摘要 - 光子综合电路(图片)是片上光学技术的基础。MACH-ZEHNDER调制器(MZM)是图片的有吸引力的构件,这些图片主要依赖于材料中弱且挥发性的光学效应。相比之下,相变材料(PCM),例如GE 2 SB 2 SE 4 TE 1(GSST)是有前途的候选人,可以实现有效且非易失性的可重构光学设备。然而,PCM的相跃迁伴随着其折射率的假想部分的大大变化,这使得MZMS的设计具有挑战性。在本文中,引入了两种称为“损失平衡”和“均衡”的有趣设计方法,以提出基于GSST的高性能MZM。在这方面,提出了以石墨烯为基础的基于GSST的波导,该波导在两种引入方法中都扮演着可构型活性波导的作用。根据提出的分析,在1550 nm的波长下,活性长度为4.725 µm,插入小于2 dB的非易失性MZM是可实现的。最后,对提出的基于GSST的波导进行热模拟,以便估计要进行非晶化(擦除)和结晶过程所需的电压分别为12 V和4.3 V。
目标和意义:HNEI 通过其电网系统技术高级研究团队 (Grid START) 正在根据合同向世界银行提供技术援助,用于其为太平洋岛国 (PIC) 项目开发可再生能源存储系统。该项目的目标是支持 11 个 PIC,即斐济、基里巴斯、马绍尔群岛共和国 (RMI)、密克罗尼西亚联邦 (FSM)、瑙鲁、帕劳、萨摩亚、所罗门群岛、汤加、图瓦卢和瓦努阿图,设计区域电池储能系统 (BESS) 政策框架和指南,并为每个 PIC 提供基础技术/商业评估,以支持私营部门参与 BESS 开发。背景:每个太平洋岛屿国家都设定了较高的电力行业可再生能源 (RE) 渗透率目标,但它们面临着在孤岛系统上整合可再生能源资源所固有的挑战,包括解决因严重依赖昂贵的进口化石燃料而导致的能源不安全和价格波动、对相关系统可靠性产生影响的电网运行挑战、以及气候变化对能源弹性造成的日益严重的威胁。能源存储系统,尤其是 BESS,将是实现高 RE 渗透率目标和缓解未来 PIC 能源挑战的关键。对于 PIC 孤岛电网,估算电网范围内的 BESS 需求(即总 BESS 容量 (MW) 和能量 (MWh))作为增加可变可再生能源 (VRE) 渗透率的函数,通常可分为增加 BESS 部署的四个连续阶段:1) ~0-20% VRE,用于电网服务和可再生能源支持;2) ~20-30% VRE,用于发电容量延期和/或化石燃料机组退役; 3)~30-70% VRE,用于通过能源转换缓解过量可再生能源削减;4)~70- 90+%,用于长期能源转换。
2024 年 9 月 9 日至 13 日,TÜBİTAK 基础科学研究所 (TBAE) 将举办“2024 年可编程量子光子计算机秋季学校 (TBAE PQPC'24)”。该学校旨在为有志于攻读量子光子计算研究生课程的学生以及已经在该领域积极工作的学生提供必要的理论和实验背景。秋季学校将涵盖一系列主题的基础理论和实验课程,包括量子光学、光子计算机组件、量子信息论、干涉仪和单光子源、量子态和测量、量子算法、光电探测器和量子态检测、量子误差校正、线性光学量子计算、量子通信和纠缠、基于测量的量子计算、可编程光子量子计算机 (PQC)、PQC 的设计和仿真步骤、光子集成电路 (PIC)、PIC 中的非线性光学效应、量子互连和网络以及表征 PIC 的技术。这些课程将由国内外各大学的顶尖讲师授课。您可以申请参加 TBAE PPQC'24 秋季学校,以面对面 (F2F,限制从申请者中选出的 50 人) 或通过 Zoom 在线参与。
然而,预计未来几年 MIR PIC 将大幅增长,这主要归功于气体检测、生物系统、安全和工业应用传感器的发展 [https://mirphab.eu]。MIR 中的 PIC 需要能够在 MIR 波长范围内工作的新设备,因此很可能基于新的材料平台。[8] 光电探测器就是这样一种设备,它将光信号转换为电信号,是片上光电转换中必不可少的组件。然而,它必须满足几个重要要求,例如与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的兼容性、在很宽的波长范围内工作以及无需冷却,这会增加系统的复杂性和成本。[6] 相比之下,大多数先前提出的 MIR 波长范围内的光电探测器要么制造成本高,要么不能在很宽的波长范围内工作,要么不切实际,因为它们需要冷却到低温。因此,对 MIR 光电探测器的搜索仍在进行中。解决方案可能是将热量转化为电能的热探测器。[10 – 14] 它们需要一种吸收材料,吸收光以产生热载流子,然后将其转化为电能。透明导电氧化物 (TCO) 属于近零 (ENZ) 材料,似乎是完成此类任务的绝佳材料,因为它们可以在很宽的范围内吸收能量
2024 年 9 月 9 日至 13 日,TÜBİTAK 基础科学研究所 (TBAE) 将举办“2024 年可编程量子光子计算机秋季学校 (TBAE PQPC'24)”。该学校旨在为有志于攻读量子光子计算研究生课程的学生以及已经在该领域积极工作的学生提供必要的理论和实验背景。秋季学校将涵盖一系列主题的基础理论和实验课程,包括量子光学、光子计算机组件、量子信息论、干涉仪和单光子源、量子态和测量、量子算法、光电探测器和量子态检测、量子误差校正、线性光学量子计算、量子通信和纠缠、基于测量的量子计算、可编程光子量子计算机 (PQC)、PQC 的设计和仿真步骤、光子集成电路 (PIC)、PIC 中的非线性光学效应、量子互连和网络以及表征 PIC 的技术。这些课程将由国内外各大学的顶尖讲师授课。您可以申请参加 TBAE PPQC'24 秋季学校,以面对面 (F2F,限制从申请者中选出的 50 人) 或通过 Zoom 在线参与。
组件[3,4],但是SI光源的发展远远落后于其他组件[5-8]。组IV材料的间接带隙性质使它们效率低下,因为它们是泵送的发光来源[9],而III – V QD激光器在直接在SI底物上生长的III – V QD激光器对实现高效率和低成本显示出希望。由于自组装QD的三维量子限制,INAS/GAAS QD激光器,这些激光器以低阈值电流密度[4、10-12]呈现出较高的性能[4、10-12],并且对基于SI的PICS的温度和缺陷高度耐受性[13]受到了极大的关注[14-20]。然而,由于载体对较高状态和/或屏障状态的热激发,QD激光器的性能不足理论理想[21-24]。尽管电荷中立性可能
B. 多样化项目规模和预算:创造更多项目规模和预算的变化,以满足不同主题和联盟的需求,并鼓励更广泛的参与。具体而言,在第二支柱中,ERA 工作组确定了两个需求:i)针对低 TRL 主题引入涉及小型联盟(少于 10 个受益者)的项目征集,以确保更高的灵活性并鼓励协调;ii)增加高 TRL 示范项目的预算,以更好地支持从创新理念到实际和工业实施的过渡。
1. 产品信息. ... ..................................................................................................................7 3.1 概览图和数据点...............................................................................................7 3.2 最常用的数据点..............................................................................................8 4. 二进制值 DO (R/W) ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 4. 二进制值 DO (R/W) ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................................................................................................................8 ..................9 5. 二进制输入 DI (R)..........................................................................................................................................................................................................................................................10 6. 模拟输入 AI (RO).............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................10 6. 模拟输入 AI (RO)............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................. .18 7. 模拟值 AO(R/W). ...