董事会(兼职)Asonuma Shinji董事兼副公司办公室Yukawa Yoichiro董事OHNO KEI董事(兼职)Nishiura Ryoji总监(兼职)Yamamoto Koichiro审计师(兼职)
精益制造业在电子行业继续受到极大关注。成功培养了模仿者,因此公司想向世界上最成功的公司之一,也是Lean公认的领导者丰田学习的公司,这也就不足为奇了。这个概念很简单:精益制造业就是成功地以更少的库存,减少浪费,更少的时间来成功运营您的业务。丰田生产系统的创始人太极拳Ohno这样说:“我们所做的只是在客户向我们收取现金时订单的那一刻起的时间表。。太极拳Ohno这样说:“我们所做的只是在客户向我们收取现金时订单的那一刻起的时间表。,我们通过删除非价值添加的废物来减少时间表。”电子公司想要同一件事是很自然的您如何到达那里还有另一个问题。在接下来的几段中,我们概述了电子行业中注意到的一些常见错误或误解。
ExtremeMat:量化微观结构对工程钢蠕变响应的影响。长期服役的 IN 738 叶片的恢复和寿命评估 镍基单晶高温合金 TMS-238 固溶热处理过程中的均质化 Laurent Capolungo Sungho Yang Naoki Ohno
摘要:五十年前,苏苏姆·ohno(Susumu Ohno)提出了著名的C值悖论,该悖论指出,基因组的物理大小,即DNA的量与生物体的复杂性之间没有相关性,并突出了基因组降低的问题。DNA已被描述为“垃圾或selfer dNA”。垃圾DNA的有争议的概念仍然可行。rye是对该概念的正确性和科学意义的另一个测试的便捷主题。栽培黑麦的基因组,塞莱·瓦雷·L。被认为是部落小毛虫的物种中最大的一部分之一,因此它是平均被子植物的基因组及其最接近进化邻居的基因组,例如大麦,荷尔德人,荷尔德人(大约30-35%)和二型麦田(Triticum),triticum,triticum,triticum,triticum,triticum of triticum of triticum,triticum,and triticum of diplitium of triticum,and。审查提供了对黑麦染色体各个区域的结构组织的分析,并描述了有助于其在进化过程中大小增加的分子机制以及这些过程中涉及的DNA序列的类别。是真核基因组冗余概念发展的历史,并讨论了此问题的当前状态。
(1) D. Evans,“物联网:互联网的下一次发展将如何改变一切”,(白皮书),https://www。cisco.com / c / dam / global / ru_ua / assets / pdf / iot-ibsg-0411final。pdf(访问日期 2020-01-04)。(2) G.E.Moore,“将更多组件塞入集成电路”,Proc.IEEE,卷。86,号。1,页。82-85,1998 年 1 月,电子学,卷。38,号。8,页。114-117,1965 年 4 月。(3) A. Chien 和 V. Karamcheti,“摩尔定律:第一个结束和一个新的开始”,计算机,卷。46,页。48-53,2013 年 12 月。( 4 ) T. Hanyu、T. Endoh、Y. Ando、S. Ikeda、S. Fukami、H. Sato、H. Koike、Y. Ma、D. Suzuki 和 H. Ohno,“自旋转移力矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 技术”,载于《非易失性存储器和存储技术的发展》,B. Magyari-Kope 和 Y. Nishi 编辑,页。237-281,第 7 章,Woodhead Publishing 电子和光学材料系列,第 2 版,2019 年。( 5 ) 羽生貴弘,“MTJ / MOSハイブリッド回路技术 ”,応用物理 ,vol.86,no.8,pp.662-665,2017 年 8 月。( 6 ) T. Hanyu、T. Endoh、D. Suzuki、H. Koike、Y. Ma、N. Onizawa、M. Natsui、S. Ikeda 和 H. Ohno,“使用基于 MTJ 的 VLSI 计算的待机无电源集成电路”,Proc.IEEE,vol.104,
András Pál 1, Masanori Ohno 2, László Mészáros 1, Norbert Werner 3, Jakub ˇ Rípa 3, Balázs Csák 1, Marianna Dafˇcíková 3, Marcel Frajt 4, Yasushi Fukazawa 2, Peter Hanák 5, Ján Hudec 4, Nikola Husáriková 3, Martin Kolács 3, Martin Koleda 7, Robert Laszlo 7, Pavol Lipovský 5, Tsunefumi Mizuno 2, Filip Münz 3, Kazuhiro Nakazawa 8, Maksim Rezenov 4, Miroslav Šmelko 9, Hirromitsu Takahashi 2, Martin Topinka Jean-Paul Breuer 3,TamásBozóki11,Gergely Dale 12,Teruaki Enoto 13,Zsolt Frei 14,Gergely Fresh 14,GáborGalgóczi14.15 14.15,Filip Hroch 3,Yuto Ichinohe 16,Yuto Ichinohe 16,Kornélkapás17,18,15,15,15,15,15,15,15,15,15,15 你好。 Poon 2,AlešPovalaEvenc 6,Johnakátsy14.15,Kento Torigoe 2,Nagomi Uchida 20和Yuusuke Uchida 21András Pál 1, Masanori Ohno 2, László Mészáros 1, Norbert Werner 3, Jakub ˇ Rípa 3, Balázs Csák 1, Marianna Dafˇcíková 3, Marcel Frajt 4, Yasushi Fukazawa 2, Peter Hanák 5, Ján Hudec 4, Nikola Husáriková 3, Martin Kolács 3, Martin Koleda 7, Robert Laszlo 7, Pavol Lipovský 5, Tsunefumi Mizuno 2, Filip Münz 3, Kazuhiro Nakazawa 8, Maksim Rezenov 4, Miroslav Šmelko 9, Hirromitsu Takahashi 2, Martin Topinka Jean-Paul Breuer 3,TamásBozóki11,Gergely Dale 12,Teruaki Enoto 13,Zsolt Frei 14,Gergely Fresh 14,GáborGalgóczi14.15 14.15,Filip Hroch 3,Yuto Ichinohe 16,Yuto Ichinohe 16,Kornélkapás17,18,15,15,15,15,15,15,15,15,15,15 你好。 Poon 2,AlešPovalaEvenc 6,Johnakátsy14.15,Kento Torigoe 2,Nagomi Uchida 20和Yuusuke Uchida 21
1 N. H. D. Khang,T。Shirokura,T。Fan,M。Tahahashi,N。Nakatani,D。Kato,Y。Miyamoto,2 H. Wu,D。Turan,Q。Pan,C.-Y. Yang,G。Wu。 下巴,H.-J。 Lin,C.-H。莱,张,M。Jarrahi, 3 K. Gary,C。 4 Y. J. A. b。 Huai,18(6),33(2008)。 5 W.-G。 Wang,M。Li,St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara,K。Ito,R。Take, 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用1092 H. Wu,D。Turan,Q。Pan,C.-Y.Yang,G。Wu。 下巴,H.-J。 Lin,C.-H。莱,张,M。Jarrahi, 3 K. Gary,C。 4 Y. J. A. b。 Huai,18(6),33(2008)。 5 W.-G。 Wang,M。Li,St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara,K。Ito,R。Take, 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用109Yang,G。Wu。下巴,H.-J。 Lin,C.-H。莱,张,M。Jarrahi, 3 K. Gary,C。 4 Y. J. A. b。 Huai,18(6),33(2008)。 5 W.-G。 Wang,M。Li,St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara,K。Ito,R。Take, 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用109下巴,H.-J。Lin,C.-H。莱,张,M。Jarrahi, 3 K. Gary,C。 4 Y. J. A. b。 Huai,18(6),33(2008)。 5 W.-G。 Wang,M。Li,St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara,K。Ito,R。Take, 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用109Lin,C.-H。莱,张,M。Jarrahi,3 K. Gary,C。 4 Y. J. A. b。 Huai,18(6),33(2008)。 5 W.-G。 Wang,M。Li,St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara,K。Ito,R。Take, 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用1093 K. Gary,C。4 Y. J.A. b。 Huai,18(6),33(2008)。5 W.-G。 Wang,M。Li,St.Eageman和C. L. 6 T. Kawahara,K。Ito,R。Take, 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用1095 W.-G。 Wang,M。Li,St.Eageman和C. L.6 T. Kawahara,K。Ito,R。Take, 7 A. 7 A. 8 A. J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。 10 10 J. E. E. 11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用1096 T. Kawahara,K。Ito,R。Take,7 A. 7 A.8 A.J. Sinova,St.O。O. Valenzuela,J。Wunderlich,C。H。Back,1213(2015)。10 10 J. E. E.11 K. Gary,I。M。Miron,C。 12 C. O. Avci。 A. Katine,应用10911 K. Gary,I。M。Miron,C。12 C. O. Avci。A. Katine,应用109A. Katine,应用10913 N. H. D. Khang和P. N. Hai,应用物理信函117(25),252402(2020)。14 Y. Takahashi,Y。Takeuchi,C。Zhang,B。Jinnai,S。Fukami和H. Ohno,应用物理信函114(1),012410(2019)。15G.Mihajlović,O。Mosendz,L。Wan,N。Smith,Y。Choi,Y。Wang和J.16 S. Fukami,T。Anekawa,C。Zhang和H. Ohno,自然纳米技术11(7),621(2016)。17 Y.-T。 Liu,C.-C。黄,K.-H。 Chen,Y.-H。黄,C.-C。 Tsai,T.-Y. Chang和C.-F。 PAI,物理审查应用了16(2),024021(2021)。17 Y.-T。 Liu,C.-C。黄,K.-H。 Chen,Y.-H。黄,C.-C。 Tsai,T.-Y.Chang和C.-F。 PAI,物理审查应用了16(2),024021(2021)。Chang和C.-F。 PAI,物理审查应用了16(2),024021(2021)。
Cardish F, Shimon Shimon Palace, Senkus E, Curiglian G, Aapro MS, Andrew F, Barrius CH, Bhattacharyya M, Eniu A, Francis PA, Klimon K, Gligorov J, Haidinger R, Harbeck N, Hu X, Caution B, Caur R, Kiely BE, Kim SB, Lintz SA, Woods SA, Neciossen BV, Ohno S,Pagani O,Panault-Lorca F,Rgo HS,HS,HS,HS,HS,HS,HS,HS,HS,HS,HS,HS,HS。 Sledge GW,Thomssen C,Vorobiof DA,Wiseman T,Xu B,Norton L,Costa A,EP Winer,第五ESO-ESOM
表面磨碎ASIS 1045钢D.D.的表面硬度计算。Trung,N.N。 Tung,N.H。 儿子,L.H。 ky,T.T。 Hong,N.V。Cuong和V.N. pi 3热浸55%铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接,并使用常规的打孔T. Ohashi,T。Ohno,Y。Shiraishi,Y。Shiraishi,H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H. 的影响 ky,T.H。 Tran,N.V。Cuong,T.T。 Hoang,D.T。 Tam,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝(RSA 431)的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong,L.H。的影响 ky,T.T。 Hong,T.T。 Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 24Trung,N.N。Tung,N.H。 儿子,L.H。 ky,T.T。 Hong,N.V。Cuong和V.N. pi 3热浸55%铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接,并使用常规的打孔T. Ohashi,T。Ohno,Y。Shiraishi,Y。Shiraishi,H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H. 的影响 ky,T.H。 Tran,N.V。Cuong,T.T。 Hoang,D.T。 Tam,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝(RSA 431)的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong,L.H。的影响 ky,T.T。 Hong,T.T。 Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 24Tung,N.H。儿子,L.H。ky,T.T。Hong,N.V。Cuong和V.N. pi 3热浸55%铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接,并使用常规的打孔T. Ohashi,T。Ohno,Y。Shiraishi,Y。Shiraishi,H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H. 的影响 ky,T.H。 Tran,N.V。Cuong,T.T。 Hoang,D.T。 Tam,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝(RSA 431)的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong,L.H。的影响 ky,T.T。 Hong,T.T。 Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 24Hong,N.V。Cuong和V.N.pi 3热浸55%铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接,并使用常规的打孔T. Ohashi,T。Ohno,Y。Shiraishi,Y。Shiraishi,H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H.ky,T.H。Tran,N.V。Cuong,T.T。Hoang,D.T。 Tam,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝(RSA 431)的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong,L.H。的影响 ky,T.T。 Hong,T.T。 Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 24Hoang,D.T。Tam,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝(RSA 431)的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong,L.H。的影响 ky,T.T。 Hong,T.T。 Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 24Tam,L.A。Tung,N.T。tu和v.n.pi 13切割液对快速固化铝(RSA 431)的单点钻石转向表面粗糙度的影响oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong,L.H。ky,T.T。Hong,T.T。 Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 24Hong,T.T。Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。 tu和v.n. pi 24Hoang,N.M。Cuong,L.A。Tung,N.T。tu和v.n.pi 24
—----------------------------------------------------------------------------------------------------- *DEM836 - TÓPICOS ESPECIAIS EM ENGENHARIA MECÂNICA I: PVD (Physical Vapor Deposition) OBJETIVO : Engineer PVD-grown single- or multi-layer surfaces.programa 1薄膜沉积技术2溅射,PVD方法和应用3 PVD技术的高性能应用中的创新技术4 PVD在UFSM 5实验分配BibliografiaBásica•厚和薄膜杂种杂交微型电气,T.K的手册。Gupta(2004)221-243。 https://onlineliribrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/0471723673.CH7 CH7在2022年6月24日上加入。 •Modern Surface Technology,M。Nicolaus和M.Schäpers(2006)31-50。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/3527608818.CH3访问了2022年6月24日/6月24日。 •表面和界面科学,J。Colligon和V. Vishnyakov(2020)1-55。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/9783527822492.CH61 2022年6月24日访问。 •平板显示制造,T。Ohno(2018)209-224。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/9781119161387.CH11_02访问24/6月/2022年。 •平板显示制造,M。Bender(2018)225-240。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/9781119161387.CH11_03访问24/6月/2022年。 •现代地表技术,K。Bobzin,E。Lugscheider,M。Maes,P。Immich(2006)51-63。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/3527608818.CH4 2022年6月24日访问。 •有关该主题的最新出版物,特定于每个实验分配。Gupta(2004)221-243。 https://onlineliribrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/0471723673.CH7 CH7在2022年6月24日上加入。•Modern Surface Technology,M。Nicolaus和M.Schäpers(2006)31-50。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/3527608818.CH3访问了2022年6月24日/6月24日。•表面和界面科学,J。Colligon和V. Vishnyakov(2020)1-55。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/9783527822492.CH61 2022年6月24日访问。•平板显示制造,T。Ohno(2018)209-224。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/9781119161387.CH11_02访问24/6月/2022年。•平板显示制造,M。Bender(2018)225-240。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/9781119161387.CH11_03访问24/6月/2022年。•现代地表技术,K。Bobzin,E。Lugscheider,M。Maes,P。Immich(2006)51-63。 https://onlinelibrary-wiley.ez47.periodicos.capes.gov.br/doi/10.1002/3527608818.CH4 2022年6月24日访问。•有关该主题的最新出版物,特定于每个实验分配。