B el gi u m, B ul g a ri a, C z e c hi a, D e n m a r k, G e r m a n y, E s t o ni a, I r el a n d, G r e e c e, S p ai n, F r a n c e, C r o a ti a, I t al y, C y p r u s, L a t vi a, Li t h u a ni a, L u x e m b o u r g, H u n g a r y, M al t a, N e t h e rl a n d s, A u s t ri a, P ol a n d, P o r t u g al, R o m a ni a, Sl o v e ni a, Sl o v a ki a, Fi nl a n d a n d S w e d e n .fr o m 1。1。2 0 2 5 wit h t h e e ntr y i nt o f or c e of R e g ul ati o n ( E U ) 2 0 2 3/ 1 1 8 2, t h e E U c e ntr ali z e d m ar k eti n g a ut h ori z ati o n f or m e di ci n al pr o d u ct s f or h u m a n u s e will n o l o n g er b e v ali d i n t h e t errit or y of U nit e d Ki n g d o m ( N ort h er n Ir el a n d ) , wit h t h e e x c e pti o n of b at c h e s l a wf ull y pl a c e d o n t h e m ar k et b ef or e t h e a p pli c ati o n of t h e R e g ul ati o n.
新兴的宽带隙 (WBG) 半导体有望推动全球产业发展,就如同 50 多年前硅 (Si) 芯片的发明推动了现代计算机时代的到来一样。基于 SiC 和 GaN 的器件正开始变得更加商业化。与同类的基于 Si 的元件相比,这些 WBG 器件更小、更快、更高效,在更严苛的操作条件下也能提供更高的可靠性。此外,在此框架下,一种新型微电子级半导体材料被创造出来,其带隙甚至比之前建立的宽带隙半导体(如 GaN 和 SiC)还要大,因此被称为“超宽带隙”材料。这些材料包括 AlGaN、AlN、金刚石和 BN 氧化物基材料,它们在理论上具有更优越的性能,包括更高的临界击穿场、更高的工作温度和潜在的更高辐射耐受性。这些特性反过来又使得革命性的新器件可用于极端环境成为可能,例如高效功率晶体管(因为巴利加品质因数有所提高)、超高压脉冲功率开关、高效 UV-LED、激光二极管和 RF 电子设备。本期特刊发表了 20 篇论文,重点关注基于宽带隙的器件:设计、制造和应用。三篇论文 [1-3] 涉及未来 5G 应用和其他高速高功率应用的 RF 功率电子设备。其中九篇论文 [4-12] 探讨了宽带隙高功率器件的各种设计。其余论文涵盖了基于宽带隙的各种应用,如用于提高 GaN 基光子发射器光子提取效率的 ZnO 纳米棒 [13]、InGaZnO 薄膜晶体管 [14]、宽带隙 WO3 薄膜 [15]、银纳米环 [16、17] 和 InGaN 激光二极管 [18-20]。特别是在 RF GaN 器件方面,Kuchta 等人 [1] 提出了一种基于 GaN 的功率放大器设计,该设计降低了透射率畸变。Lee 等人 [2] 展示了一种用于 2.5 至 6 GHz 干扰系统的紧凑型 20 W GaN 内部匹配功率放大器,它使用高介电常数基板、单层电容器和分流/串联电阻器实现低 Q 匹配和低频稳定。 Lin 等人 [3] 通过集成厚铜金属化层实现了 Ka 波段 8.2 W/mm 的高输出功率密度。关于 GaN 功率器件,Wu 等人 [4] 研究了一种双 AlGaN 势垒设计以实现增强模式特性。Ma 等人 [5] 介绍了一种使用 GaN 的数字控制 2 kVA 三相分流 APF 系统。Tajalli 等人 [6] 通过进行缓冲分解研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿的起源。可以确定每个缓冲层与垂直漏电和击穿电压相关的贡献。Sun 等人 [7] 研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿电压的分布。[7] 提出了一种利用 TCAD 实现常关型 GaN HEMT 的新方法。该概念基于将栅极沟道方向从长水平方向转置为短垂直方向。Mao 等 [8] 在 IGBT 的集电极侧引入了一部分 p-polySi/p-SiC 异质结,以在不牺牲器件其他特性的情况下降低关断损耗。Kim 等 [9] 实现了 SiC 微加热器芯片作为下一代功率模块的新型热评估设备,并评估了其耐热性能。
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容错量子计算需要执行许多最有前景的量子映射应用。近年来,出现了许多非常适合当前和未来有限连接的二维设备的错误或纠正代码,例如urf acecode。我们发现,通过 2. 5-D 架构的传输位安排,可以有效地实现特定的谐振腔,并且只需大约 2. 0 个更少的时间即可有效地实现表面代码安斯蒙斯 VI 位于 hi sw 或 k。我们通过在与每个传输相连的量子位存储器层中存储代码来虚拟化二维存储器或设备。分布式量子位跨领域对容错影响最小,并导致实质上或有效的逻辑操作。虚拟逻辑量子位 (VLQ) 系统具有容错性、可比性和 2D 转换架构,可通过概念验证实验演示来实现围绕逻辑位的使用,需要非政府组织 1 1 传输和 9 附加信息。问
随着人工智能 (AI) 的熟练程度不断提高,AI 用作团队成员而不是工具的潜力正在接近实现。这一进步正在推动对人类团队的适用性或人类自主知识的应用进行新的研究。在当前的研究中,我们通过质量方法来阐述团队的人员组成(团队中的人员数量和人员数量)如何影响团队的情绪、团队流程、团队成员本质状态,以及它们作为团队认知系统的出现。共有 4 6 个团队完成了团队或 K 模拟,在了解他们的团队经验或经验后,我们将进行查看。所有团队均由人类组成;然而,有两个条件是,他们的团队成员都是非同伙代理人。访谈是使用扎根的方法进行分析的,其中揭示了团队组成之间的主题差异。根据我们的研究结果,我们提供了一个新模型来描述早期行动团队如何实现有效的团队过程以及新兴的认知状态。
公司背景 Vast 是一家总部位于加利福尼亚州长滩的美国公司,参与 NAS A 的第二次商业太空能力合作 CCSC 2 计划 NAS A 的商业低地球轨道项目我是办公室 c e. 2 大型计划已签署、建造并可私人使用,可居住空间站 Haven - 1,将于 NETA 8 月 2 0 2 5 日之前在 Space XF al con 9 上发射。 The Haven - 1 空间站位于德国西北部gnedf 或三只眼睛的所有生命的操作。在这三年期间,Haven-1 将提供载人飞行服务,并执行抵达和离开空间 X 博士的载人任务。该站还将在舱内承载压力负荷。任务结束时,该站将通过控制入口断开或断开位。在 Haven -1 任务的准备过程中,V a st isde 标志着一艘名为 Haven - Demo 的演示航天器正式发射,该航天器将于 2025 年 1 月随 XF al con 9 NET 一起发射。H aven - De emo 航天器将搭载 Haven -1 上的 V a st 平台的子系统和部件,以增加其飞行寿命,并进一步在 Haven -1 发射前降低技术和操作风险。对于这两项任务,Vast 将申请 NGF 或 FCC 许可证,并通过这些申请履行其碎片太空飞船处置责任。无论是这两项任务,Vast 的航天器都将成为 CRSRA 的 Vast 计划,并需要 CRSRA 许可证。