摘要:这项研究提出了一种通过单步电化学合成来制造阳极co-f - Wo 3层的新方法,利用氟化钴作为电解质中的掺杂剂来源。所提出的原位掺杂技术利用了氟的高电负性,从而确保在整个合成过程中COF 2的稳定性。在存在氟化物离子的情况下由阳极氧化物溶解引起的纳米孔层的形成有望有助于将钴化合物的有效掺入膜中。这项研究探讨了掺杂剂在电解质中的影响,对所得材料进行了全面的表征,包括吗啡,成分,光学,光学,电化学和光电化学特性。通过能量色散光谱(ED),X射线衍射(XRD),拉曼光谱,光致发光测量,X射线光电学光谱(XPS)和Mott-Schottky分析证实了WO 3的成功掺杂。光学研究表明,共掺杂材料的吸收较低,带隙能量略有变化。光电化学(PEC)分析表明,共掺杂层的PEC活性提高了,观察到的光电流发作电位的变化归因于钴和氟化物离子催化效应。该研究包括对观察到的现象的深入讨论及其对太阳能分裂中应用的影响,强调了阳极Co-f-wo 3层作为有效的光电子的潜力。此外,该研究还对阳极co -f -wo 3的电化学合成和表征进行了全面探索,强调了它们的氧气进化反应(OER)的光催化特性。发现共掺杂的WO 3材料表现出更高的PEC活性,与原始材料相比,最大增强了5倍。此外,研究表明,可以有效地将这些光射流用于PEC水分实验。关键字:氧化钨,阳极氧化,原位掺杂,纳米结构形态,OER,光电化学特性
旁遮普工程学院(等同于大学)(PEC)起源于 1921 年在拉合尔成立的穆加尔普拉工程学院,1953 年迁至现校区,成为旁遮普大学的附属 PEC。该学院于 2003 年通过 MHRD 通知成为等同于大学的学院,并于 2009 年更名为 PEC 理工大学。它是一所资助机构,由印度政府昌迪加尔联邦属地管理。该学院拥有 146 英亩的广阔而虔诚的校园,也是昌迪加尔建筑学院的所在地。学术和行政流程与印度的 IIT 相似。学院由充满活力的理事会管理,由著名实业家 Sh. Rajinder Gupta 担任主席。学院由一名任期 5 年的理事领导;该职位相当于大学副校长。该学院提供 11 个本科 B. Tech.、01 个 B Des 课程和 14 个研究生 M. Tech. 课程,涵盖工程和技术的各个学科。成为大学后,该学院还开设了工程、科学、管理、人文和社会科学等各个学科的博士学位课程。本科和研究生课程的录取分别通过国家级考试 JEE(Mains)和 GATE。学院设有 11 个学术部门、2 个中心和 2 个卓越中心。
州立高中“Pilo Albertelli” Via Daniele Manin, 72 - 00185 ROME - 电话 06121127520 IX 区 - 机械代码 RMPC17000D – CF 80209610585 电子邮件:rmpc17000d@istruzione.it pec:rmpc17000d@pec.istruzione.it
此外,还支持与运载火箭技术、卫星技术、地面系统和空间科学相关的研究提案。附件 1 列出了印度空间研究组织在这些领域感兴趣的广泛主题。邀请浦那大学及其附属学院(认可的研究中心)的学术界提交创新研究提案。研究提案的最终选择过程涉及 2-3 个阶段的评估,研究人员需要提供必要的说明。作为第一步,初步评估委员会 (PEC) 将审查响应此邀请而收到的研究提案,并要求入围提案的研究人员进行陈述。如果需要,将向入围提案的研究人员提出修改提案的建议。在评估新提案时,PEC 会考虑根据该计划进行研究的研究人员的过去表现
4.3.2) 浓度 < 0.01 μg L -1,无论 PEC 值如何,都应进入 II 期(图 2,Q4)。(2)特定的作用机制需要量身定制的测试策略(图 2,Q7)。目前,
摘要:已知半导体电极的表面化学计量法会影响光电化学(PEC)响应。迄今为止,有几份报告暗示了表面BI:V比对Bivo 4 PhotoAnodes太阳能水氧化性能的影响,但仅据报道,只有少数策略能够负担这种表面化学计量,而对表面终止的原子终止作用的全面了解仍然是难以理解的。在此,我们报告了一种新的方法,该方法可以调节表面BI:V比,进而将PEC的性能最大化,朝着氧气进化反应(OER)。我们发现,在存在Metavanatrate铵的情况下退火会大大降低表面重组,同时改善电荷分离。详细的表征表明,这种处理填充了天然表面钒空位,发现该空位充当重组中心,同时诱导了氧气空位密度的显着增加,从而增强了驱动电荷分离的内置电场。有趣的是,用Nifeo X涂层改善,尤其是在表面V-Bivo 4中的电荷分离。结果表明,富含V的表面终止改变了BIVO 4的表面能量,从而导致界面上的带状对齐。总体而言,这些结果提供了一个新的平台,以调节Bivo 4薄膜的表面化学计量法,同时为表面终止控制PEC响应的机制提供新的光。
摘要:近年来,硅 (Si) 基肖特基结光电极在光电化学 (PEC) 水分解中引起了广泛关注。要实现高效的 Si 基肖特基结光电极,关键挑战是使光电极不仅具有较高的肖特基势垒高度 (SBH) 以得到高光电压,而且还要确保高效的电荷传输。在本文中,我们提出并展示了一种通过金属硅化结合掺杂剂偏析 (DS) 来制造高性能 NiSi/n-Si 肖特基结光阳极的策略。金属硅化产生的光阳极具有高质量的 NiSi/Si 界面而没有无序的 SiO 2 层,从而确保了高效的电荷传输,从而使光阳极获得了 33 mA cm − 2 的高饱和光电流密度。随后的 DS 通过在 NiSi/n-Si 界面引入电偶极子,使光阳极具有 0.94 eV 的高 SBH。结果,实现了 1.03 V vs RHE 的高光电压和有利的起始电位。此外,NiSi 的强碱性腐蚀抗性还使光阳极在 1 M KOH 中的 PEC 操作期间具有高稳定性。我们的工作提供了一种通用策略来制造金属-硅化物/Si 肖特基结光电极,以实现高性能 PEC 水分解。关键词:硅、金属硅化、掺杂剂偏析、光阳极、水分解■ 介绍
2 of 2 TIM SpA 注册办事处:Via Gaetano Negri, 1 - 20123 米兰税号/P.增值税和米兰公司注册号:00488410010 - AEE 注册号 IT08020000000799 股本 11,677,002,855.10 欧元,已全额缴足 PEC 邮箱:telecomitalia@pec.telecomitalia.it
布列塔尼将在2024-2030年军事计划(LPM)中加强国防、网络防御和网络安全方面的主要行动。这是 2014 年网络卓越国家 (PEC) 的新推动力,也是人工智能发展战略的一部分。