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摘要 本文制备了不同锡含量(a从0.0到0.1范围)的多元Pb 0.75 Ba 0.25 (Zr 0.65 Ti 0.35 ) 1- a Sn a O 3 (PBZT/Sn) 陶瓷。采用无压烧结法对PBZT/Sn陶瓷样品进行致密化。研究了SnO 2 含量对PBZT/Sn陶瓷的晶体结构、微观结构、直流电导率和电物理性能(包括介电和铁电测试)的影响。PBZT/Sn陶瓷样品在铁-顺电相变温度下表现出高的介电常数,表现出相变的弛豫特征。 PBZT/Sn 材料中 SnO 2 含量过高(a = 0.1)可能会导致晶格应力和结构缺陷,从而导致陶瓷样品的铁电和介电性能下降。本研究表明,在基础 PBZT 化合物中添加 SnO 2(以适当的比例)可以影响微机电一体化和微电子领域实际应用所必需的参数。