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Mainepers-缅因州公共雇员退休系统
缅因州的公共雇员养老金计划自1942年以来，Mainepers已通过管理定义的福利退休计划帮助公共雇员为退休做准备。Mainepers的贡献成员包括教师，州，县和市政雇员，立法者，法官以及为其他公共实体工作的人。缅因州提供了定义的福利退休计划（州，教师，立法和司法），以代替社会保障。还提供了许多定义的福利退休计划（PLD）合并退休计划（县，市政和其他公共实体），以代替社会保障。这意味着这些计划的成员不支付社会保障捐款，因此在这些计划下工作时不会获得社会保障信用。缅因州和其他国家对缅因州公立学校的教学，学校管理和与教育相关的就业机会感兴趣的人可能会发现以下链接和有关缅因州公共养老金计划的链接和信息。要确定职位是否属于教师或PLD养老金计划，请咨询学校院长或招聘当局。（注意：缅因州法律要求公共教师参与主动员。）
Ziyi Zhang
• 结构表征：SEM、TEM、LEED、XRD、XRR、AFM 等。• 元素/化学表征：EELS、XPS、FT-IR、Raman、NMR 等。• 电/磁表征：PPMS /SQUID 等。• 沉积技术：CVD、PLD、ALD、等离子溅射。• 洁净室集成电路制造。• 三电极系统中的电化学表征（LSV、CV、EIS 等）。• 其他：TGA、DSC、DLS、UV-vis 等。• 7 年以上同步加速器 X 射线设备（LBNL、ANL、SLAC）工作经验。
2024 年规划和地点监测报告
有关大伦敦规划申请、许可、开工和竣工的详细信息。它取代了以前的伦敦发展数据库 (LDD)，成为拟议和即将进行的开发信息的中央存储库。LDD 仅在申请获得许可后才包含有关申请的信息，而新系统会在流程早期（从验证点开始）捕获申请。PLD 允许在指定时间段内运行报告。这些数据可通过 GLA 自己的网站向公众提供。
在1B期偶然剂量升级研究中，Cyclin E1表达和临床结局的相关性（Zn-C3）（Zn-C3），A WEE1抑制剂，合并
缩写：5：2，5天的治疗，然后是2天治疗； A，苯二替伯； AUC，时间集中曲线下的区域； CRM，连续的重新评估模型； DOR，响应持续时间； ECOG，东部合作肿瘤学小组； G，吉西他滨； MTD，最大耐受剂量； ORR，客观响应率； PFS，无进展的生存； PLD，叶珠脂体阿霉素； PROC，抗铂的卵巢癌；恢复，实体瘤的反应评估标准； RP2D，推荐第2阶段剂量。
型号GPD
DPDT-8A-250V.AC • Engine run • Common controller trouble • Charger #1 & Charger #2 failure • Pressure transducer fault • Common engine trouble • High engine temperature • Fail to start • Fuel injection malfunction** • ECM selector switch in alternate position*** • PLD low suction pressure • Common pump room trouble (field re-assignable)* • Low fuel level • High fuel level • Fuel tank leak • H-O-A selector switch in关闭或手•免费（现场编程）*
CsSnI3 薄膜
与元素的相对挥发性和界面的最终控制无关。在复合氧化物领域，PLD 开辟了需要多个（4-5）个阳离子化学计量转移的高温超导薄膜的道路。[1] 在这里，我们以碘化铯锡（CsSnI 3 ）为例，介绍了 PLD 作为一种独特的全无机卤化物钙钛矿单源真空沉积技术尚未开发但具有巨大潜力的潜力。文献中广泛提出 CsSnI 3 作为典型的混合卤化物太阳能电池吸收剂 CH 3 NH 3 PbI 3 (MAPbI 3 ) 的无铅全无机替代品。由于它们的离子半径相似且 Sn 的毒性较低，用 Sn 替代有毒的 Pb 是一种自然的选择。 [2] 有人提出用 Cs 代替有机阳离子（如 CH 3 NH 3 ）来增强材料的热稳定性。 [3] 虽然 Cs 基卤化物钙钛矿的分解温度高于含有机阳离子的钙钛矿，但 Cs + 阳离子的尺寸是钙钛矿结构稳定性的极限，因此会造成光学活性（黑色）钙钛矿相和非光学活性（黄色）非钙钛矿相之间的相不稳定 [4–6]。在 CsSnI 3 中，这些相可以在室温下共存。因此，全无机钙钛矿中的黑色相稳定性对于确保其在光电器件中的应用至关重要，并且一直是近期研究的主题，重点关注 CsPbI 3 [7,8] 和 CsSnI 3 。 [9]
通过量子MA
我们研究了由金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）在蓝宝石上生长的Znga 2 o 4纤维的电和光学性能，并在融合二氧化硅上通过脉冲激光沉积（PLD）生长的半绝制纤维。在700℃下形成的气体退火后，MOCVDFILM高度传导，室温载体浓度为2 10 20 cm 3，迁移率为20 cm 2 /v s，直接带茎gap吸收在3.65 eV和4.60 eV和4.60 eV中。在相同的退火条件下，PLD纤维是半绝制的，在5.25 eV时具有直接的带隙吸收。声子结构对于电气传导以及超导性和其他量子现象很重要，由于晶胞中的原子数量大量（以及声子分支）非常复杂。然而，我们表明，可以通过基于量子的磁磁性贡献的声子在温度跨度T¼10-200k的情况下直接测量。约10至90 MeV，与密度功能理论计算得出的Znga 2 O 4状态密度（在0 K）的能量范围一致。然后可以通过l tot1¼lii1ÞlpH 1对总测量的迁移率进行建模，其中l ii是由于电离脉冲散射引起的迁移率。具有高带隙，控制电导率，高击穿电压和散装增长能力，Znga 2 O 4为高功率电子和紫外检测器提供了机会。
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
欧盟立法的解释性备忘录
产品可能严格应对他们提供的产品的缺陷负责，造成人身伤害，死亡或私人财产损失。如果一个人遭受了这种损害，他们可以要求赔偿。替代指令（2024 PLD）引入了新的规定，以解决影响产品工作方式（例如人工智能系统）和数字服务等产品（例如，自动驾驶汽车中的导航服务）。它还减轻了在某些情况下对受害者的举证责任，并从10年延长到25年（由于将产品放置在市场上）时限制受伤的潜伏期在10年内阻止了索赔。3。特别是：
