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在T细胞恶性肿瘤中代谢重新布线的调节剂
褪黑激素（N-乙酰基-5-甲氧基氨胺）吲哚胺会发挥多割作用，并调节与昼夜节律，免疫调节和季节性繁殖有关的许多细胞途径和分子靶标，包括T细胞恶性期间的代谢复活。t细胞恶性肿瘤包含一组血液癌，其特征是恶性T细胞的生长和增殖。这些癌细胞表现出独特的代谢适应性，这是癌症的标志，因为它们可以重新连接其代谢途径，以满足恶性肿瘤所必需的能量需求和生物合成的增强，这是Warburg效应，其特征在于朝着糖酵解的转变，即使氧气也可以使用。此外，T细胞恶性肿瘤通过抑制丙酮酸酶脱氢酶激酶（PDK）而导致代谢转移，从而导致乙酰基COA酶产生和细胞糖酵解活性增加。此外，褪黑激素在负责营养摄取和代谢重新布线的必需转运蛋白（GLUT1，GLUT2）的表达中起调节作用，例如T细胞中的葡萄糖和氨基酸转运蛋白。这种调节显着影响T细胞的代谢性，因此影响了它们的分化。此外，已经发现褪黑激素调节参与T细胞激活的临界信号分子的表达，例如CD38和CD69。这些分子是T细胞粘附，信号传导和激活不可或缺的。本综述旨在提供有关褪黑激素抗癌特性机制，涉及在T细胞恶性肿瘤期间代谢的机理。本综述涵盖了致癌因子的参与，肿瘤微环境和代谢改变，标志，代谢重编程以及褪黑激素对各种癌细胞的抗核/癌症影响。
在 GMG 210+MPH 公路赛中全力以赴
现在，全涡轮增压三款 Macan 系列的全部细节已经发布，人们似乎已经打消了对保时捷紧凑型 SUV 可能缺乏驾驶吸引力的担忧。细节显示，顶级车型 400bhp Macan Turbo 比 911 Carrera 的功率高 14%，而即使是 340bhp 的 Macan S 也比 Cayman S 马力更大。Macan S Diesel 使用的是 Cayenne Diesel 的更强大版本的 3.0 升 V6，可产生 258bhp 和 428lb ft 的扭矩。无论哪种型号，Macan（印尼语中“老虎”的意思）都配备了七速 PDK 变速箱。四轮驱动变速箱标配保时捷牵引力管理系统 (PTM) 和电子调节离合器，在正常条件下可驱动后轮，但在湿滑路面上扭矩逐渐传送至前轮。这些汽车于 11 月在洛杉矶车展上亮相，计划于 2014 年 3 月在英国上市，Macan S 和 S Diesel 售价为 43,300 英镑，Turbo 售价为 59,300 英镑。3.6 升双涡轮 V6 发动机额定扭矩为 406 磅英尺，可在 4.8 秒内将 Macan Turbo 加速至 62 英里/小时（或使用 Sport Chrono 时为 4.6 秒），最高时速为 166 英里/小时，是一款 3.0 升发动机。然而，Macan S 中的 3.0 升 V6 是保时捷的全新设计，虽然它是一种短冲程、高转速设计，但其 339 磅英尺的扭矩以线性曲线传递，因此发动机在低转速时不会感觉平淡。S 型号采用钢弹簧，
MMEC 宣布为六个微电子公共中心颁发跨中心支持解决方案奖
中西部微电子联盟 (MMEC) 很高兴地宣布获得资金，用于执行为期一年的跨中心支持解决方案 (CHES)，该解决方案由 CHES 工作组创建，由国家安全技术加速器 (NSTXL) 主持，包括来自六个参与中心的 Commons Hub 董事会代表：MMEC、CA DREAMS、NEMC、NORDTECH、NW-AI 和 SWAP。访问电子设计自动化 (EDA) 工具和知识产权 (IP) 库、工艺设计套件 (PDK) 和多工艺晶圆 (MPW) 运行对于微电子设备的开发至关重要。这些项目的成本效益可能是实验室到工厂成功过渡的重大障碍，并且对于处于技术开发前沿的小型组织来说通常是无法实现的。CHES 旨在提供一种经济高效的解决方案并管理一个安全且可扩展的平台，该平台由采用基于云的数字工程基础设施的多种内部部署和候选试点实施支持。随着项目的发展、技术的变化或新需求的出现，新的 EDA 工具和 IP 将被添加和配置。MMEC 商业创新总监 Paul Colestock 表示：“CHES 将为 Commons 生态系统中的组织提供的功能，我们对此感到非常兴奋。CHES 计划旨在显著提高访问能力、成本效率、加快项目进度并为跨中心协作提供基础。”MMEC 将与微电子 Commons 计划下 8 个指定中心中的 6 个合作，为中心及其成员提供经济高效的数字工程访问。
传感器
摘要：本文基于经典和新的相关霍尔效应，全面回顾了现有的主要设备。综述分为子类别，介绍现有的宏观、微观、纳米尺度和量子元件和电路应用。由于基于霍尔效应的设备使用电流和磁场作为输入，电压作为输出。研究人员和工程师几十年来一直在寻找利用这些设备并将其集成到微型电路中的方法，旨在实现新功能，例如高速开关，特别是在纳米级技术上。这篇综述文章不仅概述了过去的努力，还介绍了尚待克服的挑战。作为这些尝试的一部分，可以提到智能纳米级设备（如传感器和放大器）的复杂设计、制造和特性，以应对纳米技术中的下一代电路和模块。与几十年前出版的领域有限的教科书、专业技术手册和重点科学评论相比，这篇最新的评论论文具有重要优势和新颖之处：涵盖所有领域和应用，明确定位于纳米级尺寸，扩展了近一百五十个近期参考文献的参考书目，回顾了选定的分析模型、汇总表和现象示意图。此外，该评论还包括对每个主题子分类的综合霍尔效应的横向检查。其中包括以下子评论：主要的现有宏观/微观/纳米级设备、用于制造的材料和元素，分析模型，用于模拟的数值互补模型和工具，以及在纳米技术中实现霍尔效应所需克服的技术挑战。这种最新的评论可以为科学界提供面向新纳米级设备、模块和工艺开发套件 (PDK) 市场的新型研究的基础。
Devarshi Das，EE部门，IIT RoparDevarshi Das，EE部门，IIT Ropar
1.基于CMOS的仪表放大器（INAS）用于可穿戴生物医学设备：在设计可穿戴应用的信号条件电路时，噪声和功率规格之间存在强大的权衡。为此，我们正在研究一些设计方法，以优化上述权衡。随着高密度无线网络设备的出现，EMI对前端电子设备的影响至关重要，这使我们探索了CMOS电路中的EMI方面。2.神经信号记录和刺激：生物神经元和电子设备之间的下一个人类计算机接口的范式。关于该主题和技术演示的科学文献的进步，例如Neuralink，使该领域非常有前途。为此，我们一直在研究基于CMO的神经放大器和刺激器电路的设计。3.基于CMOS的神经形态电路设计：随着AI和ML的出现，人们对开发基于Neumann架构的非VON NEUMANN架构平台引起了重大兴趣。我们正在研究完全兼容NM计算系统的各个方面，例如硅神经元，基于Memristor的突触重量，芯片学习电路以及跨杆阵列设计，考虑寄生虫，编码器和解码器电路，以与现实世界相连。4.使用SCL过程的原始IC开发：我们正在开发用于空间应用的高精度仪器的辐射硬化信号调理前端ASIC。通过蒙特卡洛分析，我们确保了对不匹配的设计耐受性。作为环振荡器被认为是CMOS技术表征的良好测试电路，我们使用180 nm SCL PDK设计了全数字温度传感器。层次后的仿真结果与分析推导非常吻合，并且通过在PVT跨PVT变化中模拟了所提出的设计，已测试了鲁棒性。
基于 chiplet 的架构简介
本文讨论了影响先进半导体封装领域的三大趋势。本文的首要关注点是异构集成。该术语的现代版本对不同的人有不同的含义，但在本文中，异构集成被定义为由多个芯片构建的分解式片上系统 (SoC) 架构。这种设计方法类似于系统级封装 (SiP)，不同之处在于不是在单个基板上集成多个裸片（包括 3D 堆叠），而是在单个基板上集成以芯片形式存在的多个知识产权 (IP)。第二个主要趋势涉及利用硅通孔 (TSV) 和高密度扇出重分布层 (RDL) 的新硅制造技术。这些进步正在推动更多硅进入以层压板为主的半导体封装领域，尤其是当高带宽和外形尺寸成为设计的关键属性时。这种趋势带来了新的设计和验证挑战，大多数封装工程师并不熟悉，因为它们通常不是基于层压板的设计的一个方面。最后，在生态系统方面，我们看到所有大型半导体代工厂现在都提供自己的先进封装版本。在许多方面，这为封装社区带来了一股清新的气息，因为使用新的方式为封装设计团队提供参考流程和工艺设计套件 (PDK) 等资产。电子设计自动化 (EDA) 公司目前正在与许多领先的代工厂和外包半导体组装和测试供应商 (OSATS) 合作，开发多芯片封装参考流程和封装组装设计套件 (PADK)。这种额外的基础设施极大地造福了封装设计社区。
业余无线电目录 - jdunman.com
JETSTREAM................................. 22, 76, 93 JSC WIRE & CABLE...................... 75, 82, 92 K-40.............................................................. 105 KANTRONICS ................................................. 51 KENT KEYS (KNT)........................................ 49 KENWOOD ........................ CI, 28, 29, 45, 46, 93 KESTER...................................................... 115 KLEINHUIS...................................................... 95 KOSS...................................................... 46 LDG ELECTRONICS .................................... 86, 87 LACROSSE .................................... 112, 113, 116 LAIRD (ANX)...................................................... 78 LARSEN..................................... 64-65, 105, 108 M2 ANTENNA SYSTEMS (MSQ) ................. 78, 83 MFJ.. 22, 38, 40, 45, 46, 48, 50, 51, 73, 75, 76, 78-81, 84, 85, 89-91, 93-97, 102, 109, 116 MAHA........................................................ 40 MALDOL .................................................... 54-57 MIDLAND ......................................... 46, 105, 113 MIRACLE ANTENNA (MIA)................................. 79 MIRAGE........................................................ 43 MONITORING TIMES (GRV).................... 102, 108 NIFTY HAM ACCESSORIES.................... 52, 89, 111 NUTS & VOLTS........................................ 102 OUTBACKER.................................................... 77 PDK TECHNOLOGIES........................................ 97 PALOMAR ENGINEERS................................................ 96 PALSTAR (PLS) .................................... 88, 89, 91 PENETROX................................................... 94 PHILMORE.............................................. 40, 93 杆和支架........................................ 80 POLYPHASER (PLY)......................................... 95 POPULAR COMMUNICATIONS (CQX)................. 102 POWERFILM (POF)........................................ 39 POWERWERX........................................ 39, 41 RF PARTS...................................................... 93 RT SYSTEMS ............................................. 52, 53 RADIOWAVZ ............................................. 74, 79 RADIO OASIS (RAO)........................................ 75 SGC........................................................ 46, 84 SAMLEX AMERICA ........................................... 39 SANGEAN........................................................ 111 SEQUOIA........................................................ 102莎士比亚................................................. 93 SIGNALINK ......................................................... 50 SMILEY ANTENNA.............................................. 79 SOLARCON .............................................. 78, 105 STICKY PAD .................................................... 97 STORM COPPER .............................................. 95 合成纺织品................................................ 75 TARHEEL 天线........................................ 76 TENERGY........................................................ 40 TERK........................................................ 114 TIMES MICROWAVE (TMS)......................... 92 TIMEWAVE........................................ 47, 51, 89 TRIPP LITE...................................................... 40 TWEAKED EARBUDS ...................................... 111 US TOWER...................................................... 81 UNIDEN........................................ 104, 106, 107 UNIFIED MICROSYSTEMS (UNM)................ 49, 51 UNIVERSAL TOWERS (UNT)................................ 81 VANCO (VCO) .................................... 91, 93, 114 VECTRONICS............................... 84, 91, 96, 116 VELLEMAN................................. 39, 92, 114-116 振动筛...................................................... 49
将视觉与硬件保证相结合的一步
来自成像方式的误差以及由于与 IC 样品的物理相互作用而直接导致的误差。由于设计实践和制造 IC 所用材料而在 RE 工作流程中引入的噪声被列为“ 代工厂/节点技术特定 ” 误差源。最后，由于人为相互作用而发生的误差列在“ 人为因素 ” 下。讨论这些噪声源的来源文献还介绍了抑制它的方法。例如，可以通过在 IC 芯片表面沉积薄层导电材料（如碳或铂）来防止与成像相关的误差源中的传导 [18, 11]。为避免冗余，这里不再详细讨论除版图特定误差源之外的各个噪声源。版图特定误差源（例如特征尺寸和接近度）是版图综合和所谓设计规则的直接结果。复杂的几何结构只有在成像方式的分辨率能力范围内才能成像。类似地，彼此靠近放置的结构也可能无法有效解析。简而言之，除非使用较小的视野或高放大倍数，否则这些特征可能会被 SEM 截断。表 1 显示了讨论每个错误源及其解决方法的著作。引用的著作中还提供了全面的模型验证。无法抑制或预防的错误源作为合成图像生成工作流程的一部分，以填充数据集。另一个值得关注的是，用于生成数据集的设计布局选择有限。任何数字设计的基本构建块都是标准单元。它们代表基本逻辑门、更复杂的门（例如全加器）和寄存器，并在整个设计中重复出现。流行的商业 IC 设计工具和开源标准单元库（均由 Synopsys 授权用于生成数据集）用于合成和布局布线高级加密标准 (AES) 设计。这些工具分别遵循 90nm 和 32/28nm 工艺设计套件 (PDK) 中指定的设计规则。
课程（2025年1月）
务实的半导体2023年7月 - 2023年9月IC设计实习生，英国剑桥•在务实的新兴应用程序（EA）在剑桥科学公园工作了13周。•使用Cadence Virtuoso和Pragmatic的Helvellyn PDK用于灵活电子产品的模拟和数字设计。•工作包括一个精确而紧凑的SAR ADC，其中包含R-2R或电阻弦DAC，以及其随附的数字SAR逻辑，模拟比较器和级别转换器以及其他各种布局。Qualcomm Technologies 2022年6月 - 2022年9月临时工程实习生，英国•进一步的IC设计（例如，通过IEEEXPLORE研究了最先进的学术论文，使用Cadence Virtuoso使用Cadence Virtuoso，使用Cadence Virtuoso。•进行了各种电路模拟（例如DC，瞬态，安全操作区域和ANSYS图腾），用于高通公司的下一代语音和音乐单元，并在设计审查演示文稿中介绍了最终结果。•根据高通公司的标准为所有设计和测试创建了清晰详细的文档。•完成了对高通公司现有温度传感器前端的个人错误贡献的分析，以及这些分析将如何受到随后的信号处理电路和ADC的影响。•分别用于团队合作和图表设计的Atlassian Confluence/Jira和Microsoft Visio。高通技术2021年6月 - 2021年9月临时工程实习生•IC设计（例如使用电力管理单位团队中的Cadence Virtuoso的低频RC振荡器）。•单元格布局（例如•执行的电路可行性测试参考了IEEXPLORE和现有高通IP的学术论文。紧凑的蛇形电阻器）的开发和优化。ARC Instruments 2020年7月 - 2020年9月本科实习生•使用ARCOne®Memristor表征平台开发了基于UDP的RRAM实验的Python程序（带有QT5 GUI）。•使用Dresden中的VPC测试了UDP通信，并记录了结果位错误率。•将我的工作介绍给电子领域中心（以前在南安普敦大学）。