摘要。金属卤化物钙钛矿材料在钙钛矿太阳能电池和发光二极管中迅速前进,这是由于其优质的光电特性。钙钛矿光电设备的结构包括钙钛矿活动层,电子传输层和孔传输层。这表明优化过程随着复杂的化学结晶过程和复杂的物理机制之间的复杂相互作用而展开。钙钛矿光电学中的传统研究主要取决于试验和错误实验,这是一种效率较低的方法。最近,机器学习的出现(ML)已大大简化了优化过程。由于其强大的数据处理能力,ML在发现潜在模式和做出预测方面具有显着优势。更重要的是,ML可以揭示数据中的潜在模式并阐明复杂的设备机制,从而在增强设备性能中起关键作用。我们提出了将ML应用于Perovskite光电设备的最新进步,涵盖了钙钛矿活动层,传输层,接口工程和机制。此外,它还为未来的发展提供了预期的前景。我们认为,ML的深层整合将大大加快钙钛矿光电设备性能的全面增强。
protoelectronics设备固体中的能带,E-K图元素和化合物半导体半导体光电材料载体载体有效质量温度和压力的影响,压力和压力对带携带者对携带者的影响protoelectronics设备固体中的能带,E-K图元素和化合物半导体半导体光电材料载体载体有效质量温度和压力的影响,压力和压力对带携带者对携带者的影响
B为VI族元素,例如Bi 2 Se 3 、Bi 2 Te 3 、Sb 2 Te 3 和In 2 Se 3 ,由于其独特的电子性质而受到越来越多的关注。 [2] 例如,半导体In 2 Se 3 表现出厚度相关的带隙(从块状晶体的1.3 eV到单层的2.8 eV)。 [3] 与无间隙石墨烯和过渡金属二硫属化合物相比,In 2 Se 3 的电子性质显示出明显的优势,后两者仅在单层中表现出相对较大的带隙(1.5–2.5 eV)。 [4] 当用作光学材料时,In 2 Se 3 表现出高吸收系数、宽范围响应度(从紫外线(325 nm)到短波长红外(1800 nm))和高灵敏度。 [5] 与其他对空气敏感的直接带隙二维材料(如黑磷(BP)[1c])不同,完整的 In 2 Se 3 薄片在空气中非常稳定。最近,基于单个 In 2 Se 3 纳米片的光电探测器具有高光敏性(10 5 AW − 1 )和快速、可逆和稳定的光响应特性。[5] In 2 Se 3 的优异性能优于许多其他二维材料(如石墨烯、BP 和 MoS 2 ),为大面积光电探测器提供了重要的基础。[6] 尽管如此,具有大晶畴的无缺陷 In 2 Se 3 薄片的可扩展生产仍然是其实际应用的障碍。微机械剥离是生产高质量薄 In 2 Se 3 纳米片的最著名方法。[5,7] 然而,它的剥离产率极低,仅适用于基础研究。 [8] 克服这一限制的潜在方案包括化学气相沉积、[2c] 液相剥离 [9] 和湿化学合成。[10] 然而,这些方法制备的 In 2 Se 3 薄片通常具有大量缺陷和较差的光电性能。[9,11] 例如,通过气相沉积获得的 In 2 Se 3 纳米片的光响应度(3.95 × 10 2 AW − 1)明显低于透明胶带剥离薄片(10 5 AW − 1)。[8] 从基本角度来看,In 2 Se 3 是一种由弱范德华力连接的层状材料,层间距离为 0.98 nm,比许多其他层状化合物(0.3–0.7 nm;图 1 a、b;图 S1,支持信息)大得多。因此,插入客体分子或离子,特别是在溶液中电流的驱动下,可以成为将二维晶体分层成单个薄片的合理策略。[12]
Instructor: Prof. Yu Yao School of Electrical, Computer, and Energy Engineering Email: yuyao@asu.edu Goals: This course is designed to provide senior undergraduate students and junior graduate students background in a basic understanding of the principles and practices of modern optoelectronic devices and their important functions for applications in optical communication, sensing, imaging, and solar electricity generation.也将获得半导体光电设备设计,制造和表征的实用技能。主题1。光的浪潮a。均匀培养基中的光波b。在两个介质之间的接口处进行反射和传输。薄膜光学和涂料d。光2。介电波导和光纤a。电介质平面波导b。光纤3。半导体的光学特性a。半导体概念和能量频段b。半导体的光吸收和排放c。半导体的折射率4。高级主题(关注概念,对数学建模没有任何要求,将分配一个最终项目)a。发光二极管b。半导体放大器和激光器c。光电检测器和图像传感器d。太阳能电池
SEMESTER – B1(Common to All streams) L T P Credit HU101 Communicative English 2 1 0 3 PH102 Physics-I 2 1 0 3 CH103 Chemistry-I 2 1 0 3 MA104 Engineering Mathematics-I 2 1 0 3 EE105 Electrical Technology 2 1 0 3 CS106 Computer Programming and Data Structure 2 1 0 3 HU107 Language Lab 0 0 3 2 PH108 Physics-I Lab 0 0 3 2 CH109 Chemistry-I Lab 0 0 3 2 EE110 Electrical Technology Lab 0 0 3 2 CS111 Computer Lab 0 0 3 2 12 6 15 28 SEMESTER – B2 (Common to All streams) HU201 Sociology 2 1 0 3 PH202 Physics-II 2 1 0 3 CH203 Chemistry-II 2 1 0 3 MA204 Engineering Mathematics-II 2 1 0 3 ET205 Basic Electronics 2 1 0 3 ME206 Engineering Mechanics 2 1 0 3 PH207 Physics-II Lab 0 0 3 2 CH208 Chemistry-II Lab 0 0 3 2 ET209 Electrical Technology Lab 0 0 3 2 ME210 Workshop Practice 0 0 3 2 ME211 Engineering Drawing 0 0 3 2 12 6 15 28 SEMESTER – B3 B231 Engineering Mathematics-III 2 1 0 3 B232 Foundation of Applied Optics & Photonics 3 0 0 3 B233 Photonic Materials 3 0 0 3 B234网络理论2 1 0 3 B235模拟和数字电子电路3 0 0 3 B231P辐射仪和光度法实验室0 0 6 4 B232P计算机应用程序实验室0 1 3 3 3 3
在作为胶体量子点(CQD)产生的材料中,HGTE具有特殊的状态,是覆盖从可见光到THZ的整个红外范围的唯一材料(0.7-100μm)。这种独特的特性是由其电子结构产生的,结合了空气稳定性和电荷传导能力,在过去的二十年中产生了一致且庞大的效果,以产生和改善HGTE CQD。同时,HGTE CQD与中波红外的任何其他胶体替代品更先进,内容涉及其整合到高级光子和光电应用中。在这里,HGTE CQD相对于材料的生长,电子结构建模,其整合到光子结构中的最新发展及其作为从单个元素设备向复杂传感器和红外成像器的活动材料传递的传递。最后,还包括有关该材料对行业的潜力的讨论,还包括相对于材料和设备设计,在低技术准备水平的经济和生产方面增加了新的挑战。
抽象的二维过渡金属二分元化是下一代光电学的领先材料,但是基本问题是商业化的基本问题。这些问题首先包括在低温下观察到的强烈低能量宽发光峰(L-PEAKS)的广泛争议的缺陷和应变诱导的起源。其次,氧气在通过化学吸附和物理吸附来调整性质中的作用很有趣,但挑战性地理解。第三,我们对六角硼(HBN)封装的益处的物理理解不足。使用一系列样品,我们将氧气,缺陷,吸附物和对单层MOS 2的光学性质的贡献解脱出来。与氧化样品相比,通过温度和功率依赖性的光致发光(PL)测量证实,对于氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)样品,与氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)的急剧红移相比,与脱氧于130 meV一起证实。 异常,O-CVD样品在室温(CF去角质)下显示出很高的A-EXCITON PL,但在低温下降低了PL,这是由于应变诱导的直接诱导的直接型带直接在低缺失的O-CVD MOS 2中。 这些观察结果与我们的密度功能理论计算一致,并由拉曼光谱学支持。 在去角质样品中,带电的O正常被识别为热力学上有利的缺陷,并创建差距态。 封装的有益作用源于减少带电的O Adatoms和吸附物。通过温度和功率依赖性的光致发光(PL)测量证实,对于氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)样品,与氧辅助化学蒸汽沉积(O-CVD)的急剧红移相比,与脱氧于130 meV一起证实。异常,O-CVD样品在室温(CF去角质)下显示出很高的A-EXCITON PL,但在低温下降低了PL,这是由于应变诱导的直接诱导的直接型带直接在低缺失的O-CVD MOS 2中。这些观察结果与我们的密度功能理论计算一致,并由拉曼光谱学支持。在去角质样品中,带电的O正常被识别为热力学上有利的缺陷,并创建差距态。封装的有益作用源于减少带电的O Adatoms和吸附物。这项实验性理论研究发现了每个样品中缺陷的类型,使您可以理解缺陷,应变和氧对条带结构的综合作用,并丰富了我们对封装影响的理解。这项工作提出了O-CVD作为创建光电学高质量材料的一种方法。
1。简介:attosond Electron动力学,Petahertz光电子和量子力学中的“损失时间”的问题370 2。量子力学中的严重问题:量子跳跃,不确定性关系和Pauli定理371 2.1 Bohr的理论,量子跳跃和时间测量的不确定性; 2.2 Pauli的定理3。量子力学中的时间面孔372 3.1内部和外部时间; 3.2作为量子可观察的时间和时间操作员; 3.3延迟时间4。mandelstam±tamm不确定性关系374 5。量子保真度和量子速度限制375 6。能量±时间不确定性,与时间有关的汉密尔顿人375 7。激光驱动的量子动力学376 8。不确定性关系和电子动力学的速度限制376 9。Keldysh参数和光电子的Petahertz极限378 10。mandelstam±Tamm的不确定性关系和量子进化的信息几何度量379 10.1量子演化的几何形状; 10.2量子保真度和渔民信息; 10.3不确定性关系和cram er±rao绑定11。量子速度极限的非量化性质381 12。热力学不确定性限制382 12.1信息指标和热力学不确定性; 12.2膜蛋白温度阈值的热力学极限13。结论383参考383
光电子学与先进材料杂志 第 24 卷,第 1-2 期,2022 年 1 月 - 2 月,第 69-73 页 传统固相法合成的 Zn 掺杂钛酸钡陶瓷的结构和电学性能研究 EHSAN UL HAQ 1、MUHAMMAD RAMZAN ABDUL KARIM 2,*、KHURRAM IMRAN KHAN 2,*、WASEEM AKRAM 1、SYED SHABBAR HASSAN 1、FAHAD KASHIF 1 1 巴基斯坦拉合尔工程技术大学冶金与材料工程系,邮编 54890 2 巴基斯坦托皮-23640 GIK 工程科学与技术研究所材料与化学工程学院 钛酸钡 (BaTiO 3 ) 是一种具有压电和铁电性能的突出陶瓷材料。尽管在执行器、光电子器件和电容器中有着广泛的应用,但 BaTiO 3 的高响应时间和介电损耗限制了它的有效利用。氧化锌 (ZnO) 已成为多项研究中控制压电材料晶粒生长行为和介电性能的首选掺杂剂。在本研究中,通过常规固态方法将 0.02 wt.% 至 0.08 wt.% 的各种 ZnO 浓度添加到钛酸钡 (BaTiO 3 ) 中,然后在 1150 o C 下烧结 2 小时。在 X 射线衍射 (XRD) 分析中,所有掺杂剂浓度均未检测到第二相,表明所有添加的 ZnO 都已融入 BaTiO 3 中形成化学配方为 BaZn x Ti 1-
在过去的 25 年里,美国国家航空航天局 (NASA) 戈达德太空飞行中心工程理事会的光子学小组为许多科学和导航仪器的飞行设计、开发、生产、测试和集成做出了巨大贡献。从月球到火星的计划将在很大程度上依赖于利用商业技术来制造具有紧迫时间表期限的仪器。该小组在筛选、鉴定、开发和集成用于航天应用的商业组件方面拥有丰富的经验。通过保持适应性并采用严格的组件和仪器开发方法,他们与行业合作伙伴建立并培养了关系。他们愿意交流在包装、零件构造、材料选择、测试以及对高可靠性系统实施至关重要的设计和生产过程的其他方面的经验教训。因此,与行业供应商和组件供应商的成功合作使从月球到火星(及更远的地方)的任务取得了成功,同时平衡了成本、进度和风险状况。在没有商业组件的情况下,该小组与戈达德太空飞行中心和其他 NASA 现场中心的其他团队密切合作,制造和生产用于科学、遥感和导航应用的飞行硬件。这里总结了过去十年仪器开发的经验教训和从子系统到光电元件级别收集的数据。