 - 新闻通讯 - NXP） Bernard Lim（AppScard）Excomm-Membership Sueann Lim（IT）Excomm-Webmaster博士John Tan Teng Hwang（Intel）Excomm-Webmaster Damian Santhanasamy（Indium）Excomm-industry-dr。方黄（Intel）Excomm-审核员Kian Chuan Tan（Nexperia）
审视中国的半导体自给自足
移动处理器：海思、展讯、ASR、松果、中兴 (Sanechip) 服务器 /AI：海思、寒武纪、澜起、阿里巴巴、亿智科技、华芯通、大鱼、ThinkForce、Illuvatar、寒武纪、比特大陆、兆芯、龙山、亿邦 GPU：景嘉、中芯 MCU：兆易创新、君正、紫光国芯、中芯国际、士兰微、汇顶、大唐、华大、聚辰、宜信、迈德微、汇纳微 RF IC：锐迪科、万芯、华为、卓胜微、中兴微 消费电子：瑞芯微、全志、晶晨、炬芯 触摸 / 指纹 IC：汇顶、思立德、Fortsense、百特莱、集创北方、比亚迪 CMOS 图像传感器：韦尔半导体 (OVT)、格芯、思比科、艺迪、华大、集创北方 驱动 IC：中智科技、晶门科技、集创北方 智能卡：同方国芯、大唐、华大、国民技术、复旦、华虹 IC 存储器：兆易创新、长江存储、长鑫、福建金华、Reliance Memory (Rambus/Giga JV)、ISSI、聚辰科技 监控 / 视频：华为、富瀚、中星微、君正、神龙芯、国科、亿智、大华、依图、地平线 FPGA：国云科技、复旦微、紫光国芯、华大
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