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激光加工石墨烯及相关储能材料：
缩写：SCs，超级电容器； SCs，微型超级电容器；CNTs，碳纳米管；GO，氧化石墨烯；rGO，还原氧化石墨烯；LrGO，激光还原氧化石墨烯；GOQDs，氧化石墨烯量子点；GQDs，石墨烯量子点；CNTs，碳纳米管；MWCNTs，多壁碳纳米管；HOPG，高度有序热解石墨；MOFs，金属有机骨架；LCVD，激光化学气相沉积；LIG，激光诱导石墨烯；LSG，激光划刻石墨烯；PLD，脉冲激光沉积；MAPLE，基质辅助脉冲激光蒸发；RIMAPLE，反应逆基质辅助脉冲激光蒸发；LIFT，激光诱导正向转移；LIBT，激光诱导后向转移；LIPSS，激光诱导周期性表面结构；PET，聚对苯二甲酸乙二醇酯； PVDF，聚偏氟乙烯；PI，聚酰亚胺；LIP，磷酸铁锂
全球导航卫星系统。当前的趋势和未来前景
今年夏天，两家美国公司进行了处女航班，将其创始人带到80公里以上。这些第一个商业太空旅游的航班只是“报纸”的一个方面：越来越多的公司正在开发并合并新技术以利用太空的商业机会。有些人，例如西班牙的PLD，正在为较便宜的发射器（例如OneWeb）致力于部署大型卫星星座，而另一些则在小行星采矿等越来越有远见的应用程序上再次开发。这些举措并非没有需要解决的问题。如果空中交通对空气污染的贡献是一个问题，那么肯定是为了娱乐的轨道航班。大型卫星星座的发射正在将空前数量的对象插入轨道；这些不仅妨碍了天文观察，而且也极大地增加了现有卫星的碰撞风险。和空间采矿（仍然迄今仍胚胎）已经引发
退火温度对LA2TI2O7薄膜厚度和粗糙度的影响
在这项工作中，验证了底物退火温度对LA 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度的影响。通过脉冲激光沉积技术（PLD）在各种退火温度下成功地在Si（100）底物上生长了一组LTO薄膜，每脉冲的脉冲和能量恒定。扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）用于研究沉积的La 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度。由于线性退火温度的升高，薄膜的平均厚度降低。当LTO薄膜在500°C下沉积时，发现最大厚度（231 nm）。均方根粗糙度随着底物温度的升高而线性增加。在LTO以（500°C）沉积时，发现最小粗糙度（0.254 nm）。从获得的结果中，其清晰的证据表明退火温度对LTO薄膜的厚度和粗糙度有影响。关键字
EASA CM-SWCEH-001 开发保证机载电子硬件
目录 1. 简介................................................................................................................ 6 1.1. 目的和范围.................................................................................................... 6 1.2. 监管参考和要求................................................................................................... 6 1.3. 缩写................................................................................................................ 7 1.4. 定义................................................................................................................ 9 2. 背景...................................................................................................................... 12 2.1. 本文件内容与现有 FAA 命令或 CAST 文件内容的比较 ............................................................................. 12 3. EASA 认证政策 ...................................................................................................... 14 3.1. EASA 政策 ...................................................................................................... 14 3.2. 本认证备忘录的影响对象 ............................................................................................. 14 3.3.背景 ................................................................................................ 14 4. 硬件审查流程指南 ...................................................................... 15 4.1. 目的 ..............................................................................
KPS 2025年度实施计划3391
通过活动，会议，讲习班，旅行，学习庆祝活动提供了多种机会来与所有whānau建立关系。通过新闻通讯，英雄，会议，研讨会和调查，对高期望和愿望建立共识。随着员工的努力，在KPS上创建对“高期望教学”的共同理解。使用英雄定期收集学生的声音以告知计划。通过PLD嵌入PB4L层和恢复性实践，并优先考虑“ KPS方式”的教学，从而创建“ KPS Upstanders”欺凌策略。通过在所有教室中的暂停呼吸微笑课程来支持员工和学生的个人福祉。继续与教育Pou合作，以反映我们的计划，决策和学习计划中的Rūnanga愿望。积极庆祝KPS的不同文化 - 国际日，集会等。在社区咨询后采用有关提供健康课程的声明。
欧盟拟议的人工智能责任指令存在令人担忧的漏洞，可能会影响医疗人工智能
两项新提出的指令影响了欧盟的人工智能责任：产品责任指令（PLD）和人工智能责任指令（AILD）。虽然这些拟议的指令为人工智能造成的伤害提供了一些统一的责任规则，但它们未能完全实现欧盟的目标，即为人工智能驱动的商品和服务造成的伤害的责任提供明确性和统一性。相反，这些指令为一些黑箱医疗人工智能系统造成的伤害留下了潜在的责任空白，这些系统使用不透明和复杂的推理来提供医疗决策和/或建议。无论是根据欧盟成员国的严格责任法还是基于过错的责任法，患者可能无法成功起诉制造商或医疗保健提供者因这些黑箱医疗人工智能系统造成的某些伤害。由于拟议的指令未能解决这些潜在的责任空白，制造商和医疗保健提供者可能难以预测与创建和/或使用一些潜在有益的黑箱医疗人工智能系统相关的责任风险。
钙钛矿的低能电子结构和
钙钛矿中的硫族化物和相关的 Ruddlesden-Popper 结构类型（本文简称为“硫族化物钙钛矿”）作为一类具有出色光电特性的新兴半导体，正受到越来越多的关注 [1–8]。硫族化物钙钛矿的带隙（𝐸 𝑔）可在蓝绿色（𝐸 𝑔 ≈2.5 eV）至红外 (IR) 范围内调节，具有很强的光吸收和发光性，多个研究小组的结果表明其固有的非辐射电子-空穴复合速度很慢 [4,6–10]。硫族化物钙钛矿由廉价无毒的元素组成，热稳定性极高，这对未来大规模制造和部署（例如薄膜太阳能电池）大有裨益 [11,12]。我们已经发现硫族化物钙钛矿是一种具有极强介电响应的半导体，在已知的可见光和近红外 (VIS-NIR) 带隙半导体中，只有铅卤化物钙钛矿可与它媲美 [13,14]。在最近的工作中，我们通过脉冲激光沉积 (PLD) 和分子束外延 (MBE) 首次合成了大面积、原子级光滑的 BaZrS 3 外延薄膜 [15,16]。
补充材料电子结构和特性......
沉积技术 基片厚度密度参考温度 （nm） （g/cm 3 ） （◦ C） 脉冲激光沉积 石英玻璃 120-140 4.88- 5.4 取决于房间 Kim 等人 [1] （PLD） 激光功率、O 2 分压、目标-基片距离 80mJ、10Pa、35mm 时为 4.88（低 VO ） 80mJ、5Pa、35mm 时为 5.39（高 VO ） 等离子增强原子 Si 和蓝宝石 37.8 5.154 80 Yang 等人 [2] 层沉积（PEALD） 2500 W 5.325 250 PEALD Si (100) 10 4.83 100 Li 等人[3] 100 W ≥ 5.5 ≥ 150 电子束蒸发 GaAs 和 Si 95.5 5.152 200-350 Passlack 等人 [4] 4.5-4.8 40 分子束外延 GaAs (001) 85.5 5.30 具有一定结晶性 420-450 Yu 等人 [5] (MBE) 射频磁控溅射 SiO 2 /Si 25 5.32 有 O 2 室溅射 Han 等人 [6] 4.84 无 O 2 (更快的蚀刻速率) 射频磁控溅射 Si 498.9 4.78 室 Liu 等人 [7]
转换1：随机，双盲，安慰剂 - ...
Transform-1: randomed, double-blind, placebo-controlled, multiticenter, international phase 3 study of navitoclax in combination with ruxolitinib versus ruxolitib plus placebo with untreted myelo MrcP, Frcpath, Phd 2 , 3 , Tim cp Somevaille, Pldfrcp Frcpath 4 , James Kcloskey, McCloskey, McCloskey, MD 5 , MD 6，Steffen Koschmieder 7，David Lavie MD 11，MariaTeresaGómez-Cares，MD PhD 12，Emanueleme Amunna，MD PLD 13，Ho-Jin Shin，MD 14，Keita Kirito，Keita Kirito，MD tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy devos, tmothy 16 Chuah 19 , Atanas Radinoff 20 , Andrija Bodanovic，21，22教授，Rasislav Mosal，Pharmd 23，Qi Jiang 23，Avijeet S Chopra 23，Jalaja Pot 23 Passmonti，MD 25
Manoj Kumar 博士，理学硕士、哲学硕士、哲学博士
半导体学会（印度），注册号 -209，印度，http://www.ssi.org.in 国家热物理学会（NTPS），印度 名称列于《世界名人录》第 28 周年纪念版。 研究技能和专业知识 - 总结 19 年左右的经验，涉及重要技术电子材料（外延和多晶薄膜）的制造和特性以及设备开发：薄膜晶体管 (TFT)、非易失性存储器、发光二极管 (LED) 和光电探测器 (PD)。复合半导体纳米材料：II-VI 和 III-V（ZnO、GaN）全面的知识和专业技能 1）薄膜沉积技术：溅射、PLD、电子束蒸发器、溶胶-凝胶、ALD 和 PECVD 2）结构、光学和电学特性：XRD、AFM/SEM、TEM、PL、UV-VIS、霍尔效应等； 3）使用光刻、电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）、电子束蒸发器和剥离工艺等标准程序开发和表征 TFT、基于 TFT 的非挥发性存储器、LED 和 PD 设备；布局设计； 4）熟悉在高影响因子期刊上发表学术研究文章 研究兴趣领域：薄膜处理/纳米结构材料合成/器件制造