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铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
氧化铜在高温下的氢化
图 2. 在室温下收集了“原始”h-BN/Cu 箔的 Cu 2p (a)、O 1s (b)、N 1s (c) 和 B 1s (d) 的 XPS 图像，随后在 13 Pa 氢气分压下进行 APXPS 图像（绿色），最后在 13 Pa 氢气分压下进行等离子体暴露（蓝色）。典型的 SEM 图像是在等离子体暴露前（e）和暴露后（f）收集的 h-BN/Cu 叠层，分别使用 2 nA 和 1.5 nA 束流，使用相同的能量（3kV）和检测器设置。
可扩展且高度可调的导电氧化物界面
导电氧化物界面引起了广泛关注，这既是因为基础科学的原因，也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径，这可能会缩小设备工程空间。在这里，我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理，并将其持续时间用作电性能的调整参数，其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品，我们的结果与使用最先进的外延生长技术（例如脉冲激光沉积）制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径，具有广泛的参数空间，为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
在氧化锌微波锌中相匹配的五波混合
*通讯作者：张开张，物理与技术学院，以及中国武汉大学武汉大学的人工微型和纳米结构的主要微型和纳米结构实验室；和武汉量子技术学院，武汉430206，中国，电子邮件：spzhang@whu.edu.cn。https://orcid.org/0000-0002-8491-0903 Kaibo Cui和Tianzhu Zhang，Physics and Technology of Physics and Technology＆Technology of Physics and Technology use Micro-和Nano Micro-和纳米结构的主要实验室微纳米电子材料和设备，微电学学院，荷贝大学，武汉430062，中国洪X，XU，物理与技术学院以及武汉大学的人工微型和纳米结构的主要微型和纳米结构的主要实验室瓦汉量子技术学院，武汉430206，中国；中国武汉430072的武汉大学微电子学院；和河南科学学院，郑州450046，中国河南
发现和开发伟大的氧化盆地金
All statements in this presentation, other than statements of historical fact, are "forward-looking information" with respect to Liberty Gold within the meaning of applicable securities laws, including statements that address resource potential quantity and/or grade of minerals, potential size of a mineralized zone, potential expansion of mineralization and resource, the timing of and results of future resource estimate, PEAs and PFSs, expected capital costs, expected gold recoveries the potential upgrade of inferred mineral用于测量和指示的矿产资源的资源，勘探和开发计划的时机以及获得许可证的时间或完成公司矿产项目的赚钱义务。前瞻性信息通常是但并非总是通过使用诸如“寻求”，“预期”，“计划”，“持续”，“继续”，“期待”，“期望”，“项目”，“预测”，“潜在”，“定位”，“”，“预测”，“预测”，“预期”，“相信”，“潜在”，“潜在”，“潜在”或类似的表达方式或范围的事件或varried sirals或varriions of sife'或varriage“”或“预测”， “应该”，“可能”，“将”，“可能”或“将”或“将”或“发生”。许多假设是基于不在自由黄金控制范围内的因素和事件，并且没有保证它们是正确的。前瞻性信息并不是未来绩效的保证，并且基于发表声明之日的许多估计和管理假设，包括解决未来矿物质生产，储备潜力，矿物质区域的潜在规模和/或等级的陈述，潜在的矿物化，矿物质的潜在扩展，潜在的矿业类型的采矿业务；公司矿产项目的勘探和开发计划的拟议时机；部署其他钻机的时间和可能性；成功递送冶金测试结果；关于我们任何属性的初始或更新的矿产资源报告，发行的时间，豌豆或PFS的时机； assumptions about future prices of gold, copper, silver, and other metal prices, currency exchange rates and interest rates, metallurgical recoveries, favourable operating conditions, political stability, obtaining governmental approvals and financing on time, obtaining renewals for existing licences and permits and obtaining required licences and permits, labour stability, stability in market conditions, the impact from pandemics such as that of the novel coronavirus (COVID-19), availability of设备，任何矿产资源和矿产储量的准确性，任何PF的准确性，成功解决争议以及预期的成本和支出。
固体氧化物电解：技术现状评估
迄今为止安装的最大的 SOEC 系统规模在 100 千瓦 (kW) 到 1 兆瓦 (MW) 之间。大多数都是作为试点或示范项目安装的，因此不代表商业部署。8 但是，仅根据这些项目来判断 SOEC 的商业准备情况并不能公正地评价该技术：SOEC 在设计和制造上与固体氧化物燃料电池 (SOFC) 几乎完全相同，后者已经在备用发电和微电网应用中以远高于千兆瓦 (GW) 的规模部署。因此，可以预期从 SOFC 部署和制造经验中学到的知识将转化为 SOEC。也许并不奇怪，随着电解器需求的激增，许多积极参与 SOFC 开发的公司最近都表示有兴趣制造 SOEC。
栅极氧化物寿命预测与电荷到寿命预测的比较......
摘要 — 商用碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极氧化物可靠性对其应用至关重要。恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量通常用于评估正常运行下 SiC 功率 MOSFET 的电介质故障时间。最近提出了一种基于氧化物隧穿电流行为的电荷击穿方法来预测电介质故障时间。该方法耗时较少，但要求器件的氧化物漏电流行为遵循通用包络线。这项工作比较了电荷击穿方法和恒压 TDDB 方法对商用 1.2 kV SiC MOSFET 的预测故障时间。结果表明，在低氧化场 (E ox < 9 MV / cm ) 下应用的恒压 TDDB 方法对器件寿命的预测最为保守。
高性能金属氧化物薄膜 T
最近，有报道称，通过采用新的器件架构，人们提出了几种提高MOTFT性能的策略，包括双栅极注入[28–30]、高k绝缘体[31–33]和半导体异质结构。[34–38]在这些策略中，不同MO的低维双层或多层异质结构提高了MOTFT中的载流子迁移率和驱动电流。[39,40]这些改进通常源于两个具有较大费米能差的半导体之间异质界面势阱内受限的自由电子。[41]然而，尽管这些方法值得关注，但可用组件材料和漏电流控制的局限性损害了该平台的保真度。[37,38]另一种提高性能的方法
聚氧化乙烯/羟基磷灰石 3D 支架 Bin ...
版权所有 © 20XX John Wiley & Sons Ltd. 代表美国陶瓷学会。保留所有权利。这是以下文章的同行评审版本：万古霉素负载聚己内酯/聚氧化乙烯/羟基磷灰石 3D 支架的直接墨水书写，最终版本已在 https://doi.org/10.1111/jace.18048 上发布。本文可根据 John Wiley & Sons Ltd 的自存档条款和条件用于非商业目的。
Fe3O4/氧化石墨烯的电性能分析...
在这个全球化时代，社会的需求随着技术进步而继续增加。技术越复杂，对电力和能源存储的需求就越高。当今广泛使用的储能介质是锂电池。但是，由于锂电池的价格很高，因此克服锂电池高价的解决方案是用碳基材料（例如氧化石墨烯）代替锂电池电极。氧化石墨烯可以由生物量废物制成，其中之一是玉米棒垃圾。是使用修改后的鹰嘴豆法合成的，并与Fe 3 O 4纳米颗粒合成，该纳米颗粒由三种组成变化组成，即20％：80％； 30％：70％；和40％：60％。fe 3 O 4 /使用LCR计对氧化石墨烯纳米复合材料进行表征。使用LCR计的表征数据结果获得了每次比较Fe 3 O 4 /氧化石墨烯氧化物纳米复合材料的电阻率值，即1.65 x 105Ω.m，1.25 x 105Ω.m和5.85 x 104Ω.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.Fe 3 O 4/氧化石墨烯纳米复合材料的电导率值分别为6.09 x 10 -6 s/m，8.07 x 10 -5 s/m和1.72 x 10 -5 s/m。Fe 3 O 4 /氧化石墨烯纳米复合材料的电容值分别为1.96 x 10 -7 F，2.55 x 10 -7 F和4.30 x 10 -7 f。在20％的比例中发现了Fe 3 O 4 /石墨烯氧化物纳米复合材料的最大电阻率值：80％组成变化，Fe 3 O 4 /氧化石墨烯氧化物纳米复合材料的电导率和电容值的比例为40％：60％组成的比率。随着Fe 3 O 4组成的增加，电导率和电导值增加，但电阻率值降低。