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教育培训部 - 太原大学
Giorgia Perpetuini、Pumnat Chuenchomrat、Valentin Pereyron、Maxime Haure、Da Lorn、Le Ha Quan、Phu Ha Ho、Tien Thanh Nguyen、Thi Yen Do、Quyet Tien Phi、Thi Kim Chi Nguyen、Hélène Licandro、Son Chu Ky、罗莎娜·托法洛 (Rosanna Tofalo)，萨瓦拉 (Saowala) Kasikonsunthonchai 遗产酒店Adunphatharaphon、Awanwee Petchkongkaew、Yves Waché Đồng tác giả
成像手册 | CAPTIVA 研究 - 佛罗里达大学
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CV Lee Ann Laurent-Applegate（2023）2CV Lee Ann Laurent-Applegate（2023）2
2023戈登会议 - 高级细胞和组织生物制造2018研讨会主席 - 日本2017年杰出讲座 - 美国肠胃外和肠内营养学会（ASPEN）年度会议（ASPEN）年度会议，2017年2月，2017年2月，2017年欧洲燃烧协会海报奖2013 Swissnex Sanfrancisco：Swiessnex Sanfafting：Swissnex Indials India and DeSniss Indials Indials Indery Andions Inde Andions Indies Indre And Actions Indery 2010 L'Hebdo 2008年的文章位于2008年Blackwell Press在2008年观看的前十名（“胎儿家庭的表达差异，用于生物工程的胎儿和包皮细胞之间的差异”第32卷（7），2006年，2006年人工器官，“人造器官”“ Top 100”年度科学主题，由Discover Magazine and Discovery Burniation Burniatiation Burniatiation Burnic（Lobrans）2005 pediactiacteric burnic（lanciatiic forniac）2005 pediciac burns）儿童）2000年国际医学奖 - 埃尔温·布劳恩（Erwin Braun Foundation）博士1989年IARC研究员（国际癌症研究机构）1988年荣誉学会Phi Kappa Phi：大学学术学术学会1987年学生会颁发奖项：美国社会光生物学（国会超过10,000多个参与者）的职责和专业活动，
CHRISTOPHER R LAUMANN 简历...
斯隆研究员，2016 - 2018 年 圆周研究所访问研究员，2014 - 2017 年 普林斯顿大学夏洛特·伊丽莎白·普罗克特荣誉奖学金，2009 - 2010 年 美国国家科学基金会研究生研究奖学金，2006 - 2009 年 普林斯顿大学系级教学奖，2007 年 5 月 普林斯顿大学百年奖学金，2005 - 2010 年 爱丁堡大学理学硕士学位优异成绩，2004 年 马歇尔学者，2003 - 2005 年 哈佛大学 Phi Beta Kappa 奖，2002 年 11 月 约翰哈佛学者，2000 - 2002 年 美国物理奥林匹克队，1998 年
计算机视觉中的最后一年博士候选人
2022 : Honorable Mention for NDSEG Fellowship 2021 : Jacobs School of Engineering Fellowship (UC San Diego) 2021 : Elected to Phi Beta Kappa and Sigma Xi (Williams College) 2020 : Robert G. Wilmers Jr. 1990 Fellowship 2020 : Williams College Summer Research Fellowship 2019 : John Houghton Harris Memorial Scholarship 2018 : Alumni-Sponsored实习计划赠款2017年：阿默斯特学院Schupf研究奖学金（$ 20,000提名）
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P10_22 **************** ****** 主电路从这里开始************** IBIAS VG23 0 DC 100uAdc RSIG VSIG VG1 20k TC=0,0 VS VSIG 0 AC 10m +SIN 0.58 2m 1k 0 0 0 V1 VDD 0 1.8Vdc M1 VO VG1 0 0 NMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M2 VO VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M3 VG23 VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 CGS 0 VG1 17.5f CGD VO VG1 3.2f ******* 主电路从这里结束*************** ***************** PMOS 模型从这里开始 ******************************* .model PMOS0P18 PMOS(Level=1 VTO=-0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.8 + LD=0 WD=0 UO=118 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.45 MJSW=0.29 CGDO=3.43E-10 JS=4.0E-7 CGBO=3.5E-10 + CGSO=3.43E-10) ***************** PMOS 模型从这里结束 ***************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ****************************** .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=473 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1.6E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.5 MJSW=0.11 CGDO=3.67E-10 JS=8.38E-6 CGBO=3.8E-10 + CGSO=3.67E-10) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************
DD 表格 2900，“部署后健康重新评估”
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