PBZ

Sn4+掺杂多元PBZT型陶瓷的电物理性能

摘要 本文制备了不同锡含量（a从0.0到0.1范围）的多元Pb 0.75 Ba 0.25 (Zr 0.65 Ti 0.35 ) 1- a Sn a O 3 (PBZT/Sn) 陶瓷。采用无压烧结法对PBZT/Sn陶瓷样品进行致密化。研究了SnO 2 含量对PBZT/Sn陶瓷的晶体结构、微观结构、直流电导率和电物理性能（包括介电和铁电测试）的影响。PBZT/Sn陶瓷样品在铁-顺电相变温度下表现出高的介电常数，表现出相变的弛豫特征。 PBZT/Sn 材料中 SnO 2 含量过高（a = 0.1）可能会导致晶格应力和结构缺陷，从而导致陶瓷样品的铁电和介电性能下降。本研究表明，在基础 PBZT 化合物中添加 SnO 2（以适当的比例）可以影响微机电一体化和微电子领域实际应用所必需的参数。