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光学与激光技术
在高功率激光材料加工技术中，例如激光焊接、激光熔覆或激光表面处理，调整激光束的空间强度分布（俗称光束整形）可用于优化加工结果，包括加工质量和/或生产率。为了实现动态光束整形（即在加工过程中调整强度分布），光学装置中需要动态光学元件。目前，适合整形单个高功率激光束的动态光学装置是振镜扫描仪和可变形镜。然而，缺乏对这些光束整形装置的光束整形能力（例如分辨率和整形性能）的客观比较。本文提出了一种新颖的数学框架来分析和比较这两种光束整形概念。该框架用于量化光束整形能力，作为相关激光设置参数的函数。接下来，使用该数学框架，模拟振镜扫描仪和可变形镜在瞄准分裂激光束、创建马蹄形强度分布和创建方形均匀分布时的性能。结果表明，实际上，这两种设备都能够在焦平面上创建这三种所需的激光强度分布，与所需的光束形状相比，平均误差也较小。然而，误差分布显示出差异，这是每个单独的光束整形设备的物理限制所特有的。
量子光学器件kvantoptik
量化的电磁波（称为光子）对于基本物理效应（例如热辐射或光的自发发射）是中心的。光子之间的量子相干性证实了量子力学的最惊人的预测。这也彻底改变了密码学和高精度感测。该课程的目的是发展基本理论，并在强调量子技术中应用光子与材料的相互作用的深度知识。
非线性光学手册
1。电子和离子显微镜和微分析：原理和术语，Lawrence E. Murr 2。声音信号处理：理论和实施，由Norman J. Berg和John N. Lee 3。电孔和声学扫描和偏转，米尔顿·戈特利布，克莱夫·L·爱尔兰和约翰·马丁·莱伊4。单态光纤：原理和应用，Luc B. Jeun – Homme 5。光纤数据通信的脉冲代码格式：基本原理和应用，David J. Morris 6。光学材料：选择和应用简介，Sol-Omon Musikant 7。气态测量的红外方法：理论与实践，由Joda Wormhoudt编辑8。激光束扫描：光学 - 机械设备，系统和数据存储光学器件，由Gerald F. Marshall编辑9.光学 - 机械系统设计，Paul R. Yoder，Jr。10。光纤拼接和连接器：理论与方法，加尔文·M·米勒（Calvin M. Miller白色11。激光光谱及其应用，由Leon J. Rad – Ziemski，Richard W. Solan和Jeffrey A. Paisner编辑，12。红外光电学：设备和应用，William Nunley和J. Scott Bechtel 13。集成的光电电路和组件：设计和应用，由Lynn D. Hutcheson编辑14。分子激光器手册，由彼得·K·C·乔（Peter K. Cheo）编辑15。光纤和电缆的手册，Hiroshi Murata 16。Acousto – Optics，Adrian Korpel 17。应用光学的程序，John Strong 18。固体激光器手册，由Peter K. Cheo 19.光学计算：数字和象征性，由Raymond Arra -Thoon20。D. K. Evans 21。激光诱导的等离子体和应用，由Leon J. Rad – Ziemski和David A. Cremers编辑22。红外技术基础知识，Irving J. Spiro和Monroe Schlessinger 23。单码光纤光学器件：第二版原理和应用程序，修订和扩展，Luc B. Jeunhomme 24。图像分析应用，由Rangachar Kasturi和Mohan M. Trivedi编辑25。光电导率：艺术，科学和技术，N。V。Joshi 26。光电工程的原理，马克·A·梅特泽（Mark A. Mentzer）27。镜头设计，米尔顿·莱金（Milton Laikin）28。光学组件，系统和测量技术，Rajpal S. Sirohi和M. P. Kothiyal 29。电子和离子显微镜和微分析：原理和副本，第二版，修订和扩展，劳伦斯E. Murr
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。