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![arXiv:2208.05533v1 [physics.optics] 2022 年 8 月 10 日](/simg/9\942b8ffd73f6ffebaa80cb0785497872af2a5f71.webp)
arXiv:2208.05533v1 [physics.optics] 2022 年 8 月 10 日
光反射在许多现代技术中起着至关重要的作用。本文给出了由单一材料制成的通用平面结构在任何方向和任何偏振下的最大反射功率的解析表达式，该结构由复杂的标量磁化率表示。最大化反射的最佳光物质相互作用问题被表述为感应电流优化问题的解，受能量守恒和被动性约束，通过使用拉格朗日对偶，该问题允许全局上限。导出的上限适用于广泛的平面结构，包括超表面、光栅、均质膜、光子晶体板，更一般地说，适用于任何非均匀平面结构，无论其几何细节如何。这些界限还设定了给定有损材料的最小可能厚度的限制，以实现所需的反射率。此外，我们的结果允许发现与现有设计相比，反射结构效率可以大幅提高的参数区域。给出了这些发现对设计由真实的、不完美（即有损）材料制成的优质紧凑反射元件的影响的例子，例如超薄高效的光栅、偏振转换器和用于太阳/激光帆的轻型镜子。
训练人工智能识别可实现的高斯图
可实现高斯图的概念属于拓扑学的数学领域，更具体地说，是封闭平面曲线的研究。对于一条封闭的平面曲线，例如（图1, a）所示，它的高斯码（或高斯字）可以通过用不同的符号（或数字）标记所有交点，然后沿着曲线一路行进并记下途中遇到的标签来获得。例如，（图1, a）所示曲线的高斯码之一是 123123。很容易看出，具有 n 个交点的曲线的高斯码长度为 2 n，它是一个双出现字，也就是说，每个符号在其中恰好出现两次。任何双出现词 w 都可以与其弦图相关联；它由一个圆圈组成，所有 w 符号都顺时针排列在圆圈周围，弦连接用相同符号标记的点，如图1,b 所示。如果可以从平面曲线中获得双出现词及其对应的弦图，则该词和图都称为可实现的。并非每个高斯图都是可实现的；例如，（图2）和（图3）中的图是不可实现的。
折纸启发的牺牲关节，用于折叠的机制
折叠和折纸原理可以从平面paters中实现三维几何形状[1]。由于制造过程通常更有效，甚至一定要在两个维度上完成，因此折叠提供了一种利用这种效率的方法，并具有三维最终结果。平面制造过程与折叠的组合导致了与机器人[2，3]，弹簧 - 孔子机制[4]，反射和阵列[5，6]和超材料[7，8]一样的潜在应用。兼容的机制通过经历弹性变形而不是传统链接的刚体运动来转移或转化运动，力或能量[9]。各种制造技术可用于各种规模的合规机理，例如电线电气加工（EDM），增材制造，表面微加工，
λ/20-Thick cavity for mimicking electromagnetically induced ...
抽象的光腔在增强的光中起着至关重要的作用 - 物质相互作用，光控制和光学通信，但它们的尺寸受材料属性和操作波长的限制。超薄平面腔迫切需要大区域和集成的光学设备的需求。但是，极大地降低平面腔维度是一个关键挑战，尤其是在电信波长下。在这里，我们演示了一种基于大区域生长的Bi 2 Te 3拓扑绝缘子（TI）纳米膜的一种超薄腔，它们在近边缘区域呈现出不同的光学共振。结果表明，在电信波长时，BI 2 TE 3 Ti材料显示了超高折射率> 6。腔厚度可以接近共振波长的1/20，优于基于常规SI和GE高折射率材料的平面腔。此外，我们观察到电磁诱导的透明度（EIT）效应在电信波长上的类似物，通过将腔沉积在光子晶体上。类似EIT的行为是从纳米腔共振和TAMM等离子体之间的破坏性干扰耦合得出的。频谱响应取决于纳米腔的厚度，其调整可以产生明显的Fano共振。实验与仿真非常吻合。这项工作将为TI材料在光控制和设备中的超薄腔和应用开辟新的门。
计算空间中机器人操纵器的离线直接教学
本文提出了一种使用增强和虚拟现实技术的机器人教学方法。机器人教学对于机器人完成工业生产的几项任务至关重要。尽管有各种方法可以执行机器人操纵的运动计划，但仍需要机器人教学才能进行精确和可靠性。在线教学，其中物理机器人在真实空间中移动以获得所需的运动，并且由于其易于性和可靠性而被广泛执行。但是，需要实际的机器人移动。相比之下，可以在计算空间中完全实现局部教学，并且需要将机器人的周围构造为计算机图形模型。此外，planar显示器不提供3D场景上的精通信息。我们提出的方法可以作为频道教学的使用，但是操作员可以使用头部安装的设备和虚拟3D空间中的指定控制器来直观地操纵机器人。我们通过增强和虚拟现实技术展示了机器人教学的两种方法，并显示了一些实验结果。
椭圆形平面对称介电尾场加速结构中偏转力的抑制
基于尾场的加速器能够将梯度加速比现有加速器高两个数量级，为实现紧凑型高能物理仪器和光源提供了一条途径。然而，对于高梯度加速器，由相应较高的横向尾场驱动的光束不稳定性会限制光束质量。此前的理论表明，可以通过将平面对称介电结构中的光束横向尺寸椭圆化来减小横向尾场。我们在此报告实验测量结果，这些测量结果表明平面对称结构中椭圆光束的横向尾场减小，这与理论模型一致。这些结果可能有助于设计出基于千兆伏/米梯度尾场的加速器，以产生并稳定加速高质量光束。
器件制造技术1
将这些步骤和其他制造步骤结合起来，可以制造出复杂的器件和电路。这种在晶圆衬底上一步一步、一层层地制作电路的方法称为平面技术。平面工艺的一大优点是每个制造步骤都应用于整个硅晶圆。因此，不仅可以制造并以高精度互连许多器件以构建复杂的集成电路，还可以同时在一块晶圆上制造许多集成电路芯片。大型集成电路，例如中央处理器或CPU，一边可能有1-2厘米长，而一块晶圆（直径可能为30厘米）可以生产数百个这样的芯片。减小每个集成电路的面积，即减小器件和金属互连的尺寸，具有明显的经济优势，因为结果是每个晶圆可以生产更多的芯片，并降低每个芯片的成本。自1960年以来，世界各国已在平面微制造技术上投入巨资。该技术的变体还用于制造平板显示器、微机电系统 (MEMS)，甚至用于 DNA 筛选的 DNA 芯片。本章的其余部分介绍了现代设备处理技术。也许最显著的进步发生在光刻技术（第 3.3 节）和互连技术（第 3.8 节）领域。这两个领域也是 IC 制造成本中占比最大的两个领域。
陆地中子对SIC VD- ...
摘要 - 与平面，沟槽和双层建筑的不同商业SIC Power MOSFET上进行了加速陆生中子辐照。结果用于计算海平面上的故障横截面和时间（拟合）率。增强的门和排水泄漏，这些设备在暴露期间没有表现出破坏性故障。特别是，对于平面和沟槽栅极MOSFET观察到了不同的机制，第一个显示部分闸门破裂，其中主要是漏极和栅极之间的泄漏路径，类似于以前在重离子上观察到的，而第二个则显示出完整的栅极破裂。讨论了有关不同技术的观察到的故障机制和射线后栅极应力（猪）测试。
