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BESS PPP 采购技术建议
对于孤立岛屿系统（例如太平洋岛屿国家中的系统），最佳 BESS 规模（即容量和能量）在很大程度上取决于可变可再生能源 (VRE) 渗透程度，通常可分为四个连续阶段：(I) 电网服务和可再生能源启用；(II) 容量延迟和/或化石能源退役；(III) 能源转移和减缓削减；(IV) 长期能源转移。在 VRE 渗透率非常高的情况下面临的挑战之一是，当前的锂离子电池存储对于高存储需求来说可能不经济。部分（但不是全部）太平洋岛屿国家可以使用更“稳定”的可再生能源，这些可再生能源可以替代非常高 VRE 渗透率下的柴油发电，例如水电、生物质能、生物柴油和地热。
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ligentec为高科技行业的客户（例如量子计算，高级计算，通信，自动驾驶，空间和生物传感器）提供特定应用的光子集成电路（PIC）。ligentec的技术最初是在洛桑联邦技术学院（EPFL）开发的，已获得专利，并与CMO完全兼容。该技术允许比当今最先进的技术生产具有更好性能的图片。另外，可以集成活性组件以启用更多功能。通过将低损坏硅材料的益处与晶圆级制造和集成相结合，烯烃可以解决当今综合光子学的主要挑战，包括低损失和短生产周期。Ligentec提供了从研究和开发到数量生产的平稳过渡，并由其低入口屏障MPW服务，自定义PIC开发以及200mm，IATF 16949认证的CMOS Foundry中的高量生产。Ligentec总部位于瑞士的洛桑和法国的Corbeil-Essonnes，法国，ISO 9001：2015认证。www.ligentec.com
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LIGENTEC 为量子计算、高级计算、通信、自动驾驶、太空和生物传感器等高科技行业的客户提供专用光子集成电路 (PIC)。LIGENTEC 的技术最初由洛桑联邦理工学院 (EPFL) 开发，已获得专利，与 CMOS 完全兼容。该技术可以生产出性能优于当今最先进技术的 PIC。此外，可以集成有源元件以在芯片上实现更多功能。通过将低损耗氮化硅材料的优势与晶圆级制造和集成相结合，LIGENTEC 解决了当今集成光子学的主要挑战，包括低损耗和短生产周期。LIGENTEC 提供从研发到批量生产的平稳过渡，其低门槛 MPW 服务、定制 PIC 开发和 200 毫米、IATF 16949 认证的 CMOS 代工厂的大批量生产为其提供支持。 LIGENTEC 总部位于瑞士洛桑和法国法兰西岛科尔贝埃松，并通过了 ISO 9001:2015 认证。 www.ligentec.com
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ligentec为高科技行业的客户（例如量子计算，高级计算，通信，自动驾驶，空间和生物传感器）提供特定应用的光子集成电路（PIC）。ligentec的技术最初是在洛桑联邦技术学院（EPFL）开发的，已获得专利，并与CMO完全兼容。该技术允许比当今最先进的技术生产具有更好性能的图片。另外，可以集成活性组件以在片上启用更多功能。通过将低损失的罪恶材料的益处与晶圆级制造和整合相结合，ligentec解决了当今综合光子学的主要挑战，包括低损失和短生产周期。Ligentec提供了从研究和开发到数量生产的平稳过渡，并由其低入口屏障MPW服务，自定义PIC开发以及200mm，IATF 16949认证的CMOS Foundry中的高量生产。Ligentec总部位于瑞士的洛桑和法国的Corbeil-Essonnes，法国，ISO 9001：2015认证。www。ligentec.com
在光子平台上将溶液处理的BATIO3薄膜与高蛋白系数的整合
在硅（SI）和氮化硅（SIN）基于光子整合电路（PICS）的基于硅（SI）上的薄膜（SIN）上的薄膜（PICS）的异质整合在未来未来的纳米光子薄片调制器的发展中起着至关重要的作用。由于铁电薄膜的电形（EO）特性在很大程度上取决于它们的晶体相和质地，因此在这些平台上的Batio 3薄系统的整合远非微不足道。到目前为止，已经开发了使用SRTIO 3模板结合使用SRTIO 3模板纤维与高真空沉积方法结合使用的常规集成途径，但是它的吞吐量较低，昂贵，需要单晶基板。要缩小这一差距，需要一种成本效率，高通量和可扩展的方法来集成高纹理的Batio 3薄膜。因此，提出了使用LA 2 O 2 CO 3模板膜与化学溶液沉积（CSD）过程结合使用LA 2 O 2 CO 3模板膜整合的替代方法。在这项工作中，溶液处理的BATIO 3薄片的结构和EO特性是表征的，并评估了其整合到光圈谐振器中。BATIO 3纤维表现出纹理，其大型皮孔系数（r E e镜）为139 pm v-1，并且在基于环的谐振器调制器中积分显示为1.881 V cm的V le，带宽为40 GHz。这可以使Batio 3薄膜在PIC平台上进行低成本，高通量和富裕整合，并在PIC平台上以及潜在的大规模制造纳米光子BATIO 3薄片调制器。
高热性能混合GainAsp/SOI岭波导激光器具有增强的热量耗散结构
具有异质整合技术的Hutonic Integrated Ciress（PIC）已成为硅光子学的激烈研究领域。1 - 3）他们将不同的材料技术引入商业硅芯片的潜力为将高性能图片与各种光学功能进行大规模整合开辟了道路，使用常规的硅开机器（SOI）平台实现了具有挑战性的挑战。4 - 6）尤其是，通过直接键合的混合III - V/SOI激光器的杂基整合为电信光源提供了适当的解决方案，用于电信和数据中心应用程序接近1.3和1.55μm波长范围。2，7）通过使用分布式的bragg refector，Ring Resonator和Loop Mirror设备，通过使用分布式的Bragg Remotector和Loop Mirror设备来实现在SOI电路内的这种集成在SOI电路内的这种集成。8 - 12）此外，还报道了Hybrid III - V/SOI环激光器，其中光线从III - V/SOI环激光器耦合到通过方向耦合器耦合到Si Bus-WaveGuide。13 - 16）
在阶段
具有快速原型和重编程功能的光子综合电路（PIC）有望对众多光子技术产生革命性的影响。我们在低损耗相变材料（PCM）薄膜上报告了直接作用和重写光子电路。完整的端到端图片在一个步骤中直接写入激光写入，并没有其他制造过程，并且可以删除和重写电路的任何部分，从而促进快速设计的修改。我们证明了该技术用于不同应用的多功能性，包括用于可重构网络的光学互连织物，用于光学计算的光子横杆阵列以及用于光学信号处理的可调光滤波器。通过将直接激光写作技术与PCM相结合，我们的技术可以解锁可编程光子网络，计算和信号处理的机会。此外，可重写的光子电路可以以方便且具有成本效益的方式快速进行原型和测试，消除了对纳米化设施的需求，从而促进了更广泛的社区的道学研究和教育的扩散。
BS光子学和光学工程学习成果
光子学集成电路或PIC是生长领域中的中心成分，其目的是提供更准确的传感器，改善电信并在微处理器级别创建电路组件。将讨论PIC设备的关键要素和策略，学生将使用计算软件进行建模，分析和设计图片。该课程和实验室完成后，
慢性心脏的高分辨率心电图...
该研究的目的是研究患有慢性心力衰竭（CHF）的老年患者高分辨率心电图（HRECG）的主要参数。方法。这项研究包括120名患者（87名女性（72.5％）和33名男性（27.5％）），年龄（平均年龄81.32±4.2岁）为CHF。炎性后心脏硬病（PICS）的患者分为组：38名CHF IIA和CHF IIB阶段的患者； 50例具有CHF IIA和CHF IIB阶段的完全捆绑分支区块（CBBB）的患者； 32例具有CHF I和CHF IIA阶段的房颤（AF）患者。患者接受了ECG，HOLTER监测，HRECG。使用STAT SOFT 13.0软件包进行研究结果的统计处理。结果。记录了QTC（452.52±3.55 ms），QTP（87.83±1.21 ms）和TOTQRSF（103.25±2.97毫秒）的CHF +图片患者组最高值。QTC，TOTQRSF和LAS40（452.65±2.69 ms;分别为100.04±2.36 ms和51.64±2.85μV），对AF患者组的最高值均可为QTC。pa-