摘要 - Deep-ultraviolet(DUV)光电检测对其在许多军事和民用领域的重要应用中获得了广泛的研究兴趣。在这项工作中,我们介绍了大区域二维(2D)PDTE 2多层的合成,可以将其直接转移到GAN基板上,以构建垂直异质质质,以进行可见的盲型DUV PhotoDeTection。在265 nm的光照射下,异质结构显示出独特的pho-tovoltaic行为,使其能够充当自动驱动光电探测器。重要的光响应参数,例如I光/I暗比,响应性,特定的DUV/可见度(265 nm/450 nm)的拒绝率分别高达10 6,168.5 mA/w,5.3×10 12 JONES和10 JONES和10 4。通过应用-1.0 V的小反向偏置,可以进一步增强254.6 mA/W。此外,光电探测器可以用作DUV光图像传感器,以可靠地记录具有不错的分辨率的“ H”模式。本研究铺平了一种将高性能成本效益的DUV光电探测器设计到实用的光电应用的方法。
当二维范德华材料被堆叠以构建异质结构时,Moir'E模式从扭曲的界面或单个层的晶格常数中的不匹配出现。放松原子位置是Moir'e模式的直接,通用的后果,对物理特性具有许多影响。moir´e驱动的原子放松可能被天真地认为仅限于界面层,因此与多层异质结构无关。但是,我们提供了两种类型的范德华异质结构的三维性质的重要性的实验证据:首先,在多层石墨烯中以小扭曲角(θ≈0。14°),我们观察到弛豫结构域的传播甚至超过18个石墨烯层。第二,我们展示了如何在BI 2 SE 3上使用多层PDTE 2,Moir´e晶格常数取决于PDTE 2层的数量。以实验发现的启发,我们开发了一种连续方法,以基于Ab Initi拟示的广义堆叠断层能量功能对多层弛豫过程进行建模。利用该方法的连续性属性使我们能够访问大规模的制度并与我们在这两个系统的实验数据达成协议。此外,众所周知,石墨烯的电子结构敏感取决于局部晶格变形。因此,我们研究了多层松弛对扭曲石墨系统状态局部密度的影响。我们确定对系统的可测量含义,通过扫描隧道显微镜在实验上访问。我们的多层松弛方法不限于讨论的系统,可以用来发现界面缺陷对各种层次感兴趣系统的影响。