XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemOVP
价格清单DBC Zorgproducten和OVPS 2025
039665 OVPXXXXX标准术中神经监测。219.84€20250101 20253112 039666 OVPXXXXXX长期术中神经监测。293.14€20250101 20253112 039667 OVPXXXXXX非常长期的术中神经监测。595.15€20250101 20253112 039688 OVPXXXXXX广泛的定量分析肌电图（EMG）。156.44€20250101 20253112 039702 OVPXXXXX标准电脑电图（EEG），注册长达1小时。275.72€20250101 20253112 039705 OVPXXXXX长期电脑电图（EEG），注册为6至24小时。953.28€20250101 20253112 039708 OVPXXXXXXXXX FILLANT 24小时电脑电图（EEG）注册。496.74€20250101 20253112 039709 OVPXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXLOGE（EEG）在脑死亡程序中。317.98€20250101 20253112 039712 OVPXXXXX 24小时的电脑电图（EEG）注册，带有深度电子。423.61€20250101 20253112 039715 OVPXXXXXX其他简单的简单定量分析电牌学（EEG）。143.63€20250101 20253112 039716 OVPXXXXXX额外的广泛定量分析电牌学（EEG）。142.25€20250101 20253112 039717 OVPXXXXX额外的视频注册（在EEG期间最多1小时）。56.74€20250101 20253112 039718 OVPXXXXX在EEG注册期间1-2小时，2-6小时或6-24小时。117.99€20250101 20253112 039722 OVPXXXXXX Electro摄影（EOG）。334.85€20250101 20253112 039729 OVPXXXXXX SLAMP-APNEU注册（筛选）。194.30€20250101 20253112 div>
CS5095EA 适用于TYPE-C接口,集成30V OVP功能, 最大1.2 ...
CS5095EA是一款5V输入，最大1.2A充电电流，支持 三节锂电池串联应用的升压充电管理IC。 CS5095EA集 成功率MOS，采用异步开关架构，使其在应用时仅需 极少的外围器件，可有效减少整体方案尺寸，降低 BOM成本。 CS5095EA的升压开关充电转换器的工作 频率为500KHz，转换效率为90% 。 CS5095EA内置四个环路来控制充电过程，分别为恒 流 （CC） 环路、恒压 （CV） 环路、芯片温度调节环 路、可智能调节充电电流，防止拉垮适配器输出，并 匹配所有适配器的输入自适应环路。 CS5095EA集成30V OVP 功能，输入端口能够稳定可 靠承受 30V 以内的耐压冲击，并在输入超过 6V 时停止 充电，非常适用于 T Y P E - C 接口的应用。同时芯片 BAT 输出端口耐压 30V ，极大提高了系统的可靠性。 CS5095EA 提供了纤小的 ESOP 8 L 封装类型供客户选 择，其额定的工作温度范围为 -4 0 ℃ 至85 ℃ 。
通过 MOVPE 沉积 Ga2O3 的研究...
氧化镓 Ga 2 O 3 是一种很有前途的半导体电子材料。近年来，对其性质和合成技术进行了广泛的研究 [1,2]。不幸的是，对其外延生长的研究只集中在一个狭窄的最佳条件范围内。具体来说，还没有发表过关于宽区间温度变化对沉积速率影响的数据。这些数据对于彻底了解金属有机气相外延 (MOVPE) 的机制、充分考虑整个反应器容积内的化学和物理过程以及优化外延反应器的几何形状是必需的。在本研究中，研究了 MOVPE 中 Ga 2 O 3 沉积速率对宽区间温度变化的依赖关系。将获得的结果与众所周知的 GaN 和金属镓 (三甲基镓的单独热解) 的依赖关系进行了比较。为了排除反应器设计和温度测量方法对结果的影响，我们在类似条件下直接在同一反应器中测量了这些依赖关系。与任何其他化学气相外延工艺一样，MOVPE 中的沉积速率对温度的依赖性也具有三个明显的部分。在低温下，沉积速率受表面化学反应速率控制。这种生长方式称为动力学受限方式。在最简单的情况下，阿伦尼乌斯曲线的线性部分与之相对应。在存在分子氢甚至原子氢的情况下，动力学部分向低温（与金属有机化合物的单独热解依赖性相比）移动，这些氢可能由 V 族氢化物提供。在较高温度下，沉积速率受组分向表面的传输控制。