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洛杉矶水电局电力战略长期资源计划 (SLTRP)
1. 加州能源储存联盟 (CESA)，Jin Noh 2. 能源效率和可再生技术中心 (CEERT)，John V. White 3. 洛杉矶市 - 气候紧急动员办公室，Marta Segura 4. 洛杉矶市 - 议会第 02 区，议员 Paul Krekorian，Aaron Ordower 5. 洛杉矶市 - 议会第 03 区，议员 Bob Blumenfield，Jeff Jacobberger 6. 洛杉矶市 - 议会第 13 区，议员 Mitch O'Farrell，David Giron 7. 洛杉矶市 - 首席立法分析师办公室 (CLA)，Blayne Sutton-Willis 8. 洛杉矶市 - 首席立法分析师办公室 (CLA)，Rafael Prieto 9. 洛杉矶市 - 市行政官办公室 (CAO)，Sarai Bhaga 10. 洛杉矶市 - 市长办公室，Paul Lee 11.公共问责（OPA），Frederick Pickel 12. 食品与水观察，Jasmin Vargas 13. 洛杉矶商业委员会（LABC），Adam Lane 14. 洛杉矶商业委员会（LABC），Arielle Lopez 15. LADWP 宣传委员会，Jack Humphreville 16. LADWP 理事会，Mia Lehrer 17. LADWP 谅解备忘录监督委员会，Tony Wilkinson 18. 洛杉矶联合学区（LAUSD），Christos Chrysiliou 19. 国家资源保护委员会（NRDC），Amanda Levin 20. 社区委员会可持续发展联盟（NCSA），Dan Kegel 21. 社区委员会可持续发展联盟（NSCA），Ravi Sankaran 22. Pacoima Beautiful，Felipe Escobar 23. 洛杉矶港（POLA），Carlos Baldenegro 24. 塞拉俱乐部，Francis Yang 25. 塞拉俱乐部， Katie Ramsey 26. 南加州天然气公司 (SoCalGas)，Jonathan Peress 27. 加州大学洛杉矶分校 (UCLA)，Bonny Bentzin 28. 南加州大学 (USC)，Zelinda Welch 29. 水电协会，Bill Engels 30. 水电协会，William Barlak 31. Bryan A. Cope 项目开发经理 32. Vj
截至 2023 年 10 月 6 日
截至 2023 年 10 月 6 日 从提供的摘要中选出的简短演讲 PR01 鉴定和药理学靶向治疗耐药性、干细胞样乳腺癌细胞以进行联合治疗。Heeju Noh。哥伦比亚大学，纽约州纽约，美国。PR02 通过高灵活性和效率的体细胞精准基因编辑对乳腺癌进行建模。Wen Bu。贝勒医学院，德克萨斯州休斯顿，美国。PR03 CSF-1R 抗体靶向治疗联合节拍化疗和免疫检查点阻断可增强 B 细胞和 T 细胞反应以减轻转移性三阴性乳腺癌。Diego Pedroza。贝勒医学院，德克萨斯州休斯顿，美国。PR04 USP7 抑制剂通过诱导 UHRF1 蛋白降解来预防三阴性乳腺癌转移。Ahhyun Kim。加利福尼亚大学欧文分校，加利福尼亚州欧文，美国。 PR05 导管原位癌的空间转录组学揭示了肿瘤和基质细胞区室的亚型特异性差异。Helga Bergholtz。挪威奥斯陆大学医院癌症研究所。PR06 揭示核排出：来自垂死癌细胞的染色质结合信号通过 S100A4-RAGE 通路加速转移性生长。Wooyong Park。美国马里兰州贝塞斯达美国国立卫生研究院。PR07 肿瘤内注射 mRNA-2752 和抗 PD-1 可导致 HER2 阳性和/或激素受体阴性 DCIS 快速消退：第 1 阶段研究结果。Laura Esserman。美国加利福尼亚州旧金山市加利福尼亚大学旧金山分校外科系。 PR08 肿瘤内异质性导致抗体药物偶联疗法耐药：对局部性 TNBC 新辅助治疗 Sacituzumab govitecan 的 NeoSTAR 试验分析。莱夫·埃利森。美国马萨诸塞州波士顿麻省总医院癌症中心和哈佛医学院路德维希中心。PR09 BRCA2 癌症易感基因中亚等位基因错义变异的功能和临床特征。黄怀志 (Gilbert) 。美国明尼苏达州罗切斯特梅奥诊所。PR10 乳腺上皮结构调节区域癌变。亨德里克·梅萨尔。荷兰阿姆斯特丹荷兰癌症研究所。
洛杉矶水电局电力战略长期资源计划 (SLTRP)
1. 加州能源储存联盟 (CESA)，Jin Noh 2. 加州州立大学北岭分校 (CSUN)，Loraine Lundquist 3. 能源效率和可再生技术中心 (CEERT)，John V. White 4. 洛杉矶市 - 气候紧急动员办公室，Marta Segura 5. 洛杉矶市 - 议会区 02，议员 Paul Krekorian，Matt Hale 6. 洛杉矶市 - 议会区 03，议员 Bob Blumenfield，Jeff Jacobberger 7. 洛杉矶市 - 议会区 05，议员 Paul Koretz，Andy Shrader 8. 洛杉矶市 - 市行政官办公室 (CAO)，Ida Rubio 9. 洛杉矶市 - 市行政官办公室 (CAO)，Sarai Bhaga 10. 洛杉矶市 - 市检察官办公室，Jean-Claude Bertet 11. 洛杉矶市 - 市长办公室，首席可持续发展官，Lauren Faber O'Connor 12. 洛杉矶市 - 市长办公室，Paul Lee 13. 洛杉矶市 - 市长办公室，Rebecca Rasmussen 14. 洛杉矶市 - 公共问责办公室（OPA），Camden Collins 15. 洛杉矶市 - 公共问责办公室（OPA），Frederick Pickel 16. 食品与水观察，Jasmin Vargas 17. LADWP 宣传委员会，Jack Humphreville 18. LADWP 助理总经理，首席多样性、公平和包容官，Monique Earl 19. LADWP 谅解备忘录监督委员会，Tony Wilkinson 20. 洛杉矶商业委员会（LABC），Adam Lane 21. 洛杉矶联合学区（LAUSD），Christos Chrysiliou 22. 洛杉矶世界机场（LAWA），Carter Atkins 23. 国家资源保护委员会（NRDC），Amanda Levin 24.社区委员会可持续发展联盟 (NCSA)，Dan Kegel 25. 社区委员会可持续发展联盟 (NSCA)，Ravi Sankaran 26. Pacoima Beautiful，Veronica Padilla 27. 塞拉俱乐部，Francis Yang 28. 塞拉俱乐部，Katie Ramsey 29. 南加州天然气公司 (SoCalGas)，Jonathan Peress 30. 南加州公共电力局 (SCPPA)，Randy Krager 31. 加州大学洛杉矶分校 (UCLA)，Bonny Bentzin 32. 南加州大学 (USC)，Zelinda Welch 33. 水电协会，Bill Engels
LADWP权力战略长期资源计划（SLTRP）
1。加利福尼亚州储能联盟（CESA），Jin Noh 2。加利福尼亚州立大学，诺斯里奇（CSUN），洛林·伦德奎斯特（Loraine Lundquist）3。能源效率和可再生技术中心（CEERT），John V. White 4。洛杉矶市 - 气候紧急动员办公室，Marta Segura 5。洛杉矶市 - 议会区，议员保罗·克雷科里安（Paul Krekorian）洛杉矶市 - 议会区03，议员鲍勃·布鲁门菲尔德（Bob Blumenfield），杰夫·雅各布伯格（Jeff Jacobberger）7。洛杉矶市 - 议会区05，议员Paul Koretz，Andy Shrader 8。洛杉矶市 - Priscila Kasha市律师办公室9。洛杉矶市 - 市长办公室，保罗·李10。洛杉矶市 - 市长办公室，Lauren Faber O'Conner11。洛杉矶城市 - 市长办公室，丽贝卡·拉斯穆森（Rebecca Rasmussen）12。洛杉矶市 - 弗雷德里克·皮克尔（Frederick Pickel）13。洛杉矶市 - 公共问责办公室（OPA），Camden Collins 14。食物和水监视，茉莉花瓦尔加斯15。洛杉矶商业委员会（LABC），亚当巷16号。洛杉矶商业委员会（LABC），Arielle Lopez 17。LADWP倡导委员会，杰克·汉弗莱维尔（Jack Humphreville）18。LADWP专员委员会，Mia Lehrer 19。 LADWP专员委员会，苏珊娜·雷耶斯（Susana Reyes）20。 LADWP理解监督委员会备忘录，托尼·威尔金森21。 国家资源国防委员会（NRDC），Amanda Levin 22。 邻里理事会可持续性联盟（NCSA），丹·凯格尔23。 塞拉俱乐部，弗朗西斯·杨28。LADWP专员委员会，Mia Lehrer 19。LADWP专员委员会，苏珊娜·雷耶斯（Susana Reyes）20。LADWP理解监督委员会备忘录，托尼·威尔金森21。国家资源国防委员会（NRDC），Amanda Levin 22。邻里理事会可持续性联盟（NCSA），丹·凯格尔23。塞拉俱乐部，弗朗西斯·杨28。邻里理事会可持续性联盟（NCSA），拉维·桑卡兰（Ravi Sankaran）24。洛杉矶港（Pola），Carlos Baldenegro 25。洛杉矶港（Pola），Dac Hoang 26。Repower La（Laane），Agustin Cabrera 27。加利福尼亚大学，洛杉矶大学（UCLA），Nurit Katz29。 Pacoima Beautiful，Veronica Padilla 30。 水与权力协会，威廉·巴拉克（William Barlak）31。 水与权力协会，比尔·恩格斯（Bill Engels）32。 加利福尼亚大学，洛杉矶（UCLA），Bonny Bentzin33。 南加州大学（USC），Zelinda Welch加利福尼亚大学，洛杉矶大学（UCLA），Nurit Katz29。Pacoima Beautiful，Veronica Padilla 30。水与权力协会，威廉·巴拉克（William Barlak）31。水与权力协会，比尔·恩格斯（Bill Engels）32。加利福尼亚大学，洛杉矶（UCLA），Bonny Bentzin33。 南加州大学（USC），Zelinda Welch加利福尼亚大学，洛杉矶（UCLA），Bonny Bentzin33。南加州大学（USC），Zelinda Welch南加州大学（USC），Zelinda Welch
QIONG ZHANG
Binz, M., Alaniz, S., Roskies, A., Aczel, B., Bergstrom, CT, Allen, C., Schad, D., Wulff, D., West, JD, Zhang , Q., Shiffrin, SM, Gershman, SJ, Popov, V., Bender, EM, Marelli, M., Botvinick, MM, Akata, Z., & Schulz, E. (in press) How Should the Advent of Large Language Models Affect the Practice of Science. Proceedings of the National Academy of Sciences . Ma, S., Popov, V., & Zhang , Q. (2024). A Neural Index Reflecting the Amount of Cognitive Resources Available during Memory Encoding: a Model-based Approach . Journal of Experimental Psychology: Learning, Memory, and Cognition . Xu, Z., Hemmer, P., & Zhang, Q. (2024).面向重构记忆的广义贝叶斯模型。计算大脑与行为。Lu, Q.、Nguyen, T.、Zhang , Q.、Hasson, U.、Griffiths, TL、Zacks, JM、Gershman, SJ、Norman, KA (2024)。在潜在原因的神经网络模型中协调共享信息与情境特定信息。科学报告。Devraj A.、Griffiths, TL 和 Zhang , Q. (2024)。通过环境统计数据协调分类和记忆。心理经济学公报与评论。康奈尔，CA ̧ Norman, KA、Griffiths, TL 和 Zhang , Q. (2024)。通过基于模型的线索选择改进记忆搜索。心理科学。 Callaway, F.、Norman, K.、Griffiths, TL 和 Zhang, Q. (2023) 记忆回忆的最佳元认知控制。《心理学评论》。Zhang, Q.、Griffiths, TL 和 Norman, K. (2022)。自由回忆中的最佳策略。《心理学评论》。Popov, V.、Zhang, Q.、Koch, GE、Calloway, RC 和 Coutanche, MN (2019)。语义知识影响新奇情景关联的表现是对称的还是不对称的。记忆与认知。Anderson, JR、Borst, JP、Fincham, JM、Ghuman, AS、Tenison, C. 和 Zhang, Q. (2018)。揭示记忆过程的共同时间过程。心理科学。Zhang, Q.、Walsh, MM 和 Anderson, JR (2018)。插入额外心理过程的影响。计算大脑与行为。Zhang，Q.，van Vugt，M.，Borst，JP，& Anderson，JR（2018）。在空间和时间中映射工作记忆检索：一种结合脑电图和皮层电图的方法。神经影像。174，472-484。Zhang，Q.，Borst，JP，Kass，RE，& Anderson，JR（2017）。在共同表征空间中进行 MEG 数据集的受试者间对齐。人脑映射，38（9），4287-4301。Mousavi，M.，Koerner，AS，Zhang，Q.，Noh，E.，& de Sa，VR（2017）。通过用户对反馈的响应改进运动想象 BCI。脑机接口，4（1-2），74-86。 Zhang , Q., Walsh, MM, & Anderson, JR (2017). 探测相似性对联想识别中检索和比较过程的影响。认知神经科学杂志，29(2)，352-367。Anderson, JR, Zhang , Q., Borst, J., & Walsh, MM (2016). 处理阶段的发现：斯腾伯格方法的扩展。《心理学评论》，123(5)，481。
covid-19- vaccination-questions and- ...
这是一些与疫苗接种有关的常见问题。如果您对疫苗有任何犹豫，请查看这些问题，以便当您收到它的时机到达时，您会感到非常了解，并希望毫不犹豫。1。科学家和政府是否跳过了抢购疫苗生产和认可的步骤？•在开发，测试，批准和生产疫苗的过程中没有任何步骤。•加拿大最好的独立科学家在批准疫苗对加拿大人的安全有效之前，对所有数据进行了彻底审查。•疫苗的生产速度比以前更快，因为跳过了步骤，而是因为在世界范围内从未有过合作和资金的水平。通常，疫苗临床试验需要6000-8000人进行批准过程。Pfizer-Biontech试验有超过45,000人，现代审判超过30,000。•与其他一次迈出一步然后计划下一步的疫苗不同，对于COVID-19疫苗，政府投资了使公司计划开始时计划所有步骤，并立即建立其制造能力。参考文献：•COVID-19疫苗批准过程和安全性（MOH，2020年12月12日）•Pfizer-Biontech Covid-19-19疫苗：授权信息（加拿大卫生部，2020年12月11日）如何如此迅速开发疫苗？•将mRNA用于疫苗和疾病的治疗已经存在了一段时间 - 这就是这些疫苗可以如此迅速开发的原因之一。科学家在COVID-19击中之前就拥有CD播放器。mRNA疫苗已用于流感，寨卡病毒，狂犬病，CMV和其他人的动物模型中，以及人类用于癌症治疗和癌症疫苗临床试验。•mRNA疫苗就像CD播放器一样，可以播放任何类型的CD古典音乐，说唱或流行音乐。一旦他们弄清楚冠状病毒CD，就可以将其放入玩家，并使疫苗比以前快得多，因为他们使用了已知和建造的疫苗。参考文献：•mRNA疫苗 - 疫苗学的新时代（Nat Rev Drug Discov，2018年）•BNT162B2 MRNA COVID-19疫苗的安全性和功效（NEJM，NEJM，2020年12月10日）•有希望的间际临床结果来自NIH-MODERNA COVID-COVID-19疫苗的临床试验（NIH，NIH，NIH，NIH，NOH，NOG NOG 16，2020）。我不需要疫苗。我没有风险/covid-19并不那么糟糕。•COVID-19比流感严重得多。在加拿大，流感每年杀死约3500名患者。在不到一年的时间里，Covid-19杀死了4次。•即使您不出现严重的Covid-19感染，您仍然可以将病毒传递给愿意的人。如果您接种了疫苗，则可以帮助保护周围的人。参考文献：•流感事实。（安大略省的政府，2020年）•长期后遗症和covid-19 - 到目前为止我们所知道的（pho，2020年7月10日）•新兴证据：Covid-19的长时间症状（CEP，2020）4。我将等待接种疫苗。没有足够的疫苗可以四处走动/我想看看其他收到的疫苗会发生什么。•大流行，封锁和公共卫生措施要等到大多数加拿大人接种疫苗才能结束。 您可以自信，当您是时•大流行，封锁和公共卫生措施要等到大多数加拿大人接种疫苗才能结束。您可以自信，当您是为了确保我们可以尽快接种所有人，至关重要的是，人们必须在第一次提供疫苗时获得疫苗。•加拿大订购了足够多的疫苗 - 据说，我们每人购买的镜头比世界上任何其他国家都多。我们将随着时间的推移提供这些疫苗。这些疫苗的实施计划旨在最有效地结束这一大流行。
1蜂窝结构RUI3，一种新的量子材料...
[6] R. Zhong，M。Singing，T。Kong。修订版b 2018，98，22047。[7] T. Mizoguchi，L。D. C. Jaubert。修订版Lett。 2017，119， [8] A. Quit，Ann。 物理。 2006，321，2。 [9] R. Zhong，T。False，N。P. Ong，R。J. Cava，Sci。 adv。 2020，6，eahay6 [10] G. Jackeli，G。Khaliulin，物理学。 修订版 Lett。 2009，102，017205。 [11] A. Banerjee，J。Yan，J。C. A. Bridges，M。B. Stone，M。D. Lumsden，D。G. Mantrus D. A. Tennant。 [12] [13] S.-H.做，S.-y。 Park，J。Yoshitake，J。Nasu，Y。Motom，Y。S. S. Kwon，D。Adroja，D。J. Voneshen，K。Kim，T.-H。 Jang，J.-H。帕克（K.-Y.） Choi，S。Ji，Nat。 物理。 2017，13，1079。 J. Zheng，K。Ran，T。Li，J。Wang，P。Wang，B。Liu，Z.-X. Liu，B。Norman，J。Wen，W。Ye，Phys。 修订版 Lett。 2017，119，22208。 [15] A. Banerjee，P。 A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版Lett。2017，119，[8] A. Quit，Ann。物理。2006，321，2。[9] R. Zhong，T。False，N。P. Ong，R。J. Cava，Sci。adv。2020，6，eahay6[10] G. Jackeli，G。Khaliulin，物理学。修订版Lett。 2009，102，017205。 [11] A. Banerjee，J。Yan，J。C. A. Bridges，M。B. Stone，M。D. Lumsden，D。G. Mantrus D. A. Tennant。 [12] [13] S.-H.做，S.-y。 Park，J。Yoshitake，J。Nasu，Y。Motom，Y。S. S. Kwon，D。Adroja，D。J. Voneshen，K。Kim，T.-H。 Jang，J.-H。帕克（K.-Y.） Choi，S。Ji，Nat。 物理。 2017，13，1079。 J. Zheng，K。Ran，T。Li，J。Wang，P。Wang，B。Liu，Z.-X. Liu，B。Norman，J。Wen，W。Ye，Phys。 修订版 Lett。 2017，119，22208。 [15] A. Banerjee，P。 A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版Lett。2009，102，017205。 [11] A. Banerjee，J。Yan，J。C. A. Bridges，M。B. Stone，M。D. Lumsden，D。G. Mantrus D. A. Tennant。 [12] [13] S.-H.做，S.-y。 Park，J。Yoshitake，J。Nasu，Y。Motom，Y。S. S. Kwon，D。Adroja，D。J. Voneshen，K。Kim，T.-H。 Jang，J.-H。帕克（K.-Y.） Choi，S。Ji，Nat。 物理。 2017，13，1079。 J. Zheng，K。Ran，T。Li，J。Wang，P。Wang，B。Liu，Z.-X. Liu，B。Norman，J。Wen，W。Ye，Phys。 修订版 Lett。 2017，119，22208。 [15] A. Banerjee，P。 A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版2009，102，017205。[11] A. Banerjee，J。Yan，J。C. A. Bridges，M。B.Stone，M。D. Lumsden，D。G. Mantrus D. A. Tennant。[12][13] S.-H.做，S.-y。Park，J。Yoshitake，J。Nasu，Y。Motom，Y。S. S. Kwon，D。Adroja，D。J. Voneshen，K。Kim，T.-H。 Jang，J.-H。帕克（K.-Y.） Choi，S。Ji，Nat。 物理。 2017，13，1079。 J. Zheng，K。Ran，T。Li，J。Wang，P。Wang，B。Liu，Z.-X. Liu，B。Norman，J。Wen，W。Ye，Phys。 修订版 Lett。 2017，119，22208。 [15] A. Banerjee，P。 A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版Park，J。Yoshitake，J。Nasu，Y。Motom，Y。S. S. Kwon，D。Adroja，D。J. Voneshen，K。Kim，T.-H。 Jang，J.-H。帕克（K.-Y.）Choi，S。Ji，Nat。物理。2017，13，1079。J. Zheng，K。Ran，T。Li，J。Wang，P。Wang，B。Liu，Z.-X.Liu，B。Norman，J。Wen，W。Ye，Phys。 修订版 Lett。 2017，119，22208。 [15] A. Banerjee，P。 A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版Liu，B。Norman，J。Wen，W。Ye，Phys。修订版Lett。 2017，119，22208。 [15] A. Banerjee，P。 A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版Lett。2017，119，22208。 [15] A. Banerjee，P。 A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版2017，119，22208。[15] A. Banerjee，P。A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。 2018，3，1。 C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。 修订版A. Aczel，B。Winn，Y。Liu，D。Pajerowski，J。Yan，C。A。Bridges，A。T。2018，3，1。C. Huang，J。Zho，H。Wu，K。Deng，P。Jena，E。Can，Physy。修订版b 2017，95，045113。F. Ersan，E。Baptist，St.Sarikurt，Y。Yüksel，Y。Cadioglu，H。D. Ozaydin，O.ü。 Actürk，ü。 Akıncı，E。Aktürk，J。Magn。宏伟。mater。2019，476，111。[18] H. G. von Schnering，K。Brothers，F。常见我，但是。1966，11，288。[19] K. Brothers，Angew。化学。他们。ed。Engle。 1968，7，148。 [20] mater。 2019，31，1808074。 [21] E. V. Stroganov，K。V。Ovchinnikov，Strong Fiz 1957，12，152。 [22] G. Brauer，无犯罪犯罪的手抛光。 3，Enke，Stuttgart，1981年。 B. C. Passenheim，D。C。McColum，J。Chem。 物理。 1969，51，320。 [24] X. Gui，R。J。Cava，J。Phys。 条件。 物质2021，33，435801。 [25] M. A. McGuire，H。Dixit，V。R。Cooper，B.C。Sals，Chem。 mater。 2015，27，612。 [26] J. A. Sears，M。Songvilay，K。W。P. P. Clanccy，Y。Qiu，Y。Zhao，D。Parshall，Y.-J。 kim，物理。 修订版 b 2015，91，144420。 [27] 修订版 Lett。 2018，120，217205。 [28] L. Binotto，I。Follinator，G。Spinalo，Phys。 Soliade B，44，245。 Kee，Y.-J。Engle。1968，7，148。[20]mater。2019，31，1808074。[21] E. V. Stroganov，K。V。Ovchinnikov，Strong Fiz 1957，12，152。[22] G. Brauer，无犯罪犯罪的手抛光。3，Enke，Stuttgart，1981年。B. C. Passenheim，D。C。McColum，J。Chem。物理。1969，51，320。[24] X. Gui，R。J。Cava，J。Phys。条件。物质2021，33，435801。[25] M. A. McGuire，H。Dixit，V。R。Cooper，B.C。Sals，Chem。 mater。 2015，27，612。 [26] J. A. Sears，M。Songvilay，K。W。P. P. Clanccy，Y。Qiu，Y。Zhao，D。Parshall，Y.-J。 kim，物理。 修订版 b 2015，91，144420。 [27] 修订版 Lett。 2018，120，217205。 [28] L. Binotto，I。Follinator，G。Spinalo，Phys。 Soliade B，44，245。 Kee，Y.-J。[25] M. A. McGuire，H。Dixit，V。R。Cooper，B.C。Sals，Chem。mater。2015，27，612。[26] J.A. Sears，M。Songvilay，K。W。P. P. Clanccy，Y。Qiu，Y。Zhao，D。Parshall，Y.-J。 kim，物理。 修订版 b 2015，91，144420。 [27] 修订版 Lett。 2018，120，217205。 [28] L. Binotto，I。Follinator，G。Spinalo，Phys。 Soliade B，44，245。 Kee，Y.-J。A. Sears，M。Songvilay，K。W。P. P. Clanccy，Y。Qiu，Y。Zhao，D。Parshall，Y.-J。kim，物理。修订版b 2015，91，144420。[27] 修订版 Lett。 2018，120，217205。 [28] L. Binotto，I。Follinator，G。Spinalo，Phys。 Soliade B，44，245。 Kee，Y.-J。[27]修订版Lett。 2018，120，217205。 [28] L. Binotto，I。Follinator，G。Spinalo，Phys。 Soliade B，44，245。 Kee，Y.-J。Lett。2018，120，217205。[28] L. Binotto，I。Follinator，G。Spinalo，Phys。Soliade B，44，245。Kee，Y.-J。Kee，Y.-J。[29] St. Sinn，C。H. Kim，B。H. Kim，C。Lee，C。J.Won，J。S。Oh，M。Han，J。J。Jang。 Park，C。Kim，H.-D。 Kim，T。W. Noh，Sci。 REP。 2016，6，39544。 [30] K. W. Plumb，J。P. Clancy，J。 kim，物理。 修订版 b 2014，90，04112。 [31] GM Sheldrick，Acta Crystalli。 教派。 c结构。 化学。 2015，71，3。 [32] N. Walker，D。Stumart，Acta Crystalli。 A 1983，39，158。 [33] P. Blaha，K。Schwarz，D。Kvaniscka，J。Luitz，Wien2k ：K。Schwarz），n.d。 [34] E. Wimmer，H。Cracker，M。Weinert，A。J。Freeman，Phys。 修订版 B 1981，24，864。 JP [35] J. P. Perdew，Y。Wang，Phys。 修订版 b 1992，45，13244。 [36] R. D. King-Smith，D。Vanderbilt，Phys。 修订版 b 1993，47，1651。Won，J。S。Oh，M。Han，J。J。Jang。 Park，C。Kim，H.-D。 Kim，T。W. Noh，Sci。REP。 2016，6，39544。 [30] K. W. Plumb，J。P. Clancy，J。 kim，物理。 修订版 b 2014，90，04112。 [31] GM Sheldrick，Acta Crystalli。 教派。 c结构。 化学。 2015，71，3。 [32] N. Walker，D。Stumart，Acta Crystalli。 A 1983，39，158。 [33] P. Blaha，K。Schwarz，D。Kvaniscka，J。Luitz，Wien2k ：K。Schwarz），n.d。 [34] E. Wimmer，H。Cracker，M。Weinert，A。J。Freeman，Phys。 修订版 B 1981，24，864。 JP [35] J. P. Perdew，Y。Wang，Phys。 修订版 b 1992，45，13244。 [36] R. D. King-Smith，D。Vanderbilt，Phys。 修订版 b 1993，47，1651。REP。 2016，6，39544。[30] K. W. Plumb，J。P. Clancy，J。kim，物理。修订版b 2014，90，04112。[31] GM Sheldrick，Acta Crystalli。教派。c结构。化学。2015，71，3。[32] N. Walker，D。Stumart，Acta Crystalli。A 1983，39，158。[33] P. Blaha，K。Schwarz，D。Kvaniscka，J。Luitz，Wien2k：K。Schwarz），n.d。 [34] E. Wimmer，H。Cracker，M。Weinert，A。J。Freeman，Phys。修订版B 1981，24，864。JP [35] J. P. Perdew，Y。Wang，Phys。修订版b 1992，45，13244。[36] R. D. King-Smith，D。Vanderbilt，Phys。修订版b 1993，47，1651。
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TSV/晶圆级包装交互式介绍II（12月5日下午3:00至4：00p ong ong jun wei Jun Javier Microectronics Institute（IME），新加坡新加坡新加坡1360寄生表面耐受的调查调查2.5d/3d杂物互动的寄生表面对Interposer对Interposer效果的效果3 i II（预期）II（预期） 4：00p ng Yong Chyn微电子学研究所（IME），新加坡新加坡1143 1143晶圆级制造嵌入式冷却溶液在加热设备上使用TSV互连TSV/WAFER级别包装交互式互动式展示II（12月5日3:00 PM至4：00P BOON LONG LONG LONG INTRORE SINTERITE of MICROAPS INTREAPS MICREAPSICERS（MICEAPERES）（IMEAP）（IM）使用计算机视觉进行芯片测量进行芯片到磁力混合键合应用智能制造和设备技术交互式演示II（12月5日3:00 pm至4：00p Rahul Reddy komatireddi应用材料印度1403开发机器人支持的型树脂的开发，用于包装式销售量和设备的热模制工艺，以销售3个启示式智能和设备的热模型（in II）智能和设备的热模型（ind）智能智能式技术（约定） 4：00P Eun-JI GWAK韩国机械和材料研究所韩国1238丝网扫描优化，具有模具工艺模拟（虚拟DOE）智能制造和设备技术交互式演示II（12月5日3:00 PM至4：00p Submanian N.R.
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US