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BTI 老化现象对模拟放大器影响的研究
摘要 CMOS 技术的扩展允许设计更复杂的系统，但同时也带来了一些可靠性问题。特别是，大幅扩展的微电子技术受到偏置温度不稳定性 (BTI) 老化现象的影响，这种现象导致晶体管阈值电压的绝对值随老化时间增加，从而降低微电子电路的可靠性。在本文中，我们估计了 BTI 对开环配置的运算放大器 (OPAMP) 以及基于 OPAMP 的三个卓越模拟放大器的性能下降。结果表明，BTI 会严重影响所研究电路的性能，并且这种性能下降会随着工作温度的升高而恶化。我们还简要介绍了一种可能的低成本监控方案，用于检测由 BTI 引起的 OPAMP 性能下降。我们的监控器的有效性已通过布局前电气模拟得到验证，结果表明它可以可靠地用于评估 OPAMP 的老化性能下降。
EEM 204 – 模拟电子学 I
实验6：BJT放大器的频率响应 11 差分和多级放大器 实验7：BJT差分放大器 12 理想运算放大器 实验8：运算放大器特性 13 运算放大器电路和非理想效应 实验9：运算放大器应用 14 反馈和稳定性 实验10：反馈应用 评分实验室练习 30%，期中考试 30%，期末考试 40%。资源
MC4558N8集成电路
MC4558N88 IC DUAL OPAMP 8P 5.5MHz SOSTITUISCE：AN4558，BA4558N，CD45558，GL4558，KIA4558，LA3130，LM45558，LS4558N，LS4558N，LS4558N，MC45558CN，MC4555855585555585558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RC4558，RCRC4558，RC4558，RC4558，RCRC4558，RC4558，RC4558，RC4558。
RACSY19C 应用物理学 – 相关课程 III 第一单元
基本运算放大器 – 反相和非反相运算放大器 – 差分运算放大器 – CMRR – 运算放大器作为符号和比例变换器移相器积分器的基本用途。微分器和加法器 D/C – 二进制加权方法 – R-2R 梯形法 – A/C 逐次逼近和计数器方法 – OpAmp 作为比较器 学习书籍：
后端VLSI设计课程内容
Course Content: Module 1: INTRODUCTION TO VLSI DESIGN: What is VLSI Design and Microelectronics / Practical Applications of Integrated Circuits / Why study VLSI Design and Microelectronics / Career Prospects in VLSI Design / ASIC Design Flow / Types of Integrated Circuits ( Full Custom / Semi Custom / Gate Array ) / State of the Art in VLSI Design.模块2：MOSFET的操作和建模：MOSFET作为开关 / NMOS和PMOS晶体管 / MOS设备 / MOS设备的物理 /操作 /电流方程在不同区域 /阈值电压 /身体效应 /车身效应 /通道长度调制 /速度饱和 /短通道效果 /简短通道效应 /简介Spice Simulation。模块3：CMOS工艺技术和芯片制造：半导体晶体生长 /晶圆制剂的简介 /外交 /氧化 /扩散 /光刻 /金属化 /金属化 /蚀刻 /芯片包装和测试。模块4：数字CMOS电路的电路设计和布局：组合和顺序电路 /逻辑门 /闩锁和flops和flops /逻辑设计样式 /逻辑系列。模块5：CMOS模拟电路设计 - 简介：MOSFET / MOS模型 /电流源 /电流镜像 /差分放大器 /比较器 / opamp / opamp / bgr / dac / dac / adc / pll / rf电路的电流方程。模块6：模拟布局 - 概述：电阻器 /电容器 / MOSFET /匹配技术的布局（互构化和公共质心布局） /可靠性问题 - 电气移民 / ir drop / crosstalk / crosstalk / latchup / eSD / eSD /天线效应。行业标准EDA / CAD介绍模拟布局。
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工艺改进。本研究的具体研究贡献包括：(1) 确定与开关电容电路相关的 MOS 器件可靠性问题，(2) 引入一种新的自举技术，用于在低压电源上操作 MOS 传输门，而不会显著缩短器件寿命，(3) 开发低压运算放大器设计技术。利用这些设计技术，可以实现开关电容电路所需的构建模块，从而能够在低压电源上创建采样、滤波和数据转换电路。作为演示，介绍了实验性 1.5 V、10 位、14.3MS/s、CMOS 流水线模数转换器的设计和特性。
B.E.电子和仪器工程B.E.电子和仪器工程
CMOS电路，寄生电容，MOS缩放技术，闩锁，匹配问题，布局中常见的质心几何形状。用于逻辑，算术和顺序块设计的数字电路设计样式；使用逻辑工作的设备尺寸；定时问题（时钟偏斜和抖动）和时钟分布技术；能源消耗的估计和最小化；功率延迟权衡，互连建模；内存体系结构，内存电路设计，感官放大器；集成电路测试的概述。基本和级联的NMOS/PMOS/CMOS增益阶段，差分放大器以及高级OPAMP设计，设备的匹配，错配分析，CMRR，PSRR和SLEW速率问题，偏移电压，高级电流镜；电流和电压参考设计，共同模式反馈电路，频率响应，稳定性和噪声问题；频率补偿技术。
的 B.Tech
实验 注意：至少要进行五个实验 1. 绘制 Si PN 结二极管的正向/反向特性。 2. 绘制齐纳二极管的正向/反向特性 3. 研究并绘制齐纳二极管作为稳压器的特性 4. 研究半波整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 5. 研究全波整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 6. 研究桥式整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 7. 画出 CE 配置中 npn 晶体管的输入输出特性曲线 8. 画出 CB 配置中 npn 晶体管的输入输出特性曲线 9. 画出 JFET 的漏极和传输曲线 10. 研究 OPAMP (741) 并计算 (i) 反相模式和 (ii) 非反相模式下的增益