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Purdue Fort Wayne现在在应用物理学中提供州唯一的大师
尽管印第安纳州东北部的迅速发展的技术行业虽然导致了高级学位的熟练专业人士的区域需求。PFW的应用物理学硕士将使学生在相关领域（例如光电，材料制造和声学）中应用材料科学和量子理论。毕业生还将获得先进的实验，计算和分析技能，以应对现实世界中的挑战，同时满足该地区对这些关键领域熟练劳动力的需求。
物理会议2025小册子 -
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a inrs - 中心e´nergie mate´riaux te´le´communications，1650 boul。Lionel Boulet，Varennes，QC，J3X 1S2，加拿大。电子邮件：nechache@emt.inrs.ca b e´cole de Technologie supe´rieure（e´ts），电气工程系，1100 Rue Notre-Dame Ouest，Montre´al，QC，QC，H3C 1K3，加拿大，加拿大H3C 1K3。电子邮件：sylvaing.cloutier@etsmtl.ca c光学物理学和光电学，Zernike高级材料研究所，格罗纳根大学，Nijenborgh 4，NL-9747 AG，Groningen，荷兰，
原子级薄晶体银纳米结构中的超受限等离子体
将光限制到原子尺度的能力对于光电子学和光学传感应用的开发以及纳米级量子现象的探索至关重要。厚度仅为几个原子层的金属纳米结构中的等离子体可以实现这种限制，尽管亚纳米级的制造缺陷阻碍了实际发展。在这里，通过预图案化硅基板并外延沉积厚度仅为几个原子层的银膜制造的原子级薄结晶银纳米结构中展示了窄等离子体。具体而言，对硅晶片进行光刻图案化以引入按需横向形状，对样品进行化学处理以获得原子级平坦的硅表面，并外延沉积银以获得具有指定形态的超薄结晶金属膜。按照此程序制造的结构可以对近红外光谱区域的光场约束进行前所未有的控制，这里通过观察具有极端空间约束和高品质因子的基阶和高阶等离子体来说明这一点，这些因子反映了金属的晶体性。本研究在空间约束程度和品质因数方面取得了实质性的改进，这将有助于设计和利用原子级纳米等离子体器件用于光电子、传感和量子物理应用。
Flash 架构
以及信息科学与应用国际会议 (ICISA) ⋅ 工程学院模拟与混合信号设计与测试中心委员会成员 ⋅ IEEE 微波理论与技术学报、IEEE 电子器件学报和 IEEE 固态电路杂志的技术审稿人 精选出版物 ⋅ S. Hamedi-Hagh、MY Siddiqui、M. Singh 和 S. Ardalan，“具有恒定回波损耗的低压数字控制 4GHz 可变增益放大器，”微电子选定领域杂志，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh 和 D.-H. Park，“纳米线晶体管在驱动纳米线 LED 中的应用，”电气电子材料学报，第 13 卷，第 2 期，第 73-77 页，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、M. Tabesh、S. Oh、NJ Park 和 D.-H. Park，“用于近场通信的 UHF CMOS 前端设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 6 卷，第 6 期，第 817-823 页，2011 年。⋅ Bindal, D. Wickramaratne 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术实现直接序列扩频基带发射器”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。⋅ Bindal, T. Ogura、N. Ogura 和 S. Hamedi-Hagh，“用于实现带扫描链的现场可编程门阵列架构的硅纳米线晶体管”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。 4，第 342-352 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh、JC Chung、S. Oh、NJ Park 和 DH Park，“用于 GPS 通信系统的高性能贴片天线的设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 342-352 卷。 4，第 2 期，282-286 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“下一代纳米线放大器的设计和特性”，《VLSI 设计杂志》，文章 ID 190315，2008 年。⋅ JC Chung 和 S. Hamedi-Hagh，“单芯片通信系统的 PCB 匹配电感器和天线的设计”，《国际微波科学与技术杂志》，文章 ID 287627，2008 年。⋅ Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“使用完全耗尽周围栅极晶体管的纳米线 CMOS 放大器的特性”，《纳米电子学与光电子学杂志》，第 4 卷，第 2 期，第 282-286 页，2009 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、S. Oh、A. Bindal 和 DH Park，“使用纳米线 FET 设计下一代放大器”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“用于高速模拟集成电路的硅纳米线场效应晶体管的 SPICE 建模”，IEEE Transactions on Sotoudeh Hamedi-Hagh 第 3/6 页纳米技术，第 7 卷，第 766-775 页，2008 年。⋅ Bindal、S. Hamedi-Hagh 和 T. Ogura，“用于现场可编程门阵列架构应用的硅纳米线技术”，纳米电子学与光电子学杂志，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。 3，第 2 期，第 1-9 页，2008 年。 ⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线晶体管及其在未来 VLSI 中的应用：16×16 SRAM 的探索性设计研究”，纳米电子学和光电子学杂志，第 2 卷，第 294-303 页，2007 年。⋅ Bindal、A. Naresh、P. Yuan、KK Nguyen 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计双功函数 CMOS 晶体管和电路”，IEEE 纳米技术学报，第 6 卷，第 291-302 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计新型脉冲神经元”，纳米技术杂志（物理研究所），第 2 卷，第 301-302 页，2007 年。 18，第 1-12 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“关于节能硅纳米线动态 NMOSFET/PMESFET 逻辑的探索性研究”，IEE 科学、测量和技术会议录，第 1 卷，第 121-130 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“使用硅纳米线技术实现交叉开关架构的静态 NMOS 电路”，半导体、科学和技术杂志（物理研究所），第 22 卷，第 54-64 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线技术对单功函数 CMOS 晶体管和电路设计的影响”，纳米技术杂志（物理研究所），第 17 卷，第 4340-4351 页，2006 年。
ICPS2026 CFP
物质生长，结构特性和表征（散装，纳米线，点）宽带gap半导体和设备的Terahertz和Mid Ristrared石墨烯的半导体，2D材料钙化材料，有机有机物半导体，具有物质的拓扑剂，拓扑结构和温度的旋转半元素的拓扑统一，并旋转了旋转的旋转剂，并旋转了旋转的旋转，并旋转了启发性旋转，并旋转了启发性的旋转，并成分 - 旋转旋转型旋转成分，成分 - 旋转式旋转成分，成分构成了旋转式旋转，并构成了旋转的旋转型，并构成了旋转式旋转式旋转式状态 (1D, 2D) Quantum Hall effect, fractional quantum Hall effect Optical properties of quantum dots and nanocrystals, optoelectronics, solar cells Nanophotonics, photonic crystals Quantum optics, quantum emitters, NV centers Quantum technologies: semiconductor qubits and applications, cryo-CMOS technologies Semiconductor hybrid systems, nano-mechanics, novel devices
博士Bratati Mukhopadhyay-加尔各答
博士（技术），加尔各答大学无线电物理和电子学研究所 年份：2006 专业：半导体器件物理和光电子学 论文：Si 基量子纳米结构在光电子器件中的应用研究 导师：Prasanta Kumar Basu 教授 技术硕士：加尔各答大学无线电物理和电子学研究所 年份：1997-1999 技术学士：加尔各答大学无线电物理和电子学研究所 年份：1994-1997 物理学学士：加尔各答大学 Lady Brabourne 学院，加尔各答 年份：1991-1994
2022年国际计算机网络会议
2022 年第 1 届光电子、材料和可再生能源国际会议 (ICOMRE'22) 将于 2022 年 12 月 12 日至 13 日在阿尔及利亚 El Oued 举行。会议由阿尔及利亚 LEVRES 撒哈拉能源资源开发和增值实验室组织。ICOMRE'22 的主要目的是将所有潜在参与者聚集在一起：来自多个国家的行业、专家、研究人员、学者、制造商和供应商，以回顾这些领域取得的最新进展，并交流研究想法，探索光电子、材料和可再生能源领域的当前挑战。