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描述由组合标准单元和处理器逻辑路径制成的 1.2V 65nm CMOS 振荡器中的 BTI 和 HCD
摘要 — 偏置温度不稳定性 (BTI) 和热载流子退化 (HCD) 是主要的老化机制，经常通过晶体管测量或基于反相器 (INV) 的环形振荡器 (RO) 测量进行研究。然而，大规模数字电路通常用标准单元（如逻辑门）制造。在可靠性模拟流程中（例如，基于 SPICE 的标准单元特性与退化晶体管）必须对标准单元做出许多假设（例如负载电容、信号斜率、老化模型的不确定性等），并且可能导致较高的模拟不确定性。在这项工作中，我们建议用硅中的标准单元振荡器测量来验证这种标准单元特性。为此，我们提出以下新颖的贡献：1）首次基于从处理器中提取的逻辑路径对异构振荡器（一个 RO 中的多种不同单元类型）进行 BTI 和 HCD 测量。 2） 第一项工作探索了 BTI 和 HCD 对包含组合标准单元的振荡器的影响，即包含多个逻辑门的单个单元（例如与-或-反相器 (AOI) 单元和或-与-反相器 (OAI)）和执行复杂操作（例如全加器）的单元。