XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemOpAmp
ELEC 3509：电子学 II 2024 年秋季
日历描述：半导体器件和集成电路简介。双极结型晶体管的直流、交流和开关特性。线性放大器；带宽考虑；双端口分析。大信号放大器；功率放大器；无变压器电路。反馈和运算放大器；增益、灵敏度、失真和稳定性。滤波器设计。振荡器。在本课程中，学生将学习电子电路的分析和设计。将讨论分立电路和集成电路。本课程以涵盖基本电路和信号分析（在 ELEC 2501 中介绍）以及基本电子设备和电路（如二极管、双极结型晶体管、MOSFET 和放大器/整流器/调节器电路（在 ELEC 2507 中介绍））的概念为基础。在本课程中，单晶体管电路将扩展到由双极结型晶体管组成的多晶体管电路。将研究各种单晶体管和双晶体管放大器电路的设计，然后探索运算放大器。最后将看到一些运算放大器应用，例如滤波器和振荡器的设计。
当前基于镜像的IV转换器带有输出缓冲区
简介在2017年早些时候，我们在Uthaim线程中讨论了当前传送带放大器如何也可以用作IV转换器[1]。Uthaim利用了东芝JFET输入对，偏向于8mA。这些JFET当然很难获得。自然的问题是，我们如何用BJT替换JFET。偶然地遇到了Toshiyuki Beppu [2，2a]的1999年跨阻力IV电路。虽然这本质上是一个OPAMP IV电路，但输入阶段使用电流镜的原理显示了互补BJT对的简单偏置电路。也有John Broskie [2B]在2012年发表的类似巡回赛。而不是根据BEPPU使用第二电流放大阶段，然后用NFB关闭环路，而是只能将Uthaim的其余部分用于IV转换，包括输出缓冲区。当然，IV转换器不需要像Uthaim中的强大输出缓冲区。一个简单的A类BJT发射极追随者足以驱动下游阶段的典型载荷。整个电路由不超过3对互补电流镜，还有10个电阻组成。在Internet上进行了一些进一步的搜索，揭示了与上述[3,4]的非常相似的电路。实际上，我们在2011年也发表了类似的内容[5]。正如Jan Didden所说，您可以将其视为开放循环和A类简化的AD844（或平行的8倍）。那么，为什么现在要恢复呢？当时，JFET含量丰富，几乎没有HFE的单片双BJT可供选择（2SC3381BL / 2SA1349BL）。今天的情况是完全逆转的，并且像Nexen这样的SMD组件建立小型IV模块的想法相当吸引人[6]。Rutgers的确报告了相对较差（模拟）的性能，即使在低输出水平为0.25V的情况下，H3也为0.04％。尽管他选择的晶体管具有很低的电容，但HFE也很低（〜80）。通过选择高HFE（〜400）的Toshiba SMD低噪声双晶体管，我们的模拟
IUS 2025春季课程计划本科
ITU至少有30天的实习是强制性的。课程目录描述在IUS：CS303数字设计：关于数字电子构建块的标准入门课程。学生将学习布尔代数的公理，数字系统和表示，逻辑门的功能，编码器，解码器，多路复用器，分流器，加法器，减法器，触发器等。课程包括简单有限状态机的分析和设计。简要研究了不同电路家族的物理实施以及数字记忆的体系结构。学生还将学习使用VHDL在可编程逻辑设备中实现数字电路。EE201模拟电子I：传导。半导体，载体，P型和-Type掺杂，漂移和扩散机制，PN连接的物理结构和行为。理想二极管，实用二极管，电气行为和电流 - 电压曲线。二极管模型。DC分析方法的二极管电路（恒定电压下降模型，带指数模型的固定点迭代）。小信号近似，二极管小信号等效和二极管电路的交流分析，直流电源设计（整流器，用滤波器电容器对拓扑分析）。Zener二极管和调节。身体耐药性和寄生能力。其他二极管类型。双极结构晶体管（BJT），早期现象，BJT操作区域，电气模型（Ebers-Moll）和特征的物理结构和行为。DC偏置和BJT电路的热稳定性。MOSFET，操作区域，特征，重要次要效应（通道长度调制，身体效应）的物理结构和行为。DC偏置和MOSFET电路的热稳定性。切换BJT和MOSFET的应用，这是数字电路中的概念用法。EE202电路II：高阶动态电路的状态和输出方程。状态过渡矩阵和属性。zerostate，零输入和总响应。正弦稳态。在JW-域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。拟态。力量。三相系统。在S域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。阻抗和入学。稳定性和劳斯标准。网络功能和参数。块和信号流程图。bode图。ee221面向对象的编程：数据类型，控制语句，循环，阵列，功能，指针，动态内存，抽象和封装，类，对象，构造函数，构造函数和驱动器，继承和多态性，类，类等级，超级类，超级类，亚类，互动类，界面，界面，界面，界面，虚拟方法，虚拟方法，operator，Operator opertranting，Operator，Operator opertranting。EE301模拟电子II：扩增和增益概念，Desibell概念，电压放大器 /电流放大器 /跨导电电路 /跨逆性电路模型，晶体管在扩增中的概念功能。DC分析晶体管（BJT，MOSFET）电路。BJT和MOSFET的小信号当量和末端电阻。AC分析BJT和MOSFET放大器：基本放大器阶段的增益和输入/输入电阻，分析级联（直接/电容性耦合）放大器。cascode结构，达灵顿结构。差分放大器，差分和共同模式增益，共同模式排斥比。当前来源，负载的电路。操作放大器，理想和实际行为，样品操作机的内部结构。opamp的线性和非线性应用，非理想性对行为的影响。功率放大器。eens221工程学简介：本课程是工程学深度一年级学生的方向课程。它旨在使学生适应更轻松，并告知他们有关电子产品的一般主题以及电信工程，工程道德和质量。各种教职员工向学生们发表演讲。提供了申请的示例，加上工程伦理守则，道德责任，设计中的质量问题和应用程序。ELIT113技术英语：本课程旨在通过使用引起的信息通过阅读和分析技术和学术文本以及学术和技术写作技巧来提高学生的阅读能力。学生不仅了解学术和技术英语的要求，还可以提高他们的其他语言和批判性思维能力。ELIT213学术写作简介：旨在教授组织和关键的课程学生有望通过使用适当的技术语言来广泛描述对象和机制，以对他们所研究的信息进行分类并撰写有关分类的分析组成，以引用他们在整个过程中使用的所有信息。