摘要:薄膜硅锂(TFLN)是一个有前途的电磁光(EO)光子平台,具有高调制带宽,低驱动电压和低光学损耗。然而,已知TFLN中的EO调制可以在长时间尺度上放松。取而代之的是,热通加热器通常用于稳定的偏置,但是加热器会带来交叉言论,高功率和低带宽的挑战。在这里,我们表征了TFLN调节剂的低频(1 MHz至1 MHz)EO响应,研究EO松弛的根本原因,并展示了改善偏置稳定性的方法。我们表明,与弛豫相关的效果可以增强我们设备中跨越1KHz至20kHz的频带的EO调制 - 这是一个反直觉的结果,可以混淆TFLN调制器中半波电压(Vπ)的测量。我们还表明,通过控制LN金属界面和退火,可以通过10 4倍的速度减慢EO放松,从而为寿命稳定的EO偏置提供了进步。这种强大的EO偏置将使跨言,功率和偏置带宽至关重要的TFLN设备的应用,例如量子设备,高密度集成光子学和通信。
摘要:用薄膜 - 氯尼贝特(TFLN)培养基制成的介电平板波导,以在线性状态下进行操作。我们概述并实施了一个很大程度上的分析程序,以对具有双重,各向异性核心的三层平板进行严格的模态分析。对于z切波指南,平板本本元素问题将TE和TM模式的标量方程组分开。平板主要支持杂种特征模式,具有明显的占主导地位的TE或TM极化,并且具有相对于晶体轴的模式的传播方向的有效指标。在没有垂直对称性的单数构型中,可以观察到近堕落模式的强杂交,或者在对称板中,其中两个近乎退化的模式为相同的对称类别。讨论了具有氧化物和空气盖的平板,讨论了平板厚度和俯冲角的分散曲线。
This work presents an air-coupled piezoelectric micromachined ultrasonic transducer (pMUT) with high transmitting acoustic pressure by using sputtered potassium sodium niobate (K,Na)NbO 3 (KNN) thin film with a high piezoelectric coefficient (e 31 ~ 8-10 C/m 2 ) and low dielectric constant ( r ~ 260-300) for the first time.已经测试了以104.5 kHz为谐振频率的制造的KNN PMUT,已测试以表现出前所未有的结果:(1)在10 cm的距离为109 db/v的高声压水平(SPL)为10 cm,比基于ALN的PMUT的频率高8倍; (2)仅4伏峰峰幅度的低压操作(V P-P); (3)良好接收灵敏度。因此,这项工作介绍了一类新的高SPL和低驾驶电压PMUT,用于在包括但不限于触觉反馈,扬声器和AR/VR系统在内的各个领域的潜在应用中。关键字
最近,包括QCI在内的世界各地的Scien?sts已经证明了将大量信息编码到单个光子上的能力。能够密集地编码Informa?On上的光子并将其结合到很小的空间的能力,使其非常适合在Op?Cal Compu?Ng ng发动机上使用。此外,由于光子几乎不会产生热量,因此非常适合用于要求构成应用程序。例如,大规模组合使用的所有能量中,将近43%用于冷却。今天,这是一个惊人的110多瓦姆小时的电力,每年仅用于冷却数据中心。AC中的光子无热量。结果,基于光子的系统不能像电子系统那样过热。这不仅使基于光子的系统更便宜且易于操作,而且还会产生较少的“噪声”或“发行”,因为它们不是属的热量,因为它们不是属的热量。
图 1. 晶圆级基于 LN 的 MWP 信号处理引擎及其构建模块。a 基于 LN 的 MWP 处理引擎示意图,由将模拟电子信号忠实地转换为光域的高速 EO 调制部分和低损耗多用途光子处理部分组成。b 使用紫外步进光刻系统对 4 英寸晶圆级 LN 光子集成电路进行图案化拍摄。c 我们高速 MWP 系统基本构建模块的显微镜图像和关键性能指标,包括固有品质因数 ~ 6 × 10 6 的微谐振器、用于信号编码的低驱动电压和宽带强度和相位调制器、作为积分器的分插环谐振器、作为微分器的非平衡 MZI,以及作为二阶积分器和微分器的级联环和 MZI。 d 设备的假彩色扫描电子显微照片(SEM),分别显示波导的侧壁、微谐振器的耦合区域、波导和多模干涉(MMI)耦合器的横截面图。
合著者:PERUZZO 教授,Alberto(RMIT);JOHNSON 博士,Brett(RMIT);KRASNOKUTSKA 博士,Inna(RMIT);BULLOCK 博士,James(墨尔本大学);MESSALEA 博士,Kibret(RMIT);CHAPMAN 博士,Robert(苏黎世联邦理工学院);TAMBASCO 博士,Jean-Luc(RMIT)
集成的光子芯片逐渐成为信息传输和处理的重要选择,其中集成密度将扮演与综合电路中见证的越来越重要的作用。迄今为止,在制管机上硅晶片已经与低串扰的密集整合做出了巨大的效果,尽管在新兴的二氯甲甲虫在启用锂岩岩(LNOII)平台中仍然非常具有挑战性。在这里,我们报告了一种利用Floquet-Mode-Index调制的策略,以实现宽带零串扰,对LNOI芯片的其他性能指标的影响最小。零串扰的潜在物理学归因于floquet quasienergy的崩溃,这是通过超速频道低cros刺传输的实验性验证的,其多余的损失低。此外,我们在紧凑的LNOI波导阵列中展示了宽带八通道光传输,与传统的波导阵列相比,宽带八通道阵列显示出优势。我们的工作是提高片上光子电路的集成密度的另一种方法,为有希望的LNOI平台中的密集波导应用开辟了不同的可能性。
将非线性纳米光量设备引入光学频率梳量计量学领域为低功率和芯片集成时钟,高精度频率合成和广泛带宽光谱的新机会。但是,这些进步中的大多数仍被限制在光谱的近红外区域,该区域限制了在紫外线和可见范围内与大量量子和原子系统的频率梳集成。在这里,我们通过引入多段纳米型薄膜硅锂波导来克服这一缺点,这些尼贝特波导将工程性分散和鼠标匹配匹配的匹配结合在一起,从而通过χ(2)和χ(3)非线性的组合进行了有效的超核电生成。只有1,550 nm处的脉冲能量仅90 pj,我们实现了跨越330–2,400 nm的无间隙频率梳覆盖率。从近红外泵到350–550 nm的紫外线 - 可见区域的转化效率为17%,我们对优化的极点结构的建模预测效率更高。通过χ(2)在同一波导中通过χ(2)非线性的谐波生成直接产生载体 - 内玻璃偏移频率,以及在短达350 nm的波长下验证梳子连贯性的手段。我们的结果提供了一种集成的光子学方法,可以创建可见和紫外线频率梳子,以影响精度光谱,量子信息处理和在此重要光谱窗口中的光学时钟应用。
摘要:已经进行了开放式Z扫描测量,以分别研究800 nm和1030 nm波长的三个光子(3 pa)和四光子吸收(4 PA)系数,并在一致和stoichiomempricmetricmempric niobate中(CLN,SLN,SLN),与不同的Concen-Concen-concen-concen-trations一起使用。两个波长的激光脉冲持续时间为40 fs和190 fs。晶体内部的峰强度在约110至550 GW/cm 2之间变化。使用理论模型评估了3 PA和4 PA系数,结果表明它们的最小值位于MG掺杂水平或周围,与抑制CLN和SLN的光差异相对应。此结果可以归因于晶体缺陷对3 PA和4 PA过程的贡献。此外,在1030 nm处的4 pa在相同的强度水平下在800 nm处表现出比3 pa更大的非线性吸收。讨论了这种意外行为的可能原因。总体而言,比较这些晶体的3 pa和4 pA值将使选择LN晶体的最佳组成,以进行有效的THZ产生以及其他需要高泵强度的非线性光学过程。
摘要:在这项研究中,研究了基本抗对称(A 0)和对称(S 0)羔羊波的基本抗对称液的光束,以及零阶的剪切 - 霍利底氏(SH 0)波。使用有限元方法,对跨层换能器具有弧形电极的适当配置,以解释了缓慢曲线的各向异性和模式的分散板中的各向异性。fro纤维。基于分析的结果,制造了相关的延迟线,并在YX-LITHIUM NIOBATE板中测量了线的传递函数(插入损失)。使用电子扫描显微镜,可视化相同波的电场的分布。这项研究的结果可能对结合纳米和声音原理的混合设备和传感器很有用。