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高密度安全存储器 DDR3 SDRAM
4GB 512M x 64 W3J512M64X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 64 W3J512M64X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 64 W3J512M64X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 72 W3J512M72X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 64 W3J1G64X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 72 W3J1G72X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M
高密度安全存储器 DDR2 SDRAM
128MB 64M x 16 W3H64M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 2 x 64M x 16 W3H264M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 32M x 64 W3H32M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 256MB 32M x 72 W3H32M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 64 W3H64M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBXF 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XSBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XNBX* 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M
UT81NDQ512G8T 数据表 datasheet-vrg8651-vrg8652.pdf VRG8601/02 datasheet-ut28f256Qle 06 2022
Frontgrade的NAND Flash基于三级单元格（TLC）NAND技术，提供了单个JEDEC 132-BGA软件包中一些最高密度设备。此高性能存储器设备包装在JEDEC标准单132个塑料球网格阵列（PBGA）中。该设备支持同步和异步数据接口，以传输每个模具中的命令，地址和数据，并且是符合开放的NAND FLASH接口（ONFI）4.0。UT81NDQ512G8T遵循PEM-INST-001（NASA EEE-INST- 002） - 2级流量资格。
半导体先进焊球转移技术
VI. 参考文献 [1] Jamin Ling Joseph Sanchez Ralph Moyer 2、Mark Bachman 2、Dave Stepniak I、Pete Elenius 'Kulicke & Soffa“倒装芯片技术的铜上直接凸块工艺”2002 年电子元件与技术会议。 [2] Li Li、M. Nagar、J. Xue“热界面材料对倒装芯片 PBGA 和 SiP 封装制造和可靠性的影响”2008 年第 58 届电子元件与技术会议。 [3] Samuel Massa、David Shahin、Ishan Wathuthanthri 博士、Annaliese Drechsler 和 Rajneeta Basantkumar“具有不同凸块成分的倒装芯片键合工艺开发”2019 年国际晶圆级封装会议论文集。
MCT SD0802-31DA – 终极导电芯片粘接剂...
. 吸湿性：在 30°C/85%RH 下通过 >1 年，适用于 MSL1 封装 环氧环：未固化 2 小时扩散 <50um，在 150°C 下固化 1 小时扩散 <75um 应用范围：军事、医疗、光电子、汽车传感器等的理想选择 多功能兼容性：将 IC 和组件粘合到陶瓷、PBGA、CSP、LCP 和阵列封装上 稳定性：疏水性且在高温下稳定 卓越的粘合强度：与各种有机和金属表面的界面粘合 可靠性：可承受高温测试、老化和热冲击（-75°C 至 +175°C） 电气性能：低电阻率、TC >8W/mK 和最小的排气
未来经济领域发展计划技能（...
4IR – 第四次工业革命 ADB – 亚洲开发银行 AFD – 法国开发署 CBT – 能力本位培训 CGTI – 柬埔寨服装培训学院 DGTVET – 职业技术教育培训总局 GAP – 性别行动计划 ITC – 柬埔寨理工学院 ITM – 产业转型地图 MEF – 经济财政部 MoEYS – 教育青年体育部 MLVT – 劳工和职业培训部 NIB – 国立商学院 NPIC – 柬埔寨国立理工学院 NPIT – 国立理工学院 Techo Sen NTB – 国家培训委员会 NTTI – 国家技术培训学院 PBGA – 基于绩效的资助协议 PIC – 项目实施顾问 PSC – 项目指导委员会 REI – 区域教育学院 RGC – 柬埔寨王国政府 RTI – 重返工业计划 S4C – 技能竞争力项目 SDF – 技能发展基金 SDG – 可持续发展目标 SDP – 行业发展计划 SSC – 行业技能委员会 T&A – 纺织和服装 TA – 技术援助 TAFTAC – 柬埔寨纺织、服装、鞋类和旅行用品协会 TOR – 职权范围 TTI – 技术培训机构 TVET – 技术和职业教育与培训 WB – 世界银行 WBL – 基于工作的学习