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TNF受体超家族成员对CD8+ T细胞响应的定量贡献
T细胞对感染和癌症的反应受到分组为共同刺激或共抑制的二进制类别的共同信号受体的调节。共刺激TNF受体超家族（TNFRSF）成员4-1 BB，CD 27，GITR和OX 40具有相似的信号传导机制，这引发了一个问题，即它们是否对T细胞反应有相似的影响。在这里，我们筛选了这些TNFRSF对原代人CD 8 + T细胞细胞因子产生的定量影响。尽管4-1 BB和CD 27都增加了产量，但只有4-1 BB能够延长产生细胞因子的持续时间，并且对抗原敏感性只有适度的影响。一个操作模型使用共享信号转导基于通过信号反馈调节的4-1 Bb的表面表达来解释这些不同的表型。该模型预测和实验证实CD 27共同刺激增加了4-1 BB的表达，随后的4-1 BB共刺激。GITR和OX 40仅显示出较小的作用，但如4-1 BB，CD 27可以增强GITR表达和随后的GITR共刺激。因此，不同的共刺激受体可以具有不同的定量效应，从而使T细胞反应的协同和微调。
机器学习，用于开发失代偿性心力衰竭或慢性阻塞性肺部疾病的诊断模型。
信号：HR，OX和它们之间的归一化差异。从这三个时间信号中的每个信号中，时间（平均值和标准偏差）和频率域的特征（第一和第二谐波的特征，所有谐波的总和和对归一化快速傅立叶型[FFT]信号的正常成分分析的六个第一个索引[PCA]的六个索引。因此，获得了每个阶段的13个特征（每次评估的总计26个特征）。标记和要检测到的事件的定义
机器学习用于开发诊断模型的心力衰竭或慢性阻塞性肺部疾病的加剧
心力衰竭（HF）和慢性阻塞性肺疾病（COPD）是两种慢性疾病，对普通人群有最大的不良影响，并且早期发现其代偿性是一个重要的目标。但是，很少有诊断模型实现了足够的诊断性能。该试验的目的是开发基于生理参数的机器学习技术的心力衰竭或COPD加剧的诊断模型。招募了135名因心力衰竭和/或COPD加重而住院的患者。每位患者接受了三项评估：一名在代偿阶段（在住院期间），在补偿阶段（在家中，出院后30天）更连续两名。在每次评估中，心率（HR）和氧饱和度（OX）在步行期间连续记录（用脉搏血氧仪）记录6分钟，然后恢复4分钟。为开发诊断模型，最初通过分类算法选择了与HR和OX相关的预测特性。潜在的预测因素包括年龄，性别和基线疾病（心力衰竭或COPD）。接下来，通过不同的机器学习技术开发了诊断分类模型（补偿阶段与代偿阶段）。根据灵敏度，特异性（E）和准确性（a）评估了开发模型的诊断性能。分析中包括来自22例死亡人力衰竭患者的数据，25例COPD加重患者，两种含量为13例，两种代偿性病变。选择了19个。年龄，性别和基线疾病没有为模型提供更大的歧视能力。S和E值以上80％的技术是逻辑回归（S：80.83％; E：86.25％; A：83.61％）和支持向量机（S：81.67％; E：85％; A：A：82.78％）的技术。诊断模型开发了良好的诊断性能，用于代偿性HF或COPD加重。据我们所知，这项研究是第一个报告可能适用于COPD和HF患者的代偿诊断模型的诊断模型。但是，这些结果是初步的，并有必要进一步研究以确认。
电台活动 281209.pdf
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Carambola消费的影响（Averrhoa ...
摘要Carambola（Averrhoa carambola）是一种属于Oxalidaceae家族的水果，在亚洲和中美洲广泛食用，其叶子也被其药用特性使用。但是，卡兰博拉在其成分中含有草酸和碳二碳蛋白，这可能会引起肾毒性，这是那些吃水果的人的风险。这项研究旨在描述和讨论消费量对以前健康患者的影响以及急性肾病变异的发生。这是一篇叙事评论，其中使用了Scielo，PubMed和Google学术的数据库来支持本研究，但7篇文章表明，尽管该水果具有蛋白质，脂质，碳水化合物，纤维，水，水，维生素，维生素和营养素的组成，但它可能会导致肾毒性，因为氧气酸会导致氧气酸，导致肾脏酸。此外，发现酸甘蓝含有比甜果实的草酸盐，致死剂量为2至30克。因此，即使它似乎是一种无害的果实，也可能导致急性肾病的发展，因为其中含有草酸酸和焦炭蛋白的过量摄入，并且对出现急性肾脏损伤的患者进行了研究，没有明显的病因。关键字：Carambola; Carambola Averrhoa;急性肾脏损伤；草酸。摘要Carambola（Averrhoa carambola）是一种属于Oxalidaceae家族的水果，在亚洲和中美洲广泛消费，此外，其叶子还用于药用特性。然而，卡兰莫拉（Carambola）在其组成中含有草酸和碳纤维蛋白，这可能会引起肾毒性，这是那些摄取果实的人的风险。本研究旨在描述和讨论恒星果消耗对以前健康患者的影响以及急性肾脏损伤的发生。This is a narrative review, in which the databases of Scielo, PubMed and Google Scholar were used to support the present study, including 7 articles which demonstrate that, although the fruit has proteins, lipids, carbohydrates, fibers, water, vitamins and nutrients in its composition, it can cause nephrotoxicity due to oxalic acid, leading to acute kidney injury.此外，已经证实，酸甘蓝含有比甜果实的草酸盐，致命的剂量范围为2至30克。因此，即使它似乎是无害的果实，也可能导致由于过度
氧化石墨烯的简便合成和优化...
4联邦技术大学化学工程系，P.M.B。 65 Minna，尼日利亚，尼日利亚 *通讯作者电子邮件地址：fredology12@gmail.com电话：+23480358888263摘要氧化物（GO）通过改良的Hummer的方法从石墨中合成了氧化物（GO），然后通过热和化学物质减少和化学化学降低，以产生可减轻的石墨烯（Rgue ox oxele of Chore of Chemande of Chemente of Chemente of Chore oxe ox oxele of consplese of consplese of consplese of consepers of consples of consples pgo consples samples samples。 一套表征技术，包括傅立叶变换红外光谱法（FTIR），扫描电子显微镜（SEM），能量散热性X射线光谱学（EDS），紫外可见光谱，紫外线光谱，热力学分析（TGA），X射线衍射（XRD）和霍尔效率（XRD）和霍尔效应效应效应（XRD）样品的特性。 FTIR分析证实了石墨的成功官能化，并随后还原为减少氧化石墨烯，随着降低温度的升高，峰强度降低。 GO的紫外可见光谱显示在235 nm处的最大吸收，这证实了GO的合成，而还原显示了随着退火温度的升高，吸收峰的红色移动显着，这表明频带gap的降低。 XRD分析证明了氧官能团的去除。 GO的X射线衍射（XRD）分析显示在2θ= 10.74°时衍射显示出具有含氧官能基团的完全氧化石墨烯氧化物，因此中间层间距（D 002）从3.341Å（石墨）增加到8.228Å（GO）。 关键字：太阳能电池，氧化石墨烯，氧化石墨烯还原，孔传输材料。4联邦技术大学化学工程系，P.M.B。65 Minna，尼日利亚，尼日利亚 *通讯作者电子邮件地址：fredology12@gmail.com电话：+23480358888263摘要氧化物（GO）通过改良的Hummer的方法从石墨中合成了氧化物（GO），然后通过热和化学物质减少和化学化学降低，以产生可减轻的石墨烯（Rgue ox oxele of Chore of Chemande of Chemente of Chemente of Chore oxe ox oxele of consplese of consplese of consplese of consepers of consples of consples pgo consples samples samples。一套表征技术，包括傅立叶变换红外光谱法（FTIR），扫描电子显微镜（SEM），能量散热性X射线光谱学（EDS），紫外可见光谱，紫外线光谱，热力学分析（TGA），X射线衍射（XRD）和霍尔效率（XRD）和霍尔效应效应效应（XRD）样品的特性。FTIR分析证实了石墨的成功官能化，并随后还原为减少氧化石墨烯，随着降低温度的升高，峰强度降低。紫外可见光谱显示在235 nm处的最大吸收，这证实了GO的合成，而还原显示了随着退火温度的升高，吸收峰的红色移动显着，这表明频带gap的降低。XRD分析证明了氧官能团的去除。GO的X射线衍射（XRD）分析显示在2θ= 10.74°时衍射显示出具有含氧官能基团的完全氧化石墨烯氧化物，因此中间层间距（D 002）从3.341Å（石墨）增加到8.228Å（GO）。关键字：太阳能电池，氧化石墨烯，氧化石墨烯还原，孔传输材料。还原后，D 002从8.228Å（GO）逐渐减少到3.387Å（HRGO300），这表明逐渐去除了插入的氧分子，因此在石墨烯中逐渐消除了SP 2杂交的SP 2杂交。EDS分析表明，随着减少过程的退火温度的增加，碳与氧（C/O）比从1.78增加到2.75，从而进一步证实了氧官能团的去除。The Hall effect data showed hole mobility of 4.634 x10 1 (GO), 4.831 x10 1 (HRGO200), and 5.462 x10 0 (HRGO300) with conductivities of 8.985 x10 -5 (GO), 1.087 x10 0 (HRGO200) and 1.791 x10 1 1/Ω cm, suggesting an increase in conductivity as the annealing temperature increased as revealed in the eds。在被识别为孔传输材料的三个样品中，最高C/O比为2.75的样品HRGO300具有最高的电导率，因此最适合用作钙钛矿太阳能电池中的孔传输材料。
栅极氧化物寿命预测与电荷到寿命预测的比较......
摘要 — 商用碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极氧化物可靠性对其应用至关重要。恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量通常用于评估正常运行下 SiC 功率 MOSFET 的电介质故障时间。最近提出了一种基于氧化物隧穿电流行为的电荷击穿方法来预测电介质故障时间。该方法耗时较少，但要求器件的氧化物漏电流行为遵循通用包络线。这项工作比较了电荷击穿方法和恒压 TDDB 方法对商用 1.2 kV SiC MOSFET 的预测故障时间。结果表明，在低氧化场 (E ox < 9 MV / cm ) 下应用的恒压 TDDB 方法对器件寿命的预测最为保守。
睡眠与先天免疫之间的关系
许多研究集中在睡眠与免疫之间的关系上。诸如慢性失眠或阻塞性睡眠呼吸暂停之类的疾病，导致睡眠剥夺，与先天免疫相互关联[1，2]。控制睡眠模式的睡眠条例肺化物质根据睡眠/唤醒周期在大脑中表现出振荡。Inter Leukin-1β（IL-1β），肿瘤坏死因子α（TNF-α），生长激素释放激素，催乳素和一氧氧化物（NO）是已知的促炎性促炎，性炎性（睡眠调节性）物质[1，2]。注入中枢神经系统（CNS）时，睡眠调节物质系统会诱导睡眠增加或减少。抑制或去除睡眠调节物质会导致睡眠模式的变化，并且这种物质因病原体而改变[1，3]。
基于 CRISPR/Cas9 的 PMR4 基因敲除降低了两种番茄品种对晚疫病的易感性
摘要：番茄晚疫病（LB）的病原菌是致病疫霉菌，是一种毁灭性的疾病，严重影响植物的生产力。植物中易感基因（S）的存在促进了病原菌的增殖；因此，抑制这些基因可能有助于提供广谱和持久的耐受性/抗性。先前对拟南芥和番茄的研究表明，PMR4 易感基因的敲除突变体对白粉病具有耐受性。此外，马铃薯中 PMR4 的敲低已被证明可以赋予对 LB 的耐受性。为了在本研究中验证番茄中的相同效果，将含有四个单向导 RNA（sgRNA：sgRNA1、sgRNA6、sgRNA7 和 sgRNA8）的 CRISPR-Cas9 载体（靶向尽可能多的 SlPMR4 区域）通过农杆菌介导的转化引入两种广泛种植的意大利番茄品种：“San Marzano”（SM）和“Oxheart”（OX）。选择了 35 株植物（26 株 SM 和 9 株 OX）并进行筛选，以确定 CRISPR/Cas9 诱导的突变。不同的 sgRNA 导致的突变频率范围从 22.1% 到 100%，或者精确插入（sgRNA6）或缺失（sgRNA7、sgRNA1 和 sgRNA8）。值得注意的是，sgRNA7 在七种 SM 基因型中诱导了纯合状态下的 − 7 bp 缺失，而 sgRNA8 导致产生十五种具有双等位基因突变（ − 7 bp 和 − 2 bp）的 SM 基因型。选定的编辑品系接种了 P. infestans，其中四种在 PMR4 基因座完全敲除的品系与对照植物相比表现出减轻的病害症状（易感性从 55% 降低到 80%）。使用 Illumina 全基因组测序对四种 SM 品系进行测序以进行更深入的表征，而未显示出候选脱靶区域发生任何突变的证据。我们的结果首次表明，pmr4 番茄突变体对致病疫霉菌的易感性降低，证实了 KO PMR4 在提供针对病原体的广谱保护中的作用。
CoolSiC™ MOSFET 栅极驱动电压指南...
通过在各种开关条件下进行长期测试，研究了英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 的这种现象的特点。数据显示，开关应力会导致 V GS(th) 随时间缓慢增加。然而，无论选择何种参数，都从未观察到由开关引起的负 V GS(th) 漂移。在相同工作条件下承受应力的不同器件的 V GS(th) 漂移值相似。阈值电压 V GS(th) 的增加会降低 MOS 沟道过驱动 (V GS(on) – V GS(th) )，因此可以观察到沟道电阻 (R ch ) 的增加。这种现象在公式 [1] 中描述，其中 L 是沟道长度，W 是沟道宽度，μ n 是自由电子迁移率，C ox 是栅极氧化物电容，V GS(on) 是正导通状态栅极电压，V GS(th) 是器件的阈值电压 [2]。